本书是在国家自然科学基金委员会信息科学部的支持下，邀请了三十余位工作在半导体研究领域线的知名专家撰写而成的。本书系统介绍了当前国际、半导体科学和技术各个领域，包括半导体材料的生长、物理问题、重要实验和理论结果、器件结构和应用等方面的基础知识、研究现状、发展趋势和有待解决的关键问题。本书适合从事半导体研究和教学的教师、科技工作者、工程技术人员、研究生、本科生以及科技管理部门有关工作人员和管理专家阅读和参考。

《光学投影曝光微纳加工技术》系统介绍主流光刻技术——光学投影光刻的工作原理、系统组成、应用和发展前景，详细介绍投影光刻物镜、掩模硅片对准、激光定位工件台、分辨力增强技术以及整机集成。

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括pi 二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容，《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时，作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家，作者斯蒂芬? 林德（Stefan Linder ）还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析，力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。

半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件，和半导体激光器一样，是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器（EDFA）后来居上，在光纤通信中获得应用，但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章，前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6～8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放大器及

《光学投影曝光微纳加工技术》系统介绍主流光刻技术——光学投影光刻的工作原理、系统组成、应用和发展前景，详细介绍投影光刻物镜、掩模硅片对准、激光定位工件台、分辨力增强技术以及整机集成。

太阳电池可以实现太阳光直接转换为电力，目前晶体硅太阳电池是光伏发电的主流产品。 本书首先介绍了晶体硅的物理特性、太阳电池基本结构和标准电池工艺；并在介绍多晶硅原料制备原理、硅源化合物材料性能和制备基础上，着重介绍高纯多晶硅和太阳级多晶硅的制备与各种提纯生产工艺；最后，详细阐述了硅的晶体生长和硅片的生产工艺。 本书可供大专院校从事光伏、半导体材料与器件、材料科学与工程等领域的师生作为教学参考书，也可供从事太阳能光伏研究、技术开发和产业生产的科技人员和工程师参考。

半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件，和半导体激光器一样，是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器（EDFA）后来居上，在光纤通信中获得应用，但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章，前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6～8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放大器及

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括pi 二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容，《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时，作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家，作者斯蒂芬? 林德（Stefan Linder ）还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析，力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。

本书介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MEsFET、BJT、SICG、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。 本书面向电力电子技术、自动化技术以及能源技术等领域的广大工程技术人员和研究生，在满足器件专业人士对宽禁带半导体电力电子器件研发问题的深度要求的同时，也尽可能照顾到非专业人士的知识背景。

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本书是一本综合性很强的参考书，由60名国际专家编写，并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用，以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到封装和测试，从基础知识到技术。针对化设计和制造工艺，提供了以成本制造质量芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的信息，以及进的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性的单卷参考书。 基于大范围的涵盖，本书适用面非常广。既适用于科研院校的教师、学生及研究人员，又适用于在半导体业界从事生产和管理的专业人员。

本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。

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本书在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上，介绍IV族半导体材料、GaAs材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤，接着介绍了基于GaAs材料辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件，最后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。 本书特别强调辐射效应的基本物理，介绍的内容反映当前半导体材料及器件辐射效应和辐射加固技术研究的进展，对于相关领域的研究及应用均具有重要的参考价值。 本书适合于从事空间技术及高能物理研究和应用，以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域的广大科技人员阅读，也可以作为相关领域研究生及大学生的教学参考书。

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高质量的平板显示器的核心是薄膜晶体管（Thinfilmtransistor,TFT）矩阵的特性和制造技术。这本书主要介绍非晶硅（amorphoussilicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术。全书共13章，从TFT元件的结构及特点，到TFT检查与修复。包括TFT阵列制作清洗工艺，成膜工艺，光刻工艺，不良解析和检查修复。从TFT阵列大规模制造的角度，次比较全面的介绍了TFT-LCD生产线的TFT阵列制造工艺技术，工艺参数，生产工艺技术管理，工艺材料规格，设备特性，品质控制，产品技术解析。以工艺原理，设备参数控制，材料特性要求，生产工艺文件要求等大规模生产技术要素为核心，比较完整的介绍了现代化信息制造业的工艺流程与工艺管理。本书可作为平板显示行业工程师，技术人员，管理人员的参考用书，也可供高等院校相关专业方向研究人员，研究生以及相关行业从业人员参考。

以硅为基础的微电子技术在信息技术中仍占据着重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料因具有高的载流子迁移率和大的禁带宽度而在发光器件、高速器件、高温器件、高频器件、大功率器件等方面得到越来越广泛的应用。可以预见，光电集成或光子器件所用的材料将大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料。然而目前除了IV族的si材料外，其他半导体材料的数据资料比较零乱，缺少一本把这些材料的特性参数汇集到一起的专著。 本书对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述，并提供了大量的图表以及具体数据。 本书可以在作为相关领域材料和器件工程师的参考资料，也可以作为从事半导体材料、半