本书讲述了功率半导体器件的基本原理,涵盖Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等;将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等,并详细介绍了测试标准、方法和原理,同步分析了测试设备和数据等;重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面,详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求,贴近工业实践,知识内容新颖,可为工业界以及高校提供前沿数据,为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书,也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。
《LED灯具设计》全部采用彩色印刷,文字清晰,插图非常精美。《LED灯具设计》的特点在于融合了灯具设计的光学、电气等理工科专业知识与造型、材料等艺术类专业知识,按照灯具产品从设计到生产涉及的知识来组织知识结构,全面介绍灯具设计各个方面,详细叙述了灯具光学设计、造型设计的要素及方法、灯具检测与组装等知识,主要内容包括:灯具概述、灯具设计原则与要素、灯具光学设计、灯具造型设计、LED灯具设计、灯具检测、典型灯具产品组装与工程施工等。 同时,《LED灯具设计》为了适应职业教育改革的需要,贯彻以培养高职高专学生以实践技能为重点,基础理论与实际应用相结合的指导思想,力求体现精炼与实用,是一本难得的文理兼修的综合性教材。 《LED灯具设计》可供电光源技术爱好者或者灯具设计施工人员阅读参考,本书还适用于高等职
《半导体产业人才发展指南》对我国半导体产业的人才发展状况进行了系统性的梳理,从产业角度出发,围绕产教融合,多维度、多视角地展现了我国半导体产业人才发展面临的机遇与挑战。具体内容包括:第1章介绍了全球及我国半导体产业现状及前景和趋势;第2章分析和介绍了半导体产业人才状况;第3章介绍并简要分析了半导体产业人才政策;第4章介绍了半导体产业从业人员能力体系,提出了以DMP-Based(设计、制造、封测为基础)的半导体产业链相关人才能力体系建设的思路和方法;第5章介绍了半导体产业贯通人才培养方案;第6章就半导体产业从业人员技能提升培训体系与知识更新工程做了具体且有一定前瞻性的介绍和阐述;第7章介绍了半导体产业国际化人才培养及引进的相关内容;第8章就半导体产业人才培养与发展进行了思考和展望。 本书适合半导体产业从业者及产业相关
本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料,学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
《硅半导体器件辐射效应及加固技术》重点介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法。《硅半导体器件辐射效应及加固技术》共分六章,主要内容包括空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的介绍与分析,硅双极半导体器件、MOS器件、SOI器件和硅DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效应的基本机理及其与关键设计参数、工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法的分析,纳米级器件结构的辐射效应以及相关辐射加固的基本原理的概述和展望。《硅半导体器件辐射效应及加固技术》可供微电子专业的研究生和从事微电子专业的科技人员进行抗辐射半导体器件研究开发、设计制造参考。
本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术,其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期,不要求必须开设相应的实验课。同时,本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史,并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术;扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤,包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨论制
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本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展,用一种可读性强的、非正式的写作方式,一方面,它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用;另一方面,它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求,以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员,以及非专业的科学爱好者。
本书首先以问答的形式和快学速查的方式,介绍了电子管的基础知识与实用知识,然后介绍了一些电子管的主要参数、功能名称、封装特点、基础电路与应用电路等,从而满足读者快学电子管知识、速查电子管资料的目的。 本书具有内容全面、查阅简单、携带方便的特点,是一本集电子管知识学习与资料速查的读物。本书适合音响专业师生使用,另外还可以供电子管应用领域的制作人员、电子管销售人员、胆机维修人员、电子发烧友阅读。
本手册内容包括各种电力电子设备的基本原理、设计方法和应用技术。全手册分为两大部分。部分包括有关电力电子设备的通用资料、基本元器件和单元、基本电路计算及设计、配套件等共性内容。第二部分为各类电力电子设备的原理与设计,包括各类交直流电机调速装置用变流器、高压大容量电力电子装置、牵引变流器、感应加热电源、交流电力控制器、开关电源、焊机电源、不间断电源、照明电力电子技术、无功补偿和谐波抑制装置等内容。书中配有大量计算实例,以便读者能很快地掌握设计计算技能。 本手册主要供从事电力电子设备研究、设计和应用的工程技术人员使用,对于从事电力电子技术专业学习和研究的大专院校师生也有较大的参考价值。
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本书基于TFT-LCD工厂生产的实践,科学原理与工程应用相结合。介绍了TFT-LCD的基本概念,组成材料,工艺和设计流程等;列举了高品质、低成本的设计理念和设计方法;最后在以低温多晶硅LTPS工艺为例,介绍中小尺寸,特别是便携式TFT-LCD产品的发展。对一线技术人员及电子专业的学生具有重要的参考价值。
本书以器件和集成电路为轴线,从基本概念到器件的原理、设计、制造和电路应用。比较全面地介绍了新近发展起来的SiGe微电子技术。全书共九章,内容涉及SiGe材料的性质、SiGe材料的制备、SiGe异质结构、SiGe异质结双极型晶体管、SiGe场效应晶体管、SiGe集成电路、SiGe器件及其电路的发展动态等,并对SiGe在光电子领域的应用作了简明的介绍。讲述简明扼要,并反映出了的研究成果和发展趋势。 本书可供在半导体器件、集成电路和相关领域工作的科技工作者参考,也可作为微电子技术、光电子技术、电子材料、电子元器件、电子物理、电子工程等领域大学本科生及研究生的教材。
陈国祥、王豆豆编写的这本《一维氮化镓纳米材料的结构稳定性及其电子性质》系统地研究了一维氮化镓纳米材料的几何结构、稳定性、电子和磁性等性质。全书共包括7章:章为绪论;第2章详细地介绍了性原理方法;第3至第6章采用基于密度泛函框架下的性原理投影缀加波方法全面系统研究了吸附、掺杂、填充的GaN纳米管以及完整和缺陷GaN纳米带的几何结构、稳定性及其电子性质;第7章为部分主要结论。 《一维氮化镓纳米材料的结构稳定性及其电子性质》可以作为高等院校材料学和物理学及相关专业高年级本科生和研究生的参考书,也可供从事纳米科技和纳米材料教学与研究工作者的参考用书。
本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著,主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论,内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管,以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试,以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时,重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果,以及今后的发展趋势。
本书全面介绍了TFT-LCD的结构、显示原理及特性、制造技术。部分介绍技术发展、分类、工作原理及基本结构。第二部分介绍液晶的物理特性、显示模式、TFT结构及工作原理、TFT-LCD结构及显示原理、显示特性改善。第三部分介绍TFT-LCD的制造技术与生产经验,包括非晶硅TFT-LCD的工艺流程、制造技术、不良检查与分析及低温多晶硅TFT的工艺流程与制造技术。第四部分介绍TFT器件及显示技术的进展与展望,包括有机TFT、氧化物TFT、三维立体显示、透明显示器以及柔性显示等。