《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
高压水射流清洗技术是一项新型清洗技术，该技术具有高效、节能、无污染、无腐蚀，设备通用性强，清洗成本低等特点。本书全面论述了高压水射流清洗技术的原理与特点、清洗装置、工艺方法与影响因素等；重点从工程应用角度，对高压水射流清洗技术在石油化工、造船工业、造纸工业、车辆清洗中的应用进行了讨论，对合理、优化应用高压水射流清洗技术和高效节能、节水型清洗装置的开发等进行了探讨；介绍了近年来国内外高压水射流清洗技术与装置的应用与进展。书中理论阐述简明扼要，注重反映工艺技术的实际应用和新技术、新工艺的发展。 本书适合于清洗行业及相关工程领域的工程技术人员、大专院校等研究人员阅读，也可供有关科研部门的研究人员参考。
