自1911年卡末林?昂内斯首次发现超导电以来，这一研究领域持续受到广泛关注，先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖，除了卡末林?昂内斯，还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗，超导电子学领域开拓者约瑟夫森，高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒，以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫，可见超导体研究不断出现突破性的进展，或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作，并对超导应用前景进行了展望，超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。
本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
nbsp nbsp《d-Wave Superconductivity（d波超导体）》以高温超导体为背景，主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质，作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果；强调物理图像的描述，对重要的理论结果都有比较完整的推导，反映了作者对高温超导前沿问题的理解，同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念，并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念，例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等，也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质，其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为，d波超导体准粒子的
金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点，被认为是新一代理想的半导体材料，制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上，本书系统地介绍金刚石本征缺陷与杂质缺陷的光致发光特性，并在此基础上构建缺陷结构模型，揭示光致变色机理。
格伦德曼所著《半导体物理学（第2版）》是一部分讲述半导体物理学的教材，为高年级本科生、研究生学习这门学科提供了大量丰富的材料，使得读者能够进入更深层次的学习和研究。一方面，这部教材是固态物理学和半导体物理之间的一个很好的平衡；另外一方面，是各种各样的半导体设备和它们在电子和光子设备中应用的很好展示。书中强调了半导体，如合金、异质结构、纳米结构等领域的实际应用方面，这些都是半导体物理学研究不可或缺，但又常常被忽略。
《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后，比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法，同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序，用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析，从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外，《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读，对该领域的研究生也会有所裨益。
本书作为大学基础化学实验课程教材，共分为化学实验基础知识、基础实验理论与基本技术、基础化学实验三大部分。书中内容涉及化学实验基础知识、基础实验理论与基本技术、基础操作实验、无机化合物性质与制备实验、化学物质定量分析实验、有机化合物的制备实验、基本物理量与物化参数测定实验以及附录。实验内容包括常量和半微量常规基础操作，同时涉及多步骤系列实验操作以及文献设计实验等。 本书可作为大学理科化学、应用化学、材料化学和生命科学各专业以及医科各专业低年级学生基础化学实验课程用书，也可供工科相关专业和师范院校相关专业参考和选用。
《超导电性：第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》较系统地介绍第二类超导体和弱连接超导体的性质、理论和应用。全书选材偏重于实用方面，对和实际应用有关的物理问题，书中尽可能阐述清楚；对目前距离实际应用还较远或没有关系的内容，则予以略去，或者只是简单地提及。具体内容为：理想第二类超导体，非理想第二类超导体，超导材料的临界电流密度和显微结构的关系，磁通跳跃，退化和稳定方法，交流损耗，弱连接超导体，伏安曲线的阶梯结构，电磁波的产生、混频和检测，超导量子干涉器等。 《超导电性：第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》可供从事超导电性应用和实验工作的科技工作者和大学物理系低温专业师生参考。
《超导体中的磁通钉扎》主要介绍了超导体中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的各种电磁现象,详细的论述了同临界电流密度相关的所有理论，也讨论了由于磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡流相位图像的影响，描述了另外一些参数对不可逆场的影响，例如超导体的各向异性、晶粒大小、电场强度等。本书也解释了接近理想状态的超导材料中交流损耗的减少主要来自于二维钉扎中起主导作用的可逆磁通运动。本书还涉及到以下方面：超导体中电流和磁场平行时同约瑟夫森效应相悖的现象；同临界态模型相悖的钉扎势中的可逆磁通运动现象；建立在临界态模型上的磁通钉扎中的小的能量损耗现象等等。本书可供广大涉及超导研究的科研人员参考，也可作为高等院校相关学科的选用教材。本书为中外物理学精品书系
本书是高等学校辐射化学专业、放射化学专业本科生或研究生的实验教材。 全书分上、下两册。本书为上册，上册由理论部分、实验部分和附录组成。理论部分共六章，内容涉及辐射源，辐射剂量学，水和水溶液、有机物、聚合物、生物相关物质的辐射化学。实验部分共22个实验。此外，还有相关的附录。下册将阐明研究辐射化学基本过程的近代实验方法及与辐射加工工艺和核工艺有关的实验方法，共六章，包括试剂的纯化和辐照样品准备；研究辐解产物分布的常用方法；短寿命中间产物的检测以及动力学研究；辐射化学胶束效应；典型辐射加工工艺举例；辐射化学在核工艺中的应用等。 本书也可作为从事辐射加工的工程技术人员、辐射防护人员、辐射源操作及管理人员的参考书。 本书上册由童天真审校，经放射化学与核化工教材委员会放射化学分教
本书是北京大学物理丛书中的《现代半导体物理》分册，全书共分十章，其内容包括半导体能带结构、有效质量理论、半导体的晶格振动等等，详尽地阐述了现代半导体物理。 本书内容全面，条理清晰，结构合理，讲解循序渐进，通俗易懂，具有较强的针对性及理论性，可供参考。
本教材涵盖了固体物理基础知识与半导体物理学两部分内容，全书由9章组成：第1、2章阐述了固体物理基础知识，包括晶体结构及其结合、振动、缺陷的相关理论；第3～8章系统阐述了半导体物理学基本理论，包括半导体晶体能带论、平衡载流子的统计分布、电传导特性、非平衡载流子、接触理论及表面与界面理论；第9章阐述了半导体光电效应。各章的引言部分介绍了本章主要内容、重点应掌握知识点，以及学习难点；章后附有习题。在附录中还介绍了为半导体物理学重点理论内容设置的5个实验指导。本教材思路清晰，物理概念突出，尽量避免繁杂的数学公式推导，易于读者理解和掌握。而且无须先修固体物理学课程就可以直接使用本教材学习半导体物理学知识。本书是理工科高等院校电子类专业的本科教材，也是“微电子学与固体电子学”学科的考研用书
本书分为两部分－－上篇化学实验基础知识；下篇实验部分。 上篇分为五章，系统讲述了化学技术的共性知识，如实验课的目的与要求、实验室用水、常用仪器与试剂、实验室安全、实验数据处理、化学实验基本操作、量测仪器与方法等。 下篇分为四个部分（4章），共编入了85个化学实验，包括：基本操作与基本技能训练实验、基本化学实验、综合实验和实验设计，其中综合实验与设计实验19个。书末附录中编入了有关计量单位的必要内容与重要的物理常数。 本书供大学工科化工类专业学生使用。
本书系统地、详细地阐述了办界元方法的理论、特点及应用。 可作为综合大学计算机物理、计算数学、工程技术等专业的本科生和研究生用书，亦可供有关专业的高校教师和科技工作者参考。
本书全面地论述了半导体物理的基础知识，内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级、载流子的统计分布、非平衡载流子及载流子的运动规律；讨论了p—n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题；介绍了半导体的光、热、磁、压阻等物理现象；后较全面地介绍了非晶态半导体的基本特性。 本书为高等学校工科电子类半导体器件与微电子学专业教材，亦可供从事半导体方面工作的技术人员阅读参考。
《半导体异质结物理》总结了国内外半导体异质结方面的研究成果，较系统地介绍了半导体异质结的基本物理原理和特性.《半导体异质结物理》共分10章，内容有半导体异质结材料特性、能带图、伏安特性、异质结晶体管、二维电子气及调制掺杂器件、异质结中非平衡载流子特性、半导体异质结激光器、半导体异质结的光电特性、氮化嫁异质结、超晶格和多量子阱。
本书在简要论述半导体材料基本电学和光学性质的基础上，剖析了近年来半导体器件向小型化发展的趋势，结合作者自身的工作，着重讨论器件的量子效应。对传统二极管、三极管等器件在纳米尺度上的特性以及新型量子器件都作了详尽的阐述。在全书的后一章，提供了关于量子器件的基本计算方法和程序。 本书可作为应用物理、电子学、材料专业领域内高年级本科生、研究生的教材，以及相关领域科研人员的参考读物。
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，共三部分（合计15章）。部分是基础物理，包括固体晶格结构、量子力学和固体物理；第二部分是半导体材料物理，主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象；第三部分是半导体器件物理，主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。
