本书讲述了功率半导体器件的基本原理，涵盖Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等；将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等，并详细介绍了测试标准、方法和原理，同步分析了测试设备和数据等；重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面，详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求，贴近工业实践，知识内容新颖，可为工业界以及高校提供前沿数据，为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书，也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。

《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术，覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺，以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外，还介绍一些相关的工艺设备。

宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容:包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微披光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子1里没、荧光光谱、紫外.可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和ιy等测试分析蜘忙。

半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件，和半导体激光器一样，是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器（EDFA）后来居上，在光纤通信中获得应用，但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章，前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6～8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放大器及

LED因其高效节能环保等诸多优点成为照明领域的未来方向。《LED电源设计指南》讲述LED的各种实践知识，以及如何根据这些知识进行实际照明设计。书中内容共分为12章，将理论与实践结合，为读者提供LED电源设计的背景知识以及实战指南。

全书分5章，内容包括现代电子学基础、半导体体特性、PN结、双极结型晶体管（BJT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等半导体器件电子学中最基本、最经典的内容。从电荷、电场开始，循序渐渐地讲解半导体体特性、器件理论，最后深入分析两类最基本的晶体管（BJT和MOSFET）并对其性能作比较，本书还特别强调SPICE分析方法。这些内容和讲述方法在同类书籍中并不多见。 本书在正式出版之间，作者已用它在美国明尼苏达大学电机工程系讲授多年。书中吸收了作者的教学经验及学生们的意见，内容精心安排，文字叙述简洁，公式推导准确易懂，图例说明清晰，并包含大量的习题解答，使本书非常适用于教学；每章后面的小结、复习要点与习题便于读者更好地理解、掌握有关的基本概念，并能将其灵活运用到工程实践中。

马德朗编著的《半导体数据手册(附光盘下)/Springer手册精选原版系列》内容涉及四面体键的化合物特性的实验数据，三、四、五、六族元素特性的实验数据，各族元素的二元化合物特性的实验数据，各族元素的三元化合物特性的实验数据以及硼，过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据等主要方面，以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂志和缺陷等。对于必要的背景知识和近期的发展均有较为完整和详细的阐述，适合不同层次的群体用于学习和研究。本册23章包括更多元素，更多二元化合物，更多三元化合物。

《半导体物理性能手册》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：结构特性；热学性质；弹性性质；声子与晶格振动性质；集体效应及相关性质；能带结构：能带隙；电子形变势等。本书为其第2卷的下册。

本书系统介绍了各种晶体管的工作原理、性能特点、主要参数和典型应用；同时将众多知识点梳理成表格形式，便于理解和记忆，易学易用，也突出了电子技术特色和工具书特点。全书内容分为7章，包括PN结、二极管、晶体三极管、晶闸管、场效应管、光电器件和特殊二极管。 全书立足于知识普及与技术创新，坚持器件与应用并重，知识与技术融合的原则，是极具参考价值的实用书籍。本书适合电子技术领域从业人员、爱好者、初学者阅读，是电子、计算机、自动化、测量类专业大、中专学生的读物，也是电子、自动化和电工工程师应对知识老化的好帮手。

本书结合外高效功率器件（以MOSFET和IGBT为主）的发展和应用技术，系统地讲解了半导体功率器件基础知识、高效功率器件驱动与保护电路、高效功率器件集成驱动电路、现代功率器件模块化技术、功率器件应用设计实例等内容。 本书内容新颖实用，文字通俗易懂，具有较高的实用价值，可供电信、信息、航天、军事、工控、电气传动及家电等领域从事功率器件应用设计的工程技术人员阅读，也可供高等院校相关专业的师生参考。

《LED 调光技术及应用》重点讲述了流行的ＬＥＤ调光调色产品相关知识，并列举了几个实际案例。全书共分6章，分别介绍了照明基础知识、ＬＥＤ 简介、ＬＥＤ 驱动基础知识，ＬＥＤ调光控制、常见控制通信方式，包括5个完整的实际应用实例。 《LED 调光技术及应用》内容由浅入深，以调光、调色为主线贯穿全书。各章节自成体系，读者不必按部就班从头到尾学习，可根据自己需要选择合适的章节直接学习、阅读。本书内容适合大专及以上学历工程师阅读，也可供大专院校相关专业师生参考。

《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章，47个专题，近300张图片（包括书末40余幅珍贵图片，既有的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备）。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展，重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学研究的贡献

本书共包括15章： 章概述了半导体制造工艺； 第2章介绍了基本的半导体工艺技术； 第3章介绍了半导体器件、 集成电路芯片， 以及早期的制造工艺技术； 第4章描述了晶体结构、 单晶硅晶圆生长， 以及硅外延技术； 第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论； 第8章讨论了离子注入工艺； 第9章详细介绍了刻蚀工艺； 0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺， 以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、 原子层沉积（ALD）工艺过程； 1章介绍了金属化工艺； 2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺； 3章介绍了工艺整合； 4章介绍了先进的CMOS、 DRAM和NAND闪存工艺流程； 5章总结了本书和半导体工业未来的发展。

本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。