本书较为全面地介绍了各类典型半导体器件和集成电路在核辐射（主要为中子注量、总剂量和剂量率等）和空间辐射环境下的损伤机理和效应。主要内容包括：外核辐射效应发展简史、研究对象和方法，核爆炸、空间、模拟源和核动力等辐射环境分析，位移、电离、剂量增强和单粒子等辐射效应机理，各类二极管、微波器件、双极和单结晶体管、异质结器件、场效应晶体管、各类线性和数字集成电路等的辐射效应，宇宙射线重离子、质子和中子等粒子在大规模和超大规模集成电路中产生的单粒子效应，X射线和低能r射线辐射器件和电路中引起的剂量增强效应，低剂量率辐射在器件和电路中产生的增强损伤，红外探测器、光电和电光器件、激光二极管和CCD等光学器件的辐射效应。
《光电发射、次级电子发射与光电倍增管》的内容主要介绍光电发射、次级发射及光电倍增管的工作原理和特性。除引进国外较新的技术外，作者根据自己的理论功底与实践经验，对光电倍增管结构设计、光电特性、关键工艺作了理论上和实践上的补充。力求对于这方面的读者能起到一点有益的参考价值，在光电子学应用与发展中起到抛砖引玉的作用。
本书是信号完整性领域的一部经典著作。全书结合了数字和模拟电路理论，对高速数字电路系统设计中的信号完整性和EMC方面的问题进行了深入浅出的讨论和研究，其中不仅包括关于高速数字设计中EMC方面的许多实用信息，还包括许多有价值的测试技术。另外，书中详细讨论了涉及信号完整性方面的传输线、时钟偏移和抖动、端接、过孔等问题，具有极高的实践指导意义。本书通俗易懂，理论与实践方法结合紧密，是高速数字设计人员参考书。
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