《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件，和半导体激光器一样，是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器（EDFA）后来居上，在光纤通信中获得应用，但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章，前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6～8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放大器及

LED因其高效节能环保等诸多优点成为照明领域的未来方向。《LED电源设计指南》讲述LED的各种实践知识，以及如何根据这些知识进行实际照明设计。书中内容共分为12章，将理论与实践结合，为读者提供LED电源设计的背景知识以及实战指南。

本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。

本书重点介绍了新的ARM架构、指令集的总结、硬件特性以及调试系统的概览。本书还提供了一些程序示例，并且在其中讲解了使用GNU工具链与ARM工具的基本方法与步骤。主要内容包括：ARM架构的背景、Cortex?M3入门、操作模式、异常与中断、汇编语言基础、存储器系统、Cortex?M3上的汇编与C编程、开发流程、电源管理、多处理机通信、开发工具、调试、Keil RealView MDK使用入门等。随书附光盘1张，内含ARM Cortex?M3相关文章及Keil RealView MDK评估软件等。 本书适用于使用ARM Cortex?M3微控制器的研发人员作为技术、编程参考，也可作为Cortex?M3微控制器教学或培训用教材。

《真空镀膜原理与技术》阐述了真空镀膜的应用，真空镀膜过程中薄膜在基体表面生长过程；探讨了薄膜生长的影响因素；具体地介绍了真空镀膜的各种方法，包括真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀以及化学气相沉积的原理、特点、装置及应用技术等。力求避开烦琐的数学公式，尽量用简单的语言阐述物理过程。通俗易懂、简单易学。 《真空镀膜原理与技术》可作为高等学校相关专业的本科生，也可用作研究生或相关行业工程技术人员的参考书。

本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。 本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。