GB/T 302414齐纳二极管安全栅》分为两个部分： ——第1部分：通用技术条件； ——第2部分：性能评定方法。 本部分为GB/T 30241的第1部分。 本部分按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 请注意本部分的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由中国机械工业联合会提出。 本部分由全国工业过程测量和控制部分化技术委员会(SAC/TC 124)归口。 本部分起草单位：南京优倍电气有限公司、重庆宇通系统软件有限公司、国家防爆电气产品质量监督检验中心、福建上润精密仪器有限公司、深圳万讯自控股份有限公司、中山市东崎电气有限公司、北京远东仪表有限公司、重庆川仪自动化股份有限公司、西南大学。 本部分主要起草人：董健、韩绍盈、张刚、李宇波、岳周、冯伟、邹崇、戈剑、袁敏勋、
本标准修改采用SEMI MF 1982—1103《热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法》。本标准对SEMI MF 1982—1103格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMI MF 1982—1103章条对照一览表。并对SEMI MF 1982—1103条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。 本标准与SEMI MF 1389—0704相比，主要技术差异如下： ——去掉了“目的”、“关键词”； ——将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A。 本标准的附录A、附录B为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验
本书讨论以半导体激光器为光源的干涉理论及在几何量测量中的应用技术，全书共八章。以半导体激光器体积小，重量轻、输出光可调谐、易集成等优点为基础所形成的半导体激光干涉技术，为实现许多物理量的高精度、非接触、在线测量提供可能。本书作为半导体激光干涉理论及其应用技术的系统总结，详细介绍有关的理论基础、可能出现问题的具体解决方法，详细讨论了利用各种输出光调谐方式进行几何量干涉测量的理论及技术。 本书所讨论的内容基本上反映了近年来该领域的主要成就，涉及到了几何量测量的大部分内容，有广泛的适用性，可以作为从事精密仪器、光学仪器以及其他仪器仪表研究、应用的专业技术人员的参考书，对从事机械制造、航天航空、电子工业等领域的有关人员也一定会有较大的帮助。
本标准由中国轻工业联合会提出。 本标准由全国照明电器标准化技术委员会(SAC／TC 224)归口。 本标准起草单位：杭州能源工程技术有限公司、浙江省能源研究所、佛山市华全电气照明有限公司、绍兴晶彩光电技术有限公司、宁波大学。 本标准主要起草人：陈哲艮、朱萃汉、金步平、区志杨、谢炳高、柯柏权、汪鹏君。
本标准等同采用IEC 62088：2001《核仪器——闪烁探测器用光电二极管——试验方法》（Nuclear instrumentation-Photodiodes for scintillation detectors-Test procedures，英文第1版）。 为便于使用，本标准做了下列编辑性修改： ——删去IEC 62088：2001的前言和目次； ——调整了少数参量符号的上、下标，并用小数点符号“．”代替作为小数点的逗号“，”； ——在计算公式的参量说明中，用长破折号“——”代替“是”； ——第8章标题“一般要求——数据表”改为“供应商应提供的数据”，并在“工作温度范围Lmax-Lmin和贮存温度范围”一项后增加“工作湿度范围Hmax～Hmin和贮存湿度范围”以及“工作气压范围Pmax～Pmin和贮存气压范围”（在4.2中增加相应符号）。 本标准由中国核工业集团公司提出。 本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口。 本标准起
本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。
《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》较全面地介绍了半导体物理与测试分析的基础知识。主要内容包括：半导体的基本性质；半导体中杂质和缺陷能级，以及硅中位错和层错的观察；平衡态半导体中载流子的统计分布，杂质浓度及其分布的测量技术；载流子在外电场作用下的运动规律，以及霍尔系数和电导率的测量方法；非平衡载流子的运动规律及它们的产生和复合机制，少数载流子寿命的测量；pn结形成的工艺过程及其电学特性，pn结势垒电容的测量。 《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》可作为高等学校微电子学、电子科学与技术、应用物理等专业本科生的教材，也可供理工类相关专业的本科生、研究生及科技人员参考。
本标准代替GB/T 14141-1993《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）提出。
《LED及电子产品制作》主要介绍了一些简单实用的电路，共分为5章，其中第1章为新型光源LED电路及其他照明电路，第2章为节能电路，第3章为电源电路及充电器电路，第4章为报警器电路，第5章介绍了一些生活中有趣的实用小电路，附录中介绍了一些与《LED及电子产品制作》相关的电路基础知识。这本书适合广大青少年、电子爱好者阅读，也适合中小学科技实践选用及相关电子技术人员参考。
为适应LED照明技术推广应用的需要，快速提高广大照明设计人员的设计能力和设计效率，特编写此书。《LED照明与工程设计实例》共6章，内容包括LED技术的发展，LED路灯设计，LED太阳能庭院灯设计，LED日光灯设计，LED球泡灯设计，特殊场所LED照明应用。书中内容以设计为主，有详细的设计实例解析，同时也介绍了有关基础知识。 《LED照明与工程设计实例》可供照明设计人员和爱好者参考使用
本标准对应IEC 62504：2008《普通照明LED和LED模块术语和定义》（英文版）。本标准与IEC 62504：2008的一致性程序为非等效。 本标准由中国轻工业联合会提出。 本标准由全国照明电器标准化技术委员会（SAC/TC 224）归口。
《半导体器件物理与工艺(基存)》内容简介微电子学及其相关技术的迅速发展，现已成为整个信息时代的标志与基础。以半导体器件为核心的电子工业，已发展成为世界上规模*的工业。培养该专业及相关的专业人才相当重要。施敏教授所著《半导体器件物理与工艺（第二版）》的简体中文版自出版以来，被多所院校相关专业选为本科生和研究生教材，深受使用者的喜爱，得到使用院校极高的评价，现已四次重印。随着职业教育的发展，不少职业院校也开设了半导体、微电子技术、集成电路应用等专业。《半导体器件物理与工艺(基存)》就是在《半导体器件物理与工艺（第二版）》的基础上，为了适应职业教育的培养目标和职业院校学生实际知识水平而修订改编的。全书分为三个部分第1部分半导体物理，描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓
本标准按照GB／T 1．1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC／TC 203／SC 2)归口。 本标准起草单位：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。 本标准主要起草人：万跃鹏、唐骏、薛抗美、张群社、孙世龙、游达、朱华英、金虹、刘林艳、段育红。
《高等职业教育数控技术专业教学改革成果系列教材：电子技术基础与技能训练》根据五年高职机电、机械类专业电子技术课程的培养目标和教学要求而编写，主要内容包括：半导体的基本知识，半导体三极管及放大电路基础，集成运算放大电路，直流稳压电源，可控整流电路，数字逻辑电路，时序逻辑电，脉冲波形的产生和整形，数/模、模/数转换器。
本标准等同采用SEMI MF 1630-0704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法》。 本标准与SEMI MF l630—0704相比，主要有如下变化： ——用实际测量到的红外谱图代替SEMI MF 1630—0704标准中的图2、图3。 用实验得到的单一实验室测试精密度代替SEMI MF 1630—0704中给出的单一实验室测试精密度。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司。 本标准主要起草人：梁洪、过惠芬、吴道荣。
为了指导全国LED道路照明灯具（以下简称 LED灯具 ）的推广应用，保证照明工程质量，制定本规范。 本规范适用于新建、扩建和改建的城市道路及与道路相连的特殊场所采用LED道路照明的设计、施工与验收、养护与检测。本标准的主要技术内容是：1总则；2术语；3产品技术要求；4工程技术要求；5施工与验收；6养护与检测。
硅基纳米光电子技术是纳米半导体技术和半导体光电子技术领域中的一个新学科分支，旨在研究各种硅基纳米材料的制备方法、结构特性、光电性质、器件应用以及光电子集成等。作者结合自己的工作，对上述内容进行了介绍与评论。全书共分两部分：章至第六章主要介绍了硅基纳米薄膜、硅纳米线和硅基光子晶体等硅基纳米结构的制备方法与发光特性；第七章至第十章着重介绍了硅基光发射器件、硅基光波导器件和硅基光接收器件等硅基光电子器件的制作与集成。本书可供从事纳米半导体薄膜材料与纳米光电子器件研究的科技工作者参考，也可供高等院校电子科学与技术专业的教师、研究生和本科生阅读。
本标准按照GB／T l．1—2009给出的规则起草。 本标准由中国轻工业联合会提出。 本标准由全国照明电器标准化技术委员会(SAC／TC 224)归口。 本标准起草单位：北京半导体照明科技促进中心(国家半导体照明产业联盟)、国家电光源质量监督检验中心(北京)、杭州鼎盛科技仪器有限公司、苏州盟泰励宝光电有限公司、上海半导体照明工程技术研究中心、杭州远方光电信息股份有限公司、深圳市邦贝尔电子有限公司、东莞安尚崇光科技有限公司、杭州中为光电技术股份有限公司、东莞勤上光电股份有限公司、宁波晶科光电有限公司、浙江深度光电科技有限公司、杭州庄诚进出口有限公司、江苏舒适照明有限公司、杭州固态照明有限公司、北京电光源研究所。 本标准起草人：阮军、赵璐冰、华树明、张伟、侯民贤、张迎春、杨洁祥、潘建根、何琳、马
本标准按照GB／T1．1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC／TC 203)提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究. 本标准主要起草人：闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。
本标准等同采用ISO 15632：2002《半导体探测器X射线能谱仪通则》。 本标准的附录A、附录B为规范性附录。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会归口。
