《车用功率半导体器件设计与应用》使用大量图表，通俗易懂地讲解功率器件的运行和设计技术，其中，第1章概述功率器件在电路运行中的作用以及功率器件的种类，同时解释为何功率MOSFET和IGBT已成为当前功率器件的主角；第2章和第3章讲述硅功率MOSFET和IGBT，从基本单元结构描述制造过程，然后以浅显易懂的方式解释器件的基本操作，此外，还提到了功率器件所需的各种特性，并加入改进这些特性的器件技术的说明；第4章以肖特基势垒二极管和PIN二极管为中心进行讲述；第5章概述SiC功率器件，讲解二极管、MOSFET和封装技术，对于近取得显著进展的的SiC MOSFET器件设计技术也进行了详细介绍。
本书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术．它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材，也可以作为工程师和科学家们需要了解器件和技术发展的参考资料、首先，章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。接着，本书分为三个部分： 部分（第2、3章）描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在本书接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。 第2部分（第4-9章）讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。 第3部分（0-14章）则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技
本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。
