本书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术．它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材，也可以作为工程师和科学家们需要了解器件和技术发展的参考资料、首先，章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。接着，本书分为三个部分： 部分（第2、3章）描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在本书接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。 第2部分（第4-9章）讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。 第3部分（0-14章）则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技
本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。
本书是“实用电子技术丛书”之一，从实践和应用的角度介绍了IGBT的概念与一般应用。考虑到IGBT是一种新型功率电子器件，相关理论目前尚不完善，多种理论并存而且各自都有自己的佐证，同时也考虑到本书是针对功率电子领域的入门者与实践者，因此尽量避免了介绍艰深的理论知识而侧重于应用。 本书内容包括认识IGBT、实践入门、IGBT技术参数详解、基本电路、简单设计、范例电路等。作者根据自己的从业经验，试图从应用的角度告诉读者：撇开芯片级的IGBT制造理论和电路设计理论，IGBT用起来并不难。因此本书对于业余爱好者、即将就业的电子专业大学生有启发性作用，对刚刚从事功率电子电路硬件设计的工程师亦有参考价值。
本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期，不要求必须开设相应的实验课。同时，本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。 本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史，并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术；扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤，包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨
本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。
