本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以 Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以 Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。

全书共分十章，主要内容包括：绪论，晶体学基础，原子键合，晶体场理论及配位场理论，晶体成分，晶体结构，晶体化学基本定律，固溶体、相变及有关结构现象，晶体缺陷，晶体的物理性质等。针对材料学、矿物材料学、矿物学、岩石学、矿床学、宝石学、地球化学等学科的特点，本书仍以晶体化学内容为主，晶体物理部分重在基本概念和基本性质的介绍，略去晶体物理中的张量推导，因此有较强的针对性和实用性。

无机闪烁晶体经历了半个多世纪的发展，如今已经成为功能晶体材料中一颗璀璨的明珠。本书在广泛汲取国内外相关文献的基础上，结合作者所在单位过去四十多年所开展的相关研究工作，比较系统地总结了典型无机闪烁晶体材料的结构和性能特征、闪烁发光机理、晶体缺陷、晶体制备的关键技术以及商用无机闪烁晶体在辐射探测技术领域的应用情况。全书共 8章，第 1章和第 2章从闪烁发光的基本概念和基本原理入手，以简洁通俗的方式阐述闪烁晶体的发光过程、发光机理，以及闪烁性能的测试和表征方法。第 3～第 7章按照材料的化学成分分别对卤化物、锗酸铋、钨酸盐、硅酸盐和铝酸盐等五个类别中的典型闪烁晶体进行介绍，阐述其结构、性能、生长方法、生长缺陷，以及制备技术等。第 8章集中展示了闪烁材料在核物理、高能物理、核医学和安全检测等主要领

分子科学是化学的核心，是研究分子的结构和性质的科学，是创造新物质的科学，也是物质科学研究的核心和前沿之一。研究分子和物质的创造及其转化已成为化学科学本身面临的最根本的任务之一。本书共分10章，介绍了目前分子科学前沿领域的研究动态。章概述分子科学的定义、发展历程、研究内容和领域，以及未来的发展方向和挑战等，第2～10章具体探讨了分子科学研究某一领域的研究概况和的进展，并且对该领域未来的发展进行了展望。本书可供高等院校化学、材料、生命科学等专业高年级本科生、研究生，研究院所科研人员参考。

本书是高分辨电子显微学和图像处理方面的专著，共分三篇，篇介绍了运动学和动力学衍射理论、各类电子衍射花样、晶体对称性的会聚束电子衍射测定、晶体结构的衍射分析方法，以及基于动力学电子衍射的晶体结构因子测定；第二篇介绍了高分辨电子显微像的成像原理、像衬度及其近似理论、像的理论计算以及借助高分辨电子显微像测定晶体结构的模型法；第三篇简单介绍了高分辨电子显微像的各种图像处理方法，着重于高分辨电子显微学的求逆，包括从显微像求定出射波和从显微像直接求定晶体结构。其中电子晶体学图像处理技术及其在测定晶体结构和缺陷中的应用是第三篇的重点，亦是全书的重点。 本书可作为从事电子晶体学研究和显微图像处理技术方面的研究人员和高等院校师生的参考书。

本书从晶界与晶体塑性关系着手，基于原子尺度、纳观尺度、微观尺度、介观尺度和宏观尺度，系统介绍了晶界基本结构与晶体材料力学行为之间的关系，强调了晶界对于工程应用领域中的多晶体材料所具有的重要意义。本书共六章，章为晶界结构与缺陷，第2章为晶界变形的基本机制，第3章为冷变形晶界?，第4章为蠕变与高温塑性晶界动力学，第5章为晶间疲劳，第6章为晶间偏析与晶体材料的断裂。

本书系统地阐述了低老化率晶体振荡器、低噪声晶体振荡器、压控晶体振荡器、集成电路晶体振荡器、温度补偿晶体振荡器和MEMs振荡器的工作原理和设计方法。为了帮助读者能深入理解各种类型的振荡电路，书中对谐振器的性能、电噪声和低噪声电子电路、频率稳定度的表征等问题都作了较为详细的叙述。本书可供从事时间频率控制的工程技术人员、大专院校有关专业的教师和学生参考，也可作为压电技术、通信技术、仪器仪表、计量测试、导航雷达和航空航天等行业专业人员的参考书。

M.玻恩、黄昆合著的《晶格动力学理论》是一部享有世界声誉的名著，是固体物理领域的经典著作之一。原书英文版自1954年由牛津出版社出版后，至今仍继续出版发行。该书已被世界各国的列为有关学科研究生的参考书。《晶格动力学理论》系统、全面地阐述了晶格动力学的有关理论。全书共分两篇。篇为基本理论，内容包括原子力、晶格振动、弹性与稳定性等三章；第二篇为普遍理论，内容包括量子力学基础、长波法、自由能、光学效应等四章。书中给出了作者在这些领域多年的具有世界水平的研究成果。《晶格动力学理论》可供各类高等院校固体物理专业教师和研究生参考，也可供有关科技工作者参考。

液晶高分子是在液晶科学和高分子科学两个较新学科得到很大发展的基础上，从本世纪70年代迅速发展起来的，并得到学术界和工业界同时关注与重视。液晶高分子或者具有超过其它结构材料的力学性能，或可提供其它材料所不能比拟的其它物理性能。因此，短短十几年间已成功地实现了几大类液晶高分子产品的工业化，并获得巨额利润。另外，研究物质液晶态对于了解物质的结构以及与此相应的结构与性能的关系，从而使材料体现并充分发挥有用的特性也是至关重要的。

《晶体中的位错（重排本）》成书背景如下：位错理论在本世纪30年代发源于英国，成熟于40年代末，得到国际学术界广泛的重视。而我国由于受苏联学术界的影响，位错理论一时无法推广。直至1959年，钱临照才开始在物理研究所内写讲义，讲授和讨论这个国际公认的学说。随后，举行了两次全国性的晶体缺陷和金属强度的讨论会。钱临照和杨顺华合写了10万字的《晶体中位错理论基础》赴会报告，后集结成册出版，向那一代物理学工作者介绍了此领域的基本理论，对他们的科研与工作具有很大的指导意义。