本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以 Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以 Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。

本书是一部经典的结晶学教材，1961年初版，1972年第2版，1992年第3版，1994年、1995年重印出版，1997年简装版出版，2001年第4版全面修订出版，备受关注。书中系统阐述了结晶学的基本原理，包括晶体学、晶体学的物性、结晶动力学、结晶技术以及结晶设备的设计原理和操作。新版在第3版的基础上进行了较全面的改写，同时增加了不少新的内容，反映了该领域近年来的主要进展。该书录提供了大量有关

内容简介

本书是作者多年交叉熵算法应用和科研成果的结晶。全书共6章，主要内容包括绪论、交叉熵理论及改进算法、交叉熵算法在天线阵列综合领域中的应用、交叉熵算法在电网故障诊断领域中的应用、交叉熵算法在电机故障诊断领域中的应用、交叉熵算法在煤层气参数预测领域中的应用等。 本书的创新点是：将交叉熵算法应用到电子工程的多个领域，体现了交叉熵算法应用的广泛性；以项目化、模块化方式撰稿，除章绪论外其他各章均为省级以上研究项目成果；每章优化算法均结合Matlab语言实现，使得读者可以直观了解理论进展前沿。 本书可作为电子工程方向相关专业的研究生教材或科研参考书，也可作为对该方向感兴趣的科技人员的参考资料。

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。篇为晶体生长的基本原理，对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态以及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(包括材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。 本书可供从事晶体生长的科研和工程技术人员阅读，也可作为该领域研究生的教学参考书。

《现代化学专著系列：复杂晶体化学键的介电理论及其应用》详细地阐述了介电描述的晶体化学键理论和方法，特别是复杂晶体化学键的介电理论方法，为研究复杂体系的性质开辟了一种新途径。书中利用该理论方法不仅计算了大量复杂晶体的化学键参数，还展示了应用于非线性光学系数，高温超导体化学键分析，晶体环境对晶体功能性质的影响，复杂晶体品格能等性质的计算方法和过程。《现代化学专著系列：复杂晶体化学键的介电理论及其应用》包括基本概念、理论分析、公式推导、数据结果和应用等几部分内容，同时，书中还为科学研究和实际应用提供了一些有用的数据和规律性内容。《现代化学专著系列：复杂晶体化学键的介电理论及其应用》可供从事材料科学、理论化学、固体物理和无机化学方面的科研工作者，高等学校教师和研究生参考。

史志诚、尉亚辉编*的《中国草地重要有毒植物?》修订版，由**版的23章增加为25章。在内容方面?增加了牧区草地的有毒棘豆中毒、有毒黄芪中毒、醉?马芨芨草中毒，以及狼毒、鹅绒藤属(牛心朴子)的*?新研究成果；在分析与检验，增加了内生菌的检验和?现代生物技术；在毒害草防控方面突出了依法防控和?生态防控的内容。书后所的彩图：新增加了毒害草?的彩色照片。修订版与**版比较，具有3个特点：?**，定位明确，内容*有针对性；第二，具有中国?草地的生态独特性和防控毒害草的技术创新性；第三?，具有实用性和可操作性。

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。篇为晶体生长的基本原理，对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态以及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(包括材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。 本书可供从事晶体生长的科研和工程技术人员阅读，也可作为该领域研究生的教学参考书。

《牛津大学研究生教材·固体缺陷理论（卷）：绝缘体和半导体中缺陷的电子结构》内容涉及的范围尽可能广泛，尽管我可能漏掉了读者所钟爱的缺陷，我希望所讨论的一些足够类似的体系将会有所帮助。我觉得没有义务去讨论所有被看到的或声称存在的缺陷，而且我有意少花些时间在那些别处已经深入讨论过的内容，例如过渡金属离子。相反地，我力求强调那些文献中讨论很少的一些重要特性，并且阐述那些仍然存在争议的论点。

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。篇为晶体生长的基本原理，对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态以及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(包括材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。 本书可供从事晶体生长的科研和工程技术人员阅读，也可作为该领域研究生的教学参考书。

本书系统地介绍了位错的基本理论及其在工程领域中的应用，内容主要包括位错的结构，位错的弹性理论、位错的运动与交割，实际晶体结构中的位错，位错的来源及实验基础，位错理论的应用。 本书可作为金属材料及热处理和其他热加工专业以及冷加工专业的本科生及研究生的教材，也可供相关学科领域科技人员参考。