《透明氧化物半导体》重点阐述了已经得到广泛应用或具有重要应用前景的8种氧化物半导体的制备技术、晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质和气敏性质，既包含了作者近30年的研究成果，又反映了外透明氧化物半导体重要研究成果，既包含了早期透明氧化物半导体成熟理论，又反映了当前国际上透明氧化物半导体的成果，重点突出，内容系统、全面、新颖，具有重要的科学意义和应用价值。

智寄于体，体赖于健，健托于动，动在于巧。综观健身健美运动的起源和发展历程，以及现代科技的发展，利用专门的健身健美器械和生活物品，对身体进行的健康促进、身体健塑、体能提升以获取身体美，是既简单又行之有效的方式和方法，并已成为大众和校园男女热追的锻炼方式，深得锻炼者的追捧。为充分展示器械、器物健身的特点、功能和效用，更好地供青少年和健身锻炼者选用，《健身器械锻炼指导：形体塑修篇》从介绍器械健身概况入手，对各类器械、器物的健身性能、锻炼的方式方法、体能锻炼、身体健塑、锻炼案例，以及相关的基础知识等内容作了较全面的论述。衷心祈愿，在此作的导引之下能使锻炼者的身体康健、重塑、修饰和健美人体的获取有所帮助。《健身器械锻炼指导》分为形体塑修篇和体能提护篇两册。形体塑修篇在全面介绍健身会所

本书共包括15章： 章概述了半导体制造工艺； 第2章介绍了基本的半导体工艺技术； 第3章介绍了半导体器件、 集成电路芯片， 以及早期的制造工艺技术； 第4章描述了晶体结构、 单晶硅晶圆生长， 以及硅外延技术； 第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论； 第8章讨论了离子注入工艺； 第9章详细介绍了刻蚀工艺； 0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺， 以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、 原子层沉积（ALD）工艺过程； 1章介绍了金属化工艺； 2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺； 3章介绍了工艺整合； 4章介绍了先进的CMOS、 DRAM和NAND闪存工艺流程； 5章总结了本书和半导体工业未来的发展。

《光电二极管及其放大电路设计》内容简介：光电技术是一个高科技行业，光电二极管是光通信接收部分的核心器件。《光电二极管及其放大电路设计》系统地讨论了光接收及放大电路的设计和解决方案中的带宽、稳定性、相位补偿、宽带放大电路、噪声抑制等问题。《光电二极管及其放大电路设计》专业性强，系统架构由简到难，理论与实践相结合，具有较强的应用性、资料性和可读性。《光电二极管及其放大电路设计》适合光信息科学与技术、电子科学与技术、光通信相关专业的高校师生及研发人员使用。

本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。

半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件，和半导体激光器一样，是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器（EDFA）后来居上，在光纤通信中获得应用，但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章，前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6～8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放大器及

《光学投影曝光微纳加工技术》系统介绍主流光刻技术——光学投影光刻的工作原理、系统组成、应用和发展前景，详细介绍投影光刻物镜、掩模硅片对准、激光定位工件台、分辨力增强技术以及整机集成。

本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。

以硅为基础的微电子技术在信息技术中仍占据着重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料因具有高的载流子迁移率和大的禁带宽度而在发光器件、高速器件、高温器件、高频器件、大功率器件等方面得到越来越广泛的应用。可以预见，光电集成或光子器件所用的材料将大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料。然而目前除了IV族的si材料外，其他半导体材料的数据资料比较零乱，缺少一本把这些材料的特性参数汇集到一起的专著。 本书对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述，并提供了大量的图表以及具体数据。 本书可以在作为相关领域材料和器件工程师的参考资料，也可以作为从事半导体材料、半

本书结合我国绿色照明工程计划及外太阳能光伏技术，以及LED照明技术发展动态，全面系统地阐述了太阳能LED路灯的设计与应用技术。全书共7章，深入浅出地阐述了太阳能LED路灯的光伏系统、太阳能电池、VRLA蓄电池、VRLA蓄电池充电与LED路灯控制技术、LED固态光源与驱动技术、太阳能LED路灯设计、太阳能LED路灯安装与维护等内容。本书题材新颖实用，内容丰富，深入浅出，通俗易懂，具有很高的实用价值，是从事太阳能LED路灯研发、设计、生产、应用与维护的工程技术人员的读物，也可供从事太阳能LED路灯生产应用的管理人员及相关专业高等院校、职业技术学院的师生阅读参考。

高质量的平板显示器的核心是薄膜晶体管（Thinfilmtransistor,TFT）矩阵的特性和制造技术。这本书主要介绍非晶硅（amorphoussilicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术。全书共13章，从TFT元件的结构及特点，到TFT检查与修复。包括TFT阵列制作清洗工艺，成膜工艺，光刻工艺，不良解析和检查修复。从TFT阵列大规模制造的角度，次比较全面的介绍了TFT-LCD生产线的TFT阵列制造工艺技术，工艺参数，生产工艺技术管理，工艺材料规格，设备特性，品质控制，产品技术解析。以工艺原理，设备参数控制，材料特性要求，生产工艺文件要求等大规模生产技术要素为核心，比较完整的介绍了现代化信息制造业的工艺流程与工艺管理。本书可作为平板显示行业工程师，技术人员，管理人员的参考用书，也可供高等院校相关专业方向研究人员，研究生以及相关行业从业人员参考。

有机发光二极管(OLED)是照明研究的新兴领域，《白光OLED照明(中文简体更新版)》由陈金鑫、陈锦地、吴忠帜编著，全面阐述了白光OLED照明组件及其各种特性，同时配以不同发光材料之系统组合及应用潜力的描述，内容有趣且极富挑战性。《白光OLED照明(中文简体更新版)》适合从事白光OLED科研、教学和实用开发的相关人员阅读。

白色发光二极管（LED）于1996年问世，当初主要在小型光源及手机背光源等领域使用。开始出现的白光，是由蓝光LED发出的蓝光与靠蓝光激发YAG荧光体发出的黄光混色而得的拟似白光。此后，随着LED发光波长的多样化、高输出化以及蓝光乃至近紫外光激发的高辉度、高效率发光的新型荧光体的开发，白光LED在最近几年间正向着替代白炽灯泡及荧光灯的方向，作为下一代光源而急速进展。目前，面向一般家庭照明用的白光LED光源已有市售。目前正在推广的节能型灯泡式荧光灯，在今后会逐渐被白光LED所替代，这听起来似乎令人不可思议。当然，在LED及荧光体的高性能化、低价格化、生态学及人们观念改变等方面，还有大量问题需要解决。白色LED作为下一代光源的动向，正成为全世界关注的焦点。白光LED照明技术内容包括白光LED发光原理、白光LED照明的研发与展望、白光

本书就电子装联所用焊料、助焊剂、线材、绝缘材料的特性及使用和选型，针对工艺技术的要求做了较为详细的介绍。尤其对常常困扰电路设计和工艺人员的射频同轴电缆导线的使用问题更有全面的分析。在手工焊接、相关电磁兼容性的整机接地与布线处理、工艺文件的编制等方面，有理论知识、有技巧、有案例分析，具有可操作性。值得提及的是，《整机装联工艺与技术》毫无保留地将很多工艺技术经验，融进了整机装联中各种不同形态焊点质量要求以及与这些焊点有关联的连接导线的形状、距离问题的处理中。从而可以把握整机装联技术中大量隐含质量问题的正确处理方法，学会“分析并看透”一个焊点在整机质量寿命中的“动态表现”。本书配有大量彩色插图，非常适合电装工艺技术人员、电路设计师及操作人员阅读，同时也可以作为相关技术人员的培训教

本书系统地介绍了电子束曝光技术的发展历史和原理、系统的组成和分类、应用和发展前景，同时详细介绍了多种先进的电子束曝光机的性能和技术指标，电子光学柱、精密工件台等分部件和掩模版制作、电子束直刻等关键技术。全书共分10章，第一章为电子束曝光技术概论；第二章为电子束曝光机中的电子光学系统；第三章为工件台及激光干涉仪精密定位；第四章为图形发生器；第五章为检测、对准和校正技术；第六章为电子束曝光机的计算机控制技术和数据转换；第七章为电子束曝光制图艺；第八章为真空控制系统；第九章为国内外几种束曝光机的介绍；第十章为电子束曝光技术的应用和发展前景。 本书可作为微电子专业领域的科技人员和从事微电子、微光学、微机械等微纳加工技术领域的科技人员的技术参考书，财同时还可作为高等院校专业教师、研究

本书以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标，详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用，内容集学术性与实用性于一体。全书共8章，内容包括二维材料及准范德华外延原理及应用、二维材料/氮化物准范德华外延界面理论计算、二维材料/氮化物准范德华外延成键成核、单晶衬底上氮化物薄膜准范德华外延、非晶衬底上氮化物准范德华外延、准范德华外延氮化物的柔性剥离及转移、准范德华外延氮化物器件散热以及Ⅲ族二维氮化物。 全书内容新颖，循序渐进，理论性和应用性强，可供从事第三代半导体材料以及半导体照明领域相关的研究生、科研人员与企业研发人员等阅读参考。