董建伟著的《几类半导体模型的理论分析》共分 五章,前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型: 量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子 Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。 我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模 型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳 态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力 学稳态模型弱解的存在性,另外我们在一维有界区间 上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰 减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型,介绍 其稳态方程组解的存在性和独有性。
本书全面介绍了半导体物理的基本内容,这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强,合理地安排了物理原理,表征法以及半导体材料和器件的应用等内容,兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步,包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程,材料科学,物理和化学工程的研究生,也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。
董建伟著的《几类半导体模型的理论分析》共分 五章,前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型: 量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子 Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。 我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模 型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳 态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力 学稳态模型弱解的存在性,另外我们在一维有界区间 上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰 减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型,介绍 其稳态方程组解的存在性和独有性。
《超导体中的磁通钉扎》主要介绍了超导体中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的各种电磁现象,详细的论述了同临界电流密度相关的所有理论,也讨论了由于磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡流相位图像的影响,描述了另外一些参数对不可逆场的影响,例如超导体的各向异性、晶粒大小、电场强度等。本书也解释了接近理想状态的超导材料中交流损耗的减少主要来自于二维钉扎中起主导作用的可逆磁通运动。本书还涉及到以下方面:超导体中电流和磁场平行时同约瑟夫森效应相悖的现象;同临界态模型相悖的钉扎势中的可逆磁通运动现象;建立在临界态模型上的磁通钉扎中的的能量损耗现象等等。本书可供广大涉及超导研究的科研人员参考,也可作为高等院校相关学科的选用教材。本书为中外物理学精品书系。
本书全面介绍了半导体物理的基本内容,这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强,合理地安排了物理原理,表征法以及半导体材料和器件的应用等内容,兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步,包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程,材料科学,物理和化学工程的研究生,也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。
《计算物理学习指导/高等学校理工科物理类规划教材辅导用书》是与《计算物理学》(刘金远等编著,科学出版社,2012年出版)相配套的辅导用书。《计算物理学》自2012年6月出版以来,广受好评,被很多院校选用,2014年9月入选国家十二五规划教材。
本书以清晰的物理图像和丰富的实验结果比较全面地介绍了基于半导体量子点激子的量子计算和量子信息方面的研究进展。全书共分8章,章和第2章是半导体量子点形貌结构和基本特性简要介绍;第3章至第5章是关于激子量子比特旋转和量子逻辑运算等量子计算方面的研究进展;第6章至第8章则是关于激子复合单光子发射和纠缠光子对发射等量子信息方面的研究进展。 本书可以作为凝聚态物理、光学、材料科学、量子计算科学等有关专业的高年级本科生和研究生的教学参考书,也可供上述领域的科技工作者参考。
松下照男编著的《超导体中的磁通钉扎》主要讲述了普遍存在于金属超导体、高温超导体和MgB2超导体等材料中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的电磁现象,利用源于非超导杂质或晶界的凝聚能相互作用和Nb―
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有的深度和广度。
本书全面介绍了半导体物理的基本内容,这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强,合理地安排了物理原理,表征法以及半导体材料和器件的应用等内容,兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步,包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程,材料科学,物理和化学工程的研究生,也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。