本书是在研究生工作办公室的研究生教材《现代晶体化学——理论与方法》一书的基础上，与时俱进修改补充完善而成的。《BR》 全书共有十四章。系统介绍了晶体化学的形成和发展，晶体几何学理论，倒易点阵及晶体衍射方向，晶体化学基本原理，晶体生长与晶体合成，晶体结构缺陷，准晶体学基础，单质、氧化物及类似物的晶体化学，硅酸盐晶体化学，配合物晶体的设计与合成，几种新颖配合物的晶体化学，纳米材料晶体化学，晶体的X射线分析，晶体的显微分析等。内容安排符合教学要求，富有启发性，有利于学生素质、能力的培养和提高;理论论证科学，实践性也很强，及时、准确地反映了国内外的先进成果。

《基于弛豫铁电单晶PMN-PT的新型器件（英文版）》一书介绍了基于铌镁酸铅-钛酸铅晶体(PMN-PT)设计开发的原型器件，初步探索了铁电材料在信息技术领域的新应用。首先，利用PMN-26PT单晶作为介电层，单层二硫化钼作为沟道半导体构筑了一种光热调控型场效应晶体管,为FET器件提供了一种新的策略。其次，采用银纳米线作为透明顶电极，在PMN-28PT晶体上单片集成了能够覆盖紫外至太赫兹范围的超宽光谱探测器。最后，通过集成摩擦电纳米发电机和铁电FET设计了一种自驱动模块。

《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。

Treats phase transition theory and the analysis of phase transitions in terms of both Landau theory and fluctuation theory,with particular attention given to crystals and quasicrystals．Also included is an overview of color symmetry applications in phase transition theory． A separate chapter is devoted to martensite transitions and this includes an analysis of soliton solutions of nonlinear equations of elasticity．Revised and expanded translation from the Russian edition of 1984．

分子科学是化学的核心，是研究分子的结构和性质的科学，是创造新物质的科学，也是物质科学研究的核心和前沿之一。研究分子和物质的创造及其转化已成为化学科学本身面临的最根本的任务之一。 本书共分10章，介绍了目前分子科学前沿领域的研究动态。章概述分子科学的定义、发展历程、研究内容和领域，以及未来的发展方向和挑战等，第2～10章具体探讨了分子科学研究某一领域的研究概况和的进展，并且对该领域未来的发展进行了展望。 本书可供高等院校化学、材料、生命科学等专业高年级本科生、研究生，研究院所科研人员参考。

“结晶状态”是吉林大学材料科学系材料物理专业的一门硕士研究生课。自1978年余瑞璜教授建议开设此课迄今已愈20年。最初以Bragg w H和Bragg w L合著的The Crystalline State一书为课程的主要参考书，在逐年的讲授过程中，不断地补充了些新材料，逐渐形成了本书的基本内容，即本书是在多年授课笔记的基础上加以整理和补充而写成的。 全书共四章。章晶体结构的描述，介绍了晶体结构对称性理论，并较具体地说明了怎样使用版本（1983）的晶体学国际表；第二章论述了x．射线晶体结构分析的原理和方法；第三章介绍了晶体物理和晶体化学的理论基础。前三章概括了传统的“结晶状态”的内容；第四章是超出传统的晶体学范围的广义晶体学。共约需70学时。 本书适于具有理工科大学毕业或同样程度的研究生、材料科学工作者以及高校教师阅读。

多年以来，有很多探索研究已经成功地描述了晶体生长的生长工艺和科学，有许多文章、专著、会议文集和手册对这一领域的前沿成果做了综合评述。这些出版物反映了人们对体材料晶体和薄膜晶体的兴趣日益增长，这是由于它们的电子、光学、机械、微结构以及不同的科学和技术应用引起的。实际上，大部分半导体和光器件的现代成果，如果没有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶体的发展则是不可能的。这些文章致力于生长机制的基本理解、缺陷形成、生长工艺和生长系统的设计，因此数量是庞大的。本手册针对目前备受关注的体材料晶体和薄膜晶体的生长技术水平进行阐述。我们的目的是使读者了解经常使用的生长工艺、材料生产和缺陷产生的基本知识。为完成这一任务，我们精选了50多位科学家、学者和工程师，他们的合作者来自

阿卜杜勒-卡里姆·哈里发、阿里·阿迪比编著的《声子晶体的基本原理与应用(精)》的目的是从材料、装置和应用等角度为读者详尽地综述声子晶体领域的研究现状，并为准备介人这一领域的研究者们提供必要的研究工具。

《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。