本书对建筑物和供配电系统的防雷与接地技术进行了较为详细的介绍。全书可分为两个主要部分：部分防雷保护部分，即雷电的基本知识，雷电过电压的分类和防护设备，电力装置和建筑物的防雷保护；第二部分接地技术部分，即供配电系统电气设备的接地，信息系统的接地，智能建筑的防雷接地，接地电阻，接地网的设计、施工与实例，接地装置的运行维护。 本书可供从事电气设计、安装施工与技术开发工作的技术人员阅读，也可作为高等工科院校电气类相关专业学生的选修教材和参考书。
《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时，从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发，详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术；另外，还介绍了避雷器的维护检修方法、外产品的发展，并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。 《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读，也可作为有关电力专业的师生学习、参考。
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
本书从脉冲电流电路的基本设计原理、基本结构及主回路的设计出发，通过软件仿真、放电开关技术、测量技术，结合工程中所用的脉冲电流试验系统实例，详尽叙述了脉冲电流试验技术。同时介绍了国家标准和IEC有关标准。本书可作为高电压与绝缘技术专业的专业教学参考书，也可供相关专业的研究生和工程技术人员作为参考工具用书。
柔性直流输电技术在我国的工程化应用，对于提高我国电网安全稳定水平，建立经济、高效、先进的智能输配电系统都有重要意义。本书总结了我国柔性直流输、电技术方面的研究成果，汲取了国外柔性直流输电工程经验，对指导我国柔性直流工程的建设具有重大的参考价值。 本书共有9章，主要包括：绪论，电压源换流器的工作原理及调制方式，柔性直流输电系统特性，柔性直流输电系统控制，柔性直流输电系统的故障与保护，柔性直流输电系统谐波，柔性直流输电系统主要设备，柔性直流输电在风电场并网中的研究，柔性直流输电示范工程。此外，本书还对柔性直流输电中常见名词术语进行了解释，简单介绍了现有柔性直流输电工程的基本情况。 本书可供从事电力系统科研、规划、设计和运行的工程师使用，也可以作为高等院校相关专业的教师
本书是《电工人门问答丛书》之一，全书共12章，内容包括电力系统的基本知识、高压隔离开关与高压负荷开关、高压断路器、操动机构、高压熔断器、电力变压器与互感器、操作电源、继电保护装置、并联电容器和无功补偿、电力架空线路、电力电缆线路、变配电所的运行与管理等。附录中还给出了常用的电气图形符号和文字符号。书中介绍了电力系统的基本知识，并介绍了各种高压电器的基本结构、工作原理、使用与维护、常见故障及其排除方法，还介绍了架空线路和电缆线路的安装与维护等。本书密切结合实际，突出实用、图文并茂、深入浅出、通俗易懂，具有实用性强，易于迅速掌握和运用的特点。 本书可供工业企业电工及相关技术人员使用，可作为高等职业院校及专科学校相关专业师生的教学参考书，也可作为职工培训用书。
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
本书从脉冲电流电路的基本设计原理、基本结构及主回路的设计出发，通过软件仿真、放电开关技术、测量技术，结合工程中所用的脉冲电流试验系统实例，详尽叙述了脉冲电流试验技术。同时介绍了国家标准和IEC有关标准。本书可作为高电压与绝缘技术专业的专业教学参考书，也可供相关专业的研究生和工程技术人员作为参考工具用书。
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《高压放电与演示系统》是介绍高压技术中气体放电的基础理论和放电演示的书籍，内容包括：高压放电的基础理论，高压放电的演示。产生高压放电的电源装置，高电压技术中的安全等；在附录中还收录了球隙放电电压表。 20世纪末以来，我国的经济得到了空前的发展。在科教兴国的战略指导下，我国的科技教育事业日新月异，同时人们已经意识到，由于资源的有限性决定了竞争是不可避免的，而所有的竞争归根结底是人才的竞争，所以必须大力发展教育事业，提高教育水平。培养有理论水平，有的实践经验，有经济、法律常识等复合型人才给高等教育人才培养提出了新的挑战。现阶段有许多的大学都在争取成为世界大学，为国家培养世界人才努力奋斗。
《高压放电与演示系统》是介绍高压技术中气体放电的基础理论和放电演示的书籍，内容包括：高压放电的基础理论，高压放电的演示。产生高压放电的电源装置，高电压技术中的安全等；在附录中还收录了球隙放电电压表。 20世纪末以来，我国的经济得到了空前的发展。在科教兴国的战略指导下，我国的科技教育事业日新月异，同时人们已经意识到，由于资源的有限性决定了竞争是不可避免的，而所有的竞争归根结底是人才的竞争，所以必须大力发展教育事业，提高教育水平。培养有理论水平，有的实践经验，有经济、法律常识等复合型人才给高等教育人才培养提出了新的挑战。现阶段有许多的大学都在争取成为世界大学，为国家培养世界人才努力奋斗。
本书对建筑物和供配电系统的防雷与接地技术进行了较为详细的介绍。全书可分为两个主要部分：部分防雷保护部分，即雷电的基本知识，雷电过电压的分类和防护设备，电力装置和建筑物的防雷保护；第二部分接地技术部分，即供配电系统电气设备的接地，信息系统的接地，智能建筑的防雷接地，接地电阻，接地网的设计、施工与实例，接地装置的运行维护。 本书可供从事电气设计、安装施工与技术开发工作的技术人员阅读，也可作为高等工科院校电气类相关专业学生的选修教材和参考书。
本书详细介绍了高压断路器的基本工作原理、断路器操动机构和灭弧室的数学和仿真模型，介绍了灭弧室的电寿命模糊综合评判模型和基于数据融合的操动机构故障诊断方法，并介绍了基于FPGA和LabVIEW的高压断路器在线监测和故障诊断系统。? 本书可以供从事高压电器设计、研究、试验和故障诊断的工程技术人员学习参考，也可以作为电力相关研究方向研究生及本科生的参考书籍。
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
本书介绍高压开关柜（高压金属封闭开关设备）的发展概况和趋势、标准、各种国内外高压开关柜的结构特点，并重点叙述高压开关的发热技术、绝缘技术、内部电弧故障问题等，还有若干计算公式、例题、工程上常用的曲线、图表和数据。本书还介绍了高压开关柜的运行情况、事故分析、统计以及在线监测和故障诊断技术等。本书主要取材于以日本国为主的各国技术文献和资料以及国内和作者单位的一些经验。本书编写力求深入浅出，原理与实用并重。可供高压开关柜制造企业的设计、制造、试验及销售人员，以及发电厂、变电站、各类工业企业、高层大楼、各种大型场所等的高压开关柜运行、维修、试验技术人员使用，也可供有关研究院、所技术人员以及高等院校有关师生参考。
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时，从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发，详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术；另外，还介绍了避雷器的维护检修方法、外产品的发展，并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。 《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读，也可作为有关电力专业的师生学习、参考。
《电气设备及运行维护系列》主要从基础知识、原理、结构、相关标准要求及运行维护等方面对电气设备进行全面的介绍。本丛书内容是编者多年现场工作的经验与总结，实用性强。本书为《高压断路器分册》，共分4章，主要包括高压断路器基础知识、 SF6断路器、真空断路器、高压断路器的运行维护等内容。
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
本书详细介绍了高压断路器的基本工作原理、断路器操动机构和灭弧室的数学和仿真模型，介绍了灭弧室的电寿命模糊综合评判模型和基于数据融合的操动机构故障诊断方法，并介绍了基于FPGA和LabVIEW的高压断路器在线监测和故障诊断系统。? 本书可以供从事高压电器设计、研究、试验和故障诊断的工程技术人员学习参考，也可以作为电力相关研究方向研究生及本科生的参考书籍。
本书详细介绍了高压断路器的基本工作原理、断路器操动机构和灭弧室的数学和仿真模型，介绍了灭弧室的电寿命模糊综合评判模型和基于数据融合的操动机构故障诊断方法，并介绍了基于FPGA和LabVIEW的高压断路器在线监测和故障诊断系统。? 本书可以供从事高压电器设计、研究、试验和故障诊断的工程技术人员学习参考，也可以作为电力相关研究方向研究生及本科生的参考书籍。
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
