本书结合近年来LED的技术发展趋势和工程应用实际，系统地介绍了LED的基础理论及其在景观照明、广告设计及室内外装饰工程等领域中的应用知识，并且对工程施工中的常见问题进行了比较详细的分析。全书分为基础理论篇、驱动电路篇、工程施工篇和资料篇，共13章。 本书题材新颖，内容丰富，图文并茂，注重实用性和资料性，可供从事LED产品开发、设计和应用的工程技术人员阅读，也适合电气工程技术人员、建筑工程技术人员和装饰工程技术人员阅读，还可供大中专院校相关专业师生阅读。
《光伏提水工程技术规范(SL540-2011)/中华人民共和国水利行业标准》适用于机组功率小于100Kw光伏提水工程的设计、安装施工、验收及管理。
为适应LED照明技术推广应用的需要，快速提高广大照明设计人员的设计能力和设计效率，特编写此书。《LED照明与工程设计实例》共6章，内容包括LED技术的发展，LED路灯设计，LED太阳能庭院灯设计，LED日光灯设计，LED球泡灯设计，特殊场所LED照明应用。书中内容以设计为主，有详细的设计实例解析，同时也介绍了有关基础知识。 《LED照明与工程设计实例》可供照明设计人员和爱好者参考使用
本标准的附录A和附录B为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准按GB／T 1．1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB／T 11490一1989《彩色显像管管基尺寸》。 本标准与GB／T 11490--1989相比主要变化如下： ——增加了第2章规范性引用文件； ——增加了第3章术语和定义； ． ——用3种类型管基外形尺寸图和具体尺寸标注示例代替了原标准的具体管基尺寸图，并对标注尺寸的名称进行了规定； ——增加了管基电极接线图示例； ——删除了第3章检验量规。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国电真空器件标准化技术委员会(SAC／TC 167)归口。 本标准起草单位：彩虹集团公司。 本标准主要起草人：黄宁歌、牛少梅、韩胜。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB／T 11490--1989。
本标准按照GB／T 1．1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC／TC 203／SC 2)归口。 本标准起草单位：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。 本标准主要起草人：万跃鹏、唐骏、薛抗美、张群社、孙世龙、游达、朱华英、金虹、刘林艳、段育红。
本标准按照GB／T1．1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC／TC 203)提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究. 本标准主要起草人：闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。
GB/T 302414齐纳二极管安全栅》分为两个部分： ——第1部分：通用技术条件； ——第2部分：性能评定方法。 本部分为GB/T 30241的第1部分。 本部分按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 请注意本部分的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由中国机械工业联合会提出。 本部分由全国工业过程测量和控制部分化技术委员会(SAC/TC 124)归口。 本部分起草单位：南京优倍电气有限公司、重庆宇通系统软件有限公司、国家防爆电气产品质量监督检验中心、福建上润精密仪器有限公司、深圳万讯自控股份有限公司、中山市东崎电气有限公司、北京远东仪表有限公司、重庆川仪自动化股份有限公司、西南大学。 本部分主要起草人：董健、韩绍盈、张刚、李宇波、岳周、冯伟、邹崇、戈剑、袁敏勋、
Donald A.Neamen教授的《电子电路分析与设计》（Electronic Circuit Analysis and Design）是英国知名大学广泛采用的教材。清华大学出版社曾于2000年引进本书第2版，受到了广大高校师生的欢迎。 现在推出的第3版，为了更好地适应高校双语教学的需要，根据电子技术类课程教学的特点，分成三册出版。册为《半导体器件及其基本应用》，包括原版书的～8章；第2册为《模拟电子技术》，包括原版书的第9～15章；第3册为《数字电子技术》，包括原版书的6和17章。 全书内容丰富，视野开阔，知识面宽，涵盖了我国高等院校模拟电子技术和数字电子技术课程大部分教学基本要求；各章结构合理、层次清楚、叙述详细、文字流畅，非常适于阅读；例题习题丰富，基本题、仿真题、提高题、设计题步步深入，教学目的层次分明。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本部分是《半导体器件分立器件》系列国家标准之一。下面列出本系列已有的和正在制定的国家标准： ——GB/T 4589.1-2006《半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范》； ——GB/T 12560-1999《半导体器件 分立器件分规范》； ——GB/T 17573-1998《半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则》； ——GB/T 4023-1997《半导体器件 分立器件和集成电路第2部分：整流二极管》； ——GB/T 6571-1995《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》； ——GB/T 20516-2006《半导体器件分立器件第4部分：微波器件》； ——GB/T 21039.1-2007《半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范》； ——GB/T 15291 1994《半导体器件 第6部分：晶闸管》； ——GB/T 4587 1994《半导体器件分立器件和集成电路第7部分
《半导体芯片制造技术》全面系统地介绍了半导体芯片制造技术，内容包括半导体芯片制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀、掺杂及封装。书中简要介绍了半导体芯片制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多，《半导体芯片制造技术》以半导体硅材料芯片制造为主，兼顾化合物半导体材料芯片制造，比如在介绍薄膜制备工艺中，书中用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。 《半导体芯片制造技术》针对高职高专学生的特点，以“实用为主、够用为度”为原则，系统地介绍了半导体芯片制
硅基纳米光电子技术是纳米半导体技术和半导体光电子技术领域中的一个新学科分支，旨在研究各种硅基纳米材料的制备方法、结构特性、光电性质、器件应用以及光电子集成等。作者结合自己的工作，对上述内容进行了介绍与评论。全书共分两部分：章至第六章主要介绍了硅基纳米薄膜、硅纳米线和硅基光子晶体等硅基纳米结构的制备方法与发光特性；第七章至第十章着重介绍了硅基光发射器件、硅基光波导器件和硅基光接收器件等硅基光电子器件的制作与集成。本书可供从事纳米半导体薄膜材料与纳米光电子器件研究的科技工作者参考，也可供高等院校电子科学与技术专业的教师、研究生和本科生阅读。
本标准修改采用SEMI MF 1982—1103《热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法》。本标准对SEMI MF 1982—1103格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMI MF 1982—1103章条对照一览表。并对SEMI MF 1982—1103条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。 本标准与SEMI MF 1389—0704相比，主要技术差异如下： ——去掉了“目的”、“关键词”； ——将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A。 本标准的附录A、附录B为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验
本标准代替GB/T 14141-1993《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）提出并归口。
本书讨论以半导体激光器为光源的干涉理论及在几何量测量中的应用技术，全书共八章。以半导体激光器体积小，重量轻、输出光可调谐、易集成等优点为基础所形成的半导体激光干涉技术，为实现许多物理量的高精度、非接触、在线测量提供可能。本书作为半导体激光干涉理论及其应用技术的系统总结，详细介绍有关的理论基础、可能出现问题的具体解决方法，详细讨论了利用各种输出光调谐方式进行几何量干涉测量的理论及技术。 本书所讨论的内容基本上反映了近年来该领域的主要成就，涉及到了几何量测量的大部分内容，有广泛的适用性，可以作为从事精密仪器、光学仪器以及其他仪器仪表研究、应用的专业技术人员的参考书，对从事机械制造、航天航空、电子工业等领域的有关人员也一定会有较大的帮助。
GB／T 30241((齐纳二极管安全栅》分为两个部分： 一一第1部分：通用技术条件； 一一第2部分：性能评定方法。 本部分为GB／T 30241的第2部分。 本部分按照GB／T1．1一2009给出的规则起草。 请注意本部分的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由中国机械工业联合会提出。 本部分由全国工业过程测量和控制部分化技术委员会(SAC／TC l24)归口。 本部分起草单位：南京优倍电气有限公司、重庆宇通系统软件有限公司、福建上润精密仪器有限公司、深圳万讯自控股份有限公司、中山市东崎电气有限公司、北京远东仪表有限公司、重庆川仪自动化股份有限公司、西南大学。 本部分主要起草人：董健、韩绍盈、岳周、张刚、李宇波、冯伟、邹崇、戈剑、袁敏勋、高海涛、周松明、王悦、吴辉华
