本书是美国加州大学伯克利分校经典教材。本书分三部分：基本单元、电路设计和系统设计。在对MOS器件和连线的特性做了简要介绍之后，深入分析了反相器，并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路及存储器这些复杂数字电路与系统的设计中。本书以0.25微米CMOS工艺的实际电路为例，讨论了深亚微米器件效应、电路化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题，着重探讨了深亚微米数字集成电路设计面临的挑战和启示。 本书可作为高等院校电子科学与技术、电子与信息工程、计算机科学与技术等专业高年级本科生和研究生有关数字集成电路设计方面课程的教科书，也可作为从事这一领域的工程技术人员的参考书。

教材、手册的中文化可能是台湾地区近年来在发展科技诸般努力中最弱的一环，但也可能是使科技生根深化最重要的一环。适当的中文教材不仅能大幅提高学习效率，而且经由大家熟悉的文字更能传递理论的逻辑概念、关联脉络以及深层意义，勾画出思路发展，学习的效果更不可以道里计。“材料科学学会”体认到教材中文化的重要性，落实及扩大教学成效，规划出版一系列观念正确、内容丰富的中文教科书。 本书章将微电子材料与工艺作一概览，第二章介绍半导体基本理论。第三章至第十章为集成电路工艺各重要的问题:单晶成长、硅晶薄膜、蚀刻、光刻技术、离子注入、金属薄膜与工艺、氧化、介电层、电子封装技术基础教材，第十一章则为材料分析技术应用。各章邀请专家学者撰写或合撰，务求内容精到详实，兼顾理论与应用，深入浅出，希望不仅成为莘

《CMOS模拟集成电路设计(第二版) 》是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术及容易忽略的问题给出了详尽论述，阐述了分层设计的方法。全书共分十章，主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识，CMOS技术，器件模型及主要模拟电路的原理和设计，包括CMOS基本单元电路（MOS开关、MOS二极管、有源电阻，电流漏、电流源、电流镜、带隙基准源、基准电流源和电压源等），放大器，运算放大器，比较器，开关电容电路，D/A和A/D转换电路。《CMOS模拟集成电路设计(第二版) 》通过大量设计实例阐述设计原理，将理论与实践融为一体，同时还针对许多工业界人士的需求和问题进行了分析和解释。《CMOS模拟集成电路设计(第二版) 》不仅可以用做大专院校相关专业高年级本科生和研究生的