《太阳能光伏产业：半导体硅材料基础（第2版）》共分12章，较全面地讲述了有关硅材料的基本知识。内容包括硅材料的发展史与当前的市场状况；半导体材料的基本性质；晶体结构及其结构缺陷；能带理论的基本知识；pn结和金属半导体接触的特性；硅材料的制备；化合物半导体材料的基本特性及用途；硅材料的加工。重点讲述了制备高纯多晶硅的三氯氢硅氢还原法，制备硅单晶的直拉法和浇铸多晶硅的制备方法以及杂质在硅中的特性；砷化镓材料的特性和制取方法。《太阳能光伏产业：半导体硅材料基础（第2版）》易懂、实用，可作为本科和高职院校硅材料技术专业的教材和从事硅材料生产的技术工人的培训教材，也可供相关专业工程技术人员学习参考。
随着节能环保、低碳社会意识的普及和深入，LED照明技术的应用已活跃于商业和家居照明领域。本书围绕着LED照明工程设计与施工的技术主题，深入浅出地介绍了LED照明原理和LED照明器材，照明工程设计基础，照明配电、照明控制及智能化技术，室内、外照明工程的设计、施工和验收方法，并列举了典型照明工程设计案例，具有较强的现实指导意义。本书可供从事建筑、道路、景观等照明工程设计、施工、验收的工程技术人员阅读，也可供大专院校相关专业师生参考。
《半导体器件原理与技术》主要介绍半导体物理基础、二极管、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、无源器件、器件SPICE模型、半导体工艺技术、半导体工艺仿真、薄膜制备技术、半导体封装技术和半导体参数测试技术等微电子技术领域的基本内容？这些内容为进一步掌握新型半导体器件和集成电路分析、设计、制造、测试的基本理论和方法奠定了坚实的基础？《半导体器件原理与技术》可作为电子信息类电子科学与技术、微电子科学与工程、集成电路与集成系统、光电信息科学与工程、电子信息工程等专业的本科学生和相关研究生的专业课程教材？也可作为相近专业工程技术人员的自学和参考用书。
本书详细阐述了宽禁带功率半导体器件的发展现状、电热行为模型建模方法与模型参数提取优化算法、开通和关断过电压问题分析和抑制方法、串扰导通问题机理与抑制方法。通过LLC变换器展示了如何借助宽禁带器件电热行为模型完成功率变换器硬件优化设计和控制算法的仿真验证，并分析了平面磁集成矩阵变压器的优化设计方法，建立了LLC变换器小信号模型，提出并验证了基于LLC变换器小信号模型的输出电流纹波抑制方法。附录提供了基于Ansys Q3D的电路板寄生参数提取方法、宽禁带器件电热行为模型建模方法、遗传算法和列文伯格-麦夸尔特算法组成的复合优化算法实现、LLC变换器小信号模型建模方法，方便读者学习参考。 本书适合电力电子与电力传动专业研究生和电气工程及其自动化专业的高年级学生使用，也可供其他相关专业高校师生、工程技术人员
《半导体器件物理与工艺(基存)》内容简介微电子学及其相关技术的迅速发展，现已成为整个信息时代的标志与基础。以半导体器件为核心的电子工业，已发展成为世界上规模*的工业。培养该专业及相关的专业人才相当重要。施敏教授所著《半导体器件物理与工艺（第二版）》的简体中文版自出版以来，被多所院校相关专业选为本科生和研究生教材，深受使用者的喜爱，得到使用院校极高的评价，现已四次重印。随着职业教育的发展，不少职业院校也开设了半导体、微电子技术、集成电路应用等专业。《半导体器件物理与工艺(基存)》就是在《半导体器件物理与工艺（第二版）》的基础上，为了适应职业教育的培养目标和职业院校学生实际知识水平而修订改编的。全书分为三个部分第1部分半导体物理，描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓
本手册收集了线性IC的模拟功能IC部分，包括比较器、模拟量开关、多路转换器、V-F/F-V转换器、RMS-DC转换器、滤波器、模拟运算器等。
本标准由全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC／TC 203／SC2)归口。 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司。 本标准主要起草人：曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯。
本书介绍了硅材料的结构与性能、分类及应用、主要制备技术及工艺，重点对太阳能电池、探测器等硅基光电子器件的结构与原理做了阐述，在此基础上分析了新型广谱硅材料的特点、结构、光电性能、研究现状及其在光电子器件方面的应用。本书中作者围绕硫族元素超饱和掺杂硅材料的制备、结构、特性、超饱和硫掺杂硅探测器与太阳能电池的研制及性能等方面开展了系列研究工作，并在相关实验及研究成果的基础上，对新型广谱硅材料的相关后续研究提出了一些意见和建议。
俞建峰、储建平编写的《LED照明产品质量认证与检测方法》全面系统地介绍了LED照明产品的 外 标准和技术法规、LED生产质量工艺、LED驱动电源和散热设计等关键技术，给出了LED产品检测案例，分析了LED照明产品质量不合格的原因，具体内容包括 外LED照明概况及我国LED照明产业存在的问题、 外LED照明产品质量认证要求、LED照明产品电气安全检测、LED照明产品性能检测、电磁兼容检测、光生物安全检测、光度与色度检测、LED寿命试验、LED灯具散热设计分析、LED灯具驱动器设计分析、LED照明产品生产企业关键生产工艺质量监控。 本书适合从事LED照明产品研发设计、生产制造、质量检测和产品应用的工程技术人员阅读，也可供LED产品进出口 贸易人员、政府产品质量监管人员、认证与检测机构技术人员参考，还可作为高等院校光电、半导体专业学生的参考用书。
《LED驱动及其应用电路》介绍了新型常用LED驱动集成电路的特点、主要电气参数、封装外形与引脚 排列图、内电路结构、各引脚功能和应用电路等实用资料，读者可直接采用相关的LED应用电路，或在此 基础上结合实际应用进行改进，设计出自己所需的 LED照明电路。张庆双等编著的《LED驱动及其应用电路》适合 LED驱动电路开发设计人员、LED照明工程技术人员、LED初学者、电子技术爱好者以及职业院校相关专业 师生参考。
本书系统地介绍了高速CMOS数据转换器，即高速D/A转换器和高速A/D转换器设计所涉及的一些问题，包括体系结构、高层次模型、关键技术、电路实现、验证测试技术及低压设计技术等。对高速CMOS数据转换器的特性参数进行了介绍，并分析了各种高速CMOS数据转换器的结构，基于MATLAB平台建立了高速电流舵D/A转换器的高层次模型。本书还介绍了高速CMOS数据转换器设计的一些关键技术，并全面介绍了高速电流舵D/A转换器、折叠内差式A /D转换器和流水线A/D转换器的电路设计，还介绍了能用于低压高速CMOS数据转换器设计的低压CMOS模拟集成电路设计技术。 本书可作为微电子学、电子信息工程等专业高年级本科生和研究生学习混合信号集成电路设计的教材，也可供从事模拟/混合信号CMOS集成电路设计的工程师参考。
本书从LED的封装、LED的检测和LED的应用等方面介绍了LED的基本概念和相关技术。上篇为LED的封装与检测，注重基本内容的介绍和操作能力的培养，主要内容包括LED的基础知识、LED的封装工艺、LE
本教材的编写简化了深奥的理论论述，在对基本原理介绍的基础上注重对工艺过程、工艺参数的描述以及工艺参数测量方法的介绍，并在半导体制造的几大工艺技术章节中加入了工艺模拟的内容，弥补了实践课程由于昂贵的设备及过高的实践费用而无法进行实践教学的缺憾。在教材编写过程中，从半导体生产企业获得了大量的工艺设备、工艺过程及工艺参数方面的素材对教材进行了充实。 本教材根据目前集成电路的发展趋势，主要介绍了集成电路工艺的前端部分，即清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂和平坦化等几个主要工艺，具体每一道工艺中都详细讲述了工艺的基本原理、工艺的操作过程和工艺对应的设备，并加入了部分工艺模拟的操作，力求把当前比较新的工艺介绍给读者。 本教材主要供高等院校微电子相关专业的高年级本科生或大专
重庆市科委面上项目成果。主要以纳米半导体催化剂三氧化钨和氮化碳为例，研究了从材料合成到光催化性能测试等一系列的核心问题，主要包括三氧化钨网格结构的诱导合成；三氧化钨网格光催化活性的研究；氧化银三氧化钨异质结光催化亚甲基蓝的研究；三氧化钨网格负载Pt的制备及电催化性质研究；钒酸铜氮化碳异质结在可见光下的光催化固氮研究；纳米半导体催化剂在结构设计上的进展对光催化性能的促进作用。本书内容详实，层次分明，涵盖了半导体纳米材料的特性，纳米材料的合成方法，能带理论，光催化材料结构设计技术以及光电催化技术。本书兼顾了科学性和应用性，有利于组织教学和广大读者的自学，亦可供半导体物理、纳米材料光催化等领域的科研工作者和技术人员参考使用。
本书为高等学校电子信息类规划教材。主要内容为：电力半导体器件、半导体敏感器件、光子器件、半导体微波器件等四个方面。其中电力半导体器件主要包括大功率整流二极管、晶闸管、GTO及各种新型电力半导体器件；半导体敏感器件有温敏、力敏、磁敏、离子敏感器件以及湿敏、气敏器件，包括半导体陶瓷材料及Ge、Si、GaAs、InP等各种半导体材料构成的敏感器件；光子器件有光电器件、太阳能电池、发光器件及半导体激光器；微波器件则有各种微波二极管、微波双极晶体管和微波场效应晶体管，不仅有同质结器件，也有各种新型微波异质结器件，如Si/SiGe HBT、AlGaAs/GaAs HBT、HEMT、PHEMT及真空微电子器件等。几乎涵盖了半导体器件的各个领域。本书在论述这些器件的结构、类别、工作原理及特性参数的同时，也阐明了它们的应用范围，还列举了多种具体的应用范围及
本书收集了线性IC的放大器IC部分，包括低频电压放大器、低频功率放大器、差动测量放大器、宽带放大器、增益可变放大器等。
本书全面介绍半导体物理学的基本理论，以物理科学、材料科学与工程、电子技术的眼光全面审视半导体物理的发展过程和进展情况。本书内容包括半导体的晶体结构、常见半导体的能带结构、半导体中杂质和缺陷效应、载流子的统计计算方法、半导体导电特性、光电导效应、光伏效应、金属 半导体的接触特性、半导体同质PN结、半导体异质结构、MOS结构的特性及应用、半导体发光特性、半导体量子限域效应、半导体磁效应、半导体隧穿效应等，以及建立在此基础之上的各种半导体器件的原理和应用问题。本书可作为高等院校电子信息类本科专业的半导体物理课程教材，也可供相关科技人员参考.
