《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

LED因其高效节能环保等诸多优点成为照明领域的未来方向。《LED电源设计指南》讲述LED的各种实践知识，以及如何根据这些知识进行实际照明设计。书中内容共分为12章，将理论与实践结合，为读者提供LED电源设计的背景知识以及实战指南。

本书共包括15章：章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺；第9章详细介绍了刻蚀工艺；0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积（ALD）工艺过程；1章介绍了金属化工艺；2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺；3章介绍了工艺整合；4章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程；5章总结了本书和半导体工业未来的发展。

《透明氧化物半导体》重点阐述了已经得到广泛应用或具有重要应用前景的8种氧化物半导体的制备技术、晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质和气敏性质，既包含了作者近30年的研究成果，又反映了外透明氧化物半导体重要研究成果，既包含了早期透明氧化物半导体成熟理论，又反映了当前国际上透明氧化物半导体的成果，重点突出，内容系统、全面、新颖，具有重要的科学意义和应用价值。

半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件，和半导体激光器一样，是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器（EDFA）后来居上，在光纤通信中获得应用，但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章，前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6～8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放大器及

本书是一部享誉世界经典图书，作者Peter Y.Yu (于鑫) 是美国加州大学的教授, Manuel Cardona 是德国斯图加特马普所的教授, 他们长期从事半导体物理研究和教学工作, 是半导体领域科学家。 半导体科学是一本不断取得令人惊奇进展的一门科学, 是人类社会现代化赖以实现的基础学科。本书从实验和计算两个角度详细地介绍了半导体材料的电子、振动、输运和光学性质, 强调的是对硅及其它四面体结合的半导体材料基本物理性质的理解。该书自1995年推出, 2001年即更新到第3版.，书中包含大量的数据、图表和习题, 它既是半导体物理方面难得的教科书, 同时也是从事半导体研究和器件开发的研究者的参考书。本书叙述条理清楚，语言流畅，自写作开始作者就牢记兼顾学生和专业研究人员的需要, 阅读本书对读者来说是一种享受。

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括pi 二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容，《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时，作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家，作者斯蒂芬? 林德（Stefan Linder ）还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析，力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。

本书首先简要阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件内涵、特点、研究意义与靠前外发展现状，使读者对新型瞬态电真空半导体光电子器件有一个宏观和大致了解；接着对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析；然后重点论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计，并分别详细论述了电子光学系统，电子束泵浦系统，半导体有源层等多个分系统。每个分系统设计都包括基本原理、系统约束、关键技术及其分系统间优化设计与性能平衡，很后简要介绍三个典型的应用系统。

本书全面汇编了外电气和电子设备中所使用的晶体三极管及其模块的实用关键参数和带环型号，内容涉及2006年以前外三极管生产厂家的大部分晶体三极管（包括晶体三极管模块）的型号。全书共分三部分：部分介绍了该手册的查阅方法；第二部分介绍了晶体三极管的型号命名、使用和检测访求等基础知识；第三部分以表格的形式介绍了晶体三极管的型号（国别）、主要参数、构成材料和近似置换。本书内容全面、查阅简单、携带方便，使一班介绍晶体三极管及其模块关键参数和代换资料的工具书。 本书适合于电气和电子设备维修、设计、研究、生产、制作人员，电子器件销售人员及电子爱好者查阅。