光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。

当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了国际集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在国际上发挥更加重要作用提供战略性的参考和指导意见。

本书分上、中、下三册，全方位、多角度地介绍集成电路全产业链各个环节的相关知识。既综合了集成电路发展历程、应用技术、产业经济、未来趋势等内容，也详细讲解了集成电路设计、制造、生产线建设、封装测试、专用设备、专用材料等内容，还介绍了集成电路的新技术、新材料、新工艺以及前沿技术发展方向等具有前瞻性的新知识。

集成微波光子技术通过微波光子器件的集成，可显著降低微波光子系统的体积、质量和功耗，是微波光子学的主要发展方向之一。《集成微波光子技术》系统介绍集成微波光子芯片的原理设计、芯片制备和封装测试技术，并对面向微波光子信号产生、处理和传输等不同功能的集成微波光子芯片的研究进展进行了详细的梳理和总结。

本书主要介绍微/纳机电系统(MEMS/NEMS)谐振器动力学设计理论、分析方法及应用技术。全书共9章，主要内容包括：MEMS/NEMS技术基础和MEMS/NEMS谐振器技术的发展历程与发展趋势；谐振器的工作原理、谐振结构设计理论及分析技术；谐振器件制备涉及的材料、微纳加工工艺及技术；谐振器中存在的丰富非线性现象和复杂动力学行为；微纳尺度下的能量耗散理论、阻尼特性、作用机制及测试方法；谐振器中应用的各种振动激励与检测原理及技术；通道式MEMS/NEMS谐振器检测原理、动力学设计与分析技术；微纳尺度下谐振器件的模态弱耦合作用机制、谐振器设计及传感技术；谐振器中存在的典型失效模式与失效机理，以及多种可靠性评估方法和测试技术。

这本书由曾庆贵、姜玉稀编著，系统讲述使用Cadence软件进行集成电路版图设计的原理、编辑和验证方法，包括版图设计从入门到提高的内容，包括：半导体集成电路；UNIX操作系统和Cadence软件；VirtHOSO版图编辑器；CMOS数字电路版图设计；版图验证；版图验证规则文件的编写；外围器件及阻容元件版图设计；CMOS模拟集成电路的版图设计；铝栅CMOS和双极集成电路的版图设计。同时附录介绍了几个版图设计规则、验证文件和编写验证文件常用的命令等。 本书具有以下特点： (1)以培养学生的职业技能为原则来设计结构、内容和形式。 (2)基础知识以“必需、够用”为度，强调专业技术应用能力的训练。 (3)对基本理论和方法的论述多以图表形式来表达，便于易学易懂，并增加相关技术在生产中的应用实例，降低读者阅读难度。 (4)提供电子教案增值服务

本书编著者潘桂忠。《MOS集成电路工艺与制造技术》内容系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺，内容包括硅衬底与清洗、氧化、扩散、离子注人、外延、化学气相淀积、光刻与腐蚀／N，蚀、金属化与多层布线、表面钝化以及工艺集成制造技术。前面l—10章，一方面介绍了各种工艺，建立了工艺规范并确定了其规范号；另一方面确定了工艺制程中的各种工序。集成电路工艺制程依次序的各工序组成，而工序由各工步所构成，工步中的各种工艺由其规范来确定，工艺规范由其规范号和工艺序号(i)得到，最终在硅衬底上实现所设计的图形，制造出各种电路芯片。前面l～10章为后面11～13章的各种工艺集成制造技术奠定了基础。ll～13章介绍了CMOS和LV／Hv兼容CMOS、BiCMOS和LV／HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术，给出部分实用简明工艺制程卡，并与工艺制程的剖面结

该书对目前的印刷电路设计原理、材料分析和工程设计、分析和测试进行了详尽讲解。作者对PCB电路设计和制造中的诸多关键问题给出了详尽的要点分析，通过深入浅出的解释和讲解，该书给出了PCB电路设计的理论知识、材料分析和工程设计方法及测试方法。

胡正明编著的《现代集成电路半导体器件》系统介绍了现代集成电路中的半导体器件，是一本深入阐述半导体器件的物理机制和工作原理并与实践相结合的教材。本书没有按电子器件、光电子器件、微波器件等通常的分类形式，而是强调了不同半导体器件中的共性，集中介绍了PN结、金属半导体接触、双极型晶体管和MOSFET等几个基本器件的结构和理论，在此基础上引入了其他重要的半导体器件，如太阳能电池、LED、二极管激光器、CCD和 CMOS图像传感器、HEMT器件和存储器等。《现代集成电路半导体器件》可作为高等学校微电子专业本科生相应课程的教科书或参考书，也可供在相关领域工作的专业技术人员参考。

当今CMOS集成电路的特征尺寸已进入了纳米时代。本书全面介绍了纳米CMOS集成电路技术。包括纳米尺度下的器件物理、集成电路的制造工艺和设计方法；介绍了存储器、专用集成电路和片上系统；突出了漏电功耗问题和低功耗设计，讨论了工艺扰动和环境变化对集成电路可靠性和信号完整性的影响。书中还包括了有关纳米CMOS集成电路的测试、封装、成品率和失效分析，并在最后探讨了未来CMOS特征尺寸缩小的趋势和面临的挑战。 ??? 本书基于作者长期在Philips和NXPSemiconductors公司讲授CMOS集成电路内部课程时出版的三部专著的内容，并参考当今工业界进的水平对这些内容进行了全面修订和更新，这保证了本书内容与集成电路工业界的紧密联系。本书结构严谨，可读性强，书中附有大量的插图和照片，列出了许多有价值的参考文献，并提供了许多富有思考意义的练习题，因

本书全面系统地介绍了CMOS模拟IP线性集成电路的结构、相关分析及设计技术。全书共12章，主要包括CMOS模拟电路中基本的元器件模型及应用；高稳定的电压电流偏置结构，与温度、电源和工艺无关的电压带隙基准与电流基准设计，基本的组合增益与差分增益电路结构，以及针对实际应用需要的高速高增益、大驱动、宽动态与线性范围的集成运放电路设计；重点对多级闭环运放的频率响应与系统稳定性进行了深入系统的分析，总结出实现系统稳定与高速响应的各类频率补偿方法，研究了电路的本征噪声特性、电路结构与电源噪声有关的PSRR特性；最后，针对低压宽摆幅信号处理的应用，完成了一类轨至轨模拟运放的IP电路分析与设计。 本书是在结合作者多年模拟电路教学和实际工程开发经验的基础上编写而成的，经过多年微电子专业本科生、硕士研究生相关专业课

《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计，首先介绍双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的抽象模型，然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括：运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频率综合和时钟恢复等。《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》对模拟设计概念的描述将诉诸更加直观的方法而不是繁琐的公式推导。 《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》可以作为工科院校相关专业高年级本科生和研究生的参考用书，也可以供半导体和集成电路设计领域技术人员阅读。