本书是“现代学徒制教学标准”重量教学改革项目的建设成果。全书分为SMT物料基础、SMT物料的编码管理规则、SMT物料管理系统和MINI音箱物料管理实训，共计4章，前3章系统地讲述了各种物料的识别与检测、SMT物料管理编码管理规则和SMT物料管理系统，第4章为综合实训部分，完整地阐述了电子产品物料按照生产计划进行的物料采购、仓库管理、物料的领用等过程。

本书力图以通俗易懂的方式，介绍电力电子器件的原理与应用技术，重点介绍了PN结原理，二极管、功率场效应晶体管（MOS．FET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、晶闸管、集成门极换向晶闸管（IGCT）的原理、特性、保护、驱动等。根据现代电力电子器件发展的特点，本书还介绍了NPT、PT、Trench结构，逆阻型IGBT等器件概念和SiC二极管、CoolMOS、同步整流器等新技术，另外结合器件的特点，介绍了相应的典型功率变换电路。 本书可作为电力电子与电气传动专业及相关专业的工程技术人员和研究生的参考书，也可作为从事开关电源、变频器、逆变器、UPS等电力电子装置开发、设计工程技术人员的参考书。

本书以目前流行的多媒体软件和教材为背景，通过一些典型的上机操作实例，使读者在较短的时间内熟悉和掌握多媒体软件的使用。本书内容包括：声音文件的制作、播放以及不同格式的声音文件的转换；如何获得需要的图片、图像浏览软件的使用；图像处理软件Photoshop7.0的使用；网页上经常用到的二维动画的制作；视频文件的采集与编辑；在多媒体创作过程中经常用到的Authorware6.0的使用方法。 本书每章分多个实例，每个实例都是先给出运行结果，再给出与该实例有关的知识要点，然后是该实例的操作步骤，最后，操作技巧与注意事项给出相关的提示信息。每章后都配有习题，以加深对本章知识的理解与掌握。 本书可作为高等院校计算机及相关专业的多媒体技术上机实践课程的指导书，也可以作为自学指导参考书。

场效应晶体管是半导体器件的重要门类之一，由于它具有普通晶体三极管所没有的独特优异性能而得到广泛应用，即使在集成电路迅速发展的今天，仍具有广阔的应用前景，将继续拓宽在各种仪器设备、家用电器、电子计算机机及其它电子领域中应用。 随着改革开放的深入发展，我国直接进口、引进组装、开发生产的大量电子仪器设备和家用电器中，都应用着各种各样的场效应晶体管。从事以上各项工作的工程技术人员、维修人员及电子器材营销人员，都迫切需要一本内容准确、种类齐全、实用性强的场效应晶体管特性参数与代换手册。为此我们编写了本手册。

稳定受控的半导体制造工艺是实现芯片高可靠性水平的重要方法。本书从工序能力指数、统计过程控制和实验设计三个方面展开，详细讲述三种技术的常规理论和特殊应用方法和模型。内容包括常规工序能力指数，特殊工序能力指数，常规过程控制技术，特殊过程控制技术，实验设计及工艺表征以及系统健康管理概念。

本书主要讲述一些重要半导体器件的基本工作原理和特性，力求概念阐述清晰和理论联系实际，同时尽可能反映出器件发展的动向。由于纳米电子器件的飞速发展和未来潜在的重大作用，所以本书对此专门作为一个部分进行了简要的介绍。近年来，MEMS（微电子机械系统）器件的出现极大扩展了微电子学领域研究的范畴，本书中简要介绍了MEMS器件的主要特点和发展趋势，希望抛砖引玉，能够对MEMS器件的发展起到作用；另外，由于计算机用于半导体器件分析、模拟和设计的重要性，所以我们也专门对此有关的内容作了比较仔细的介绍。 本书可供研制微电子器件及其电路的科技人员参考，也可以供微电子本科生或研究生教学参考之用。

本书收集了外LED驱动芯片与典型应用电路相关资料，读者可直接参考并结合实际情况，进行相应的设计，以设计要求的LED电源驱动电路。本书可供从事LED技术研究与应用的工程技术人员参考使用。

《超高速光器件》是先进光电子技术丛书之4。书中简明扼要的介绍了各种超高速光器件。《超高速光器件》共9章，主要内容有：章概要介绍书中涉及到的各种超高速光器件；第2章 介绍有关半导体器件的基础内容，第3-5章介绍有代表性的半导体激光器；第6-8章则介绍超高速光调制器、超高速光开关和超高速光探测器；第9章叙述量子线、量子点和光子晶体等。 《超高速光器件》可作为高等院校相关专业的本科生及研究生教材，亦可供相关领域的研究人员、技术人员参考。

本标准按照GB／T l．1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC／TC 203)提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司。 本标准主要起草人：闫志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊。

本书共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是本书的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。

本书从LED芯片制作、LED封装和LED应用等方面介绍了LED的基本概念与相关技术，详细讲解了LED封装过程中和开发应用产品时应该注意的一些技术问题，并以引脚式LED封装为基础，进一步介绍了平面发光式、SMD、大功率LED的三种不同封装形式及其相应的产品在实际生产中的操作技术。本书还讨论了LED在不同领域的应用技术，以太阳能LED路灯的光伏系统为应用实例，分析了典型LED系统的应用技术。本书可作为光伏发电技术及应用专业、光电子专业、电子信息工程技术专业、节能工程专业等相关专业的教材，也可供相关专业技术人员参考使用，或作为 《LED封装技术与应用》从LED芯片制作、LED封装和LED应用等方面介绍了LED的基本概念与相关技术，详细讲解了LED封装过程中和开发应用产品时应该注意的一些技术问题，并以引脚式LED封装为基础，进一步介绍了平面发光式、SMD、大

本标准按照GB／T1．1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC／TC 203)提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究. 本标准主要起草人：闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。

本标准按GB／T 1．1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB／T 11490一1989《彩色显像管管基尺寸》。 本标准与GB／T 11490--1989相比主要变化如下： ——增加了第2章规范性引用文件； ——增加了第3章术语和定义； ． ——用3种类型管基外形尺寸图和具体尺寸标注示例代替了原标准的具体管基尺寸图，并对标注尺寸的名称进行了规定； ——增加了管基电极接线图示例； ——删除了第3章检验量规。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国电真空器件标准化技术委员会(SAC／TC 167)归口。 本标准起草单位：彩虹集团公司。 本标准主要起草人：黄宁歌、牛少梅、韩胜。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB／T 11490--1989。

为了指导全国LED道路照明灯具（以下简称 LED灯具 ）的推广应用，保证照明工程质量，制定本规范。 本规范适用于新建、扩建和改建的城市道路及与道路相连的特殊场所采用LED道路照明的设计、施工与验收、养护与检测。本标准的主要技术内容是：1总则；2术语；3产品技术要求；4工程技术要求；5施工与验收；6养护与检测。

本书从光的特性入手，详细介绍了半导体材料光电特性以及光、电相互作用机制和基本物理过程，重点阐述了半导体太阳能电池、光电导器件、光电二极管、光电耦合器件、CMOS图像传感器、发光二极管和半导体激光器等半导体光电子器件的工作机制、基本物理过程、基本性能曲线、关键参数及影响器件性能的因素等。 本书既可作为微电子、光电子及相关学科的硕士研究生、本科生的学习用书，又可作为半导体光电子器件研究、生产及应用开发技术人员的参考用书。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

《半导体芯片制造技术》全面系统地介绍了半导体芯片制造技术，内容包括半导体芯片制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀、掺杂及封装。书中简要介绍了半导体芯片制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多，《半导体芯片制造技术》以半导体硅材料芯片制造为主，兼顾化合物半导体材料芯片制造，比如在介绍薄膜制备工艺中，书中用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。 《半导体芯片制造技术》针对高职高专学生的特点，以“实用为主、够用为度”为原则，系统地介绍了半导体芯片制