本书讲述了功率半导体器件的基本原理,涵盖Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等;将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等,并详细介绍了测试标准、方法和原理,同步分析了测试设备和数据等;重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面,详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求,贴近工业实践,知识内容新颖,可为工业界以及高校提供前沿数据,为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书,也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。
半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节,其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定,并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析,以及工艺的最终认定,是一本实用的、全面的指南,提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读,也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面,而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书全面、深入、系统地阐述了LED驱动电源设计的入门知识,并给出许多典型设计与应用实例。较之于*版,本书在内容上做了全面的修改与补充。全书共八章,内容主要包括LED及其驱动电源基础知识,LED驱动电源的基本原理,LED驱动电源的设计与应用指南,LED灯具保护电路的设计,从中、小功率到大功率及特大功率LED驱动IC的原理与应用。本书遵循先易后难、化整为零、突出重点和难点的原则,从LED驱动电源的基本原理,到LED驱动电源各单元电路的设计,再到整机电路设计,可帮助读者快速、全面、系统地掌握LED驱动电源的设计方法、设计要点及典型应用。
在半导体芯片被广泛关注的当下,本书旨在为广大读者提供一本通俗易懂和全面了解半导体芯片原理、设计、制造工艺的学习参考书。 《极简图解半导体技术基本原理(原书第3版)》以图解的形式,简单明了地介绍了什么是半导体以及半导体的物理特性,什么是IC、ISI以及其类型、工作原理和应用领域。在此基础上详细介绍了ISI的开发与设计、ISI制造的前端工程、ISI制造的后端工程以使读者全面了解集成电路芯片的设计技术、制造工艺和测试、封装技术。最后,介绍了代表性半导体元件以及半导体工艺的发展极限。 本书面向电子技术,特别是半导体技术领域的工程技术人员、大专院校的学生,作为专业技术学习资料,同时也可作为广大科技爱好者了解半导体技术的科普读物。通过本书的阅读,读者可以快速了解半导体集成电路芯片技术的全貌,同时在理论上对其
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果,如SiC,GaN器件,以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人
半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石,而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量,因此,半导体材料性能和结构的测试和分析,是半导体材料研究和开发的重要方面。本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术,涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容:包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微披光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子1里没、荧光光谱、紫外.可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和ιy等测试分析蜘忙。
本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始,通过讨论激光器的基础理论,转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节,此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用,也适用于高年级本科生或研究生,作为主修的半导体激光器的课程,亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。
本书将半导体技术60多年的发展史浓缩在有限的篇幅里,通过简明扼要的语言为我们讲述关于芯片的那些事儿。本书主要围绕 史前文明 电子管时代、 新石器时代 晶体管时代、 战国时代 中小规模集成电路时代、 大一统秦朝 大规模和超大规模集成电路时代、 大唐盛世 特大规模和巨大规模集成电路时代、 走进新时代 移动互联时代、 拥抱未来 半导体科技的展望,对半导体领域涉及的技术发展情况、关键的人和事件等进行了描述,对未来的产业发展进行了展望,为我们勾勒了一幅半导体技术也是人类社会发展的蓝图。不管你是芯片行业的从业人员,还是对芯片产业感兴趣的人,抑或是对科技、对历史感兴趣,本书都非常适合你闲暇之时拿来阅读,从中了解信息社会的发展情况与未来趋势,相信定会有所收获。
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质,不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性,而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系,在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件,从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。
本书针对半导体激光器,强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括:光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。
以GaN为衬底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物(包括AlN、GaN、InN及相关合金)是极为重要的宽禁带半导体材料,这类氮化物材料和器件的发展十分迅速。本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料及器件进行介绍,并系统地讲解了目前广泛应用的氮化物光电器件与氮化物电力电子器件,使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区别。全书共8章,包括绪论、氮化物材料基本特性及外延生长技术、新型氮化物异质结的设计及制备、氮化物材料的测试表征技术、氮化物蓝光LED材料与器件、氮化物紫外和深紫外LED材料与器件、氮化镓基二极管、氮化镓基三极管。 本书可作为微电子器件领域本科生和研究生的入门参考资料,也可供相关领域的科研和研发人员参考。
本书是本着突出近代真空镀膜技术进步,注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章,内容包涵了真空镀膜中物理基础,各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求,各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控,真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用,亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。
光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生?传输?控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料?异质结构和能带?辐射复合发光和光吸收?光波传输模式;超晶格和量子阱?发光管?激光器?探测器?光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体?光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念?光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.
本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术,覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺,以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外,还介绍一些相关的工艺设备。
中国战略性新兴产业 新材料 丛书是中国材料研究学会组织编写的,被新闻出版广电总局批准为 十二五 国家重点出版物出版规划项目,并获2016年度国家出版基金资助。丛书共16分册,涵盖了新型功能材料、高性能结构材料、高性能纤维复合材料等16种重点发展材料。本分册为《第三代半导体材料》。本书主要论述了Ⅲ族氮化物半导体材料、SiC半导体材料、宽禁带氧化物半导体材料、金刚石材料的基本理论、制备技术、相关电子器件及其发展现状和趋势,半导体照明的现状、发展趋势、竞争格局,并论述了我国第三代半导体材料产业的战略意义及发展战略。本书可供新材料科研院所、高等院校、新材料产业界、政府相关部门、新材料中介咨询机构等领域的人员参考,也可作为高等院校相关专业的大学生、研究生的教材或参考书。
《稀土在半导体光催化材料中的应用》总结了作者近年来关于轻稀土在半导体光催化材料应用方面的研究工作,同时对近年来国内外在二氧化钛光催化及稀土在光催化材料中的应用研究现状进行了综述。全书内容共8 章,分别介绍了稀土掺杂、稀土-稀土共掺杂、稀土-非金属共掺杂对光催化材料 二氧化钛结构及性能的影响规律、工艺条件调控,进一步研究了材料的性能提高机制、粉末型光催化材料的回收再利用等。本书可供科研院所材料科学与工程、冶金工程、化学类专业等相关领域的科研工作者和工程技术人员以及高等院校相关专业师生参考。
模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点,揭示激光模式结构与波导结构的内在联系,从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性,因而量子场论和经典场论基本上导出相同的结果,因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的**激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。本书是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上,作了修订和大量补充完备,以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的**进展。全书论述既重基础又涉及前沿,既重物理概念又重推导编程演算。《BR》本书适合有关专业的大学高年级学生、研究生、研究人员和教师作为专业教材、参考书或自修提高的读物。
模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点,揭示激光模式结构与波导结构的内在联系,从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性,量子场论和经典场论基本上导出相同的结果,因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的**激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。本书是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上,作了修订和大量补充完备,以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的**进展。全书论述既重基础又涉及前沿,既重物理概念又重推导编程演算。
本书是由四十余位知名青年学者撰写而成的。全书共分16章,重点介绍光纤光学技术的进展,其中包括微纳光纤、光纤光源、光纤传感及其应用、光纤信息处理、光纤通信系统与接入网、光纤微波光子技术、光纤保密通信技术等方面的新技术和新应用,并对相关技术进行了较为全面的分析和比较。本书着重突出前沿性,书中很多内容是作者近年来所发展的新概念和新技术,例如波长编码技术、光跳频编码保密通信技术等,部分内容属于首次公开发表。 本书适合从事光纤通信、传感、微波光电子学教学与研究的科技工作者、工程技术人员、研究生和高年级本科生阅读和参考。
本书是作者多年从事电子工艺工作的经验总结。全书分上、下两篇。上篇( ~6章)汇集了表面组装技术的54项核心工艺,从工程应用角度,全面、系统地对其应用原理进行了解析和说明,对深刻理解SMT的工艺原理、指导实际生产、处理生产现场问题有很大的帮助;下篇(第7~14章)精选了127个典型的组装失效现象或案例,较全面地展示了实际生产中遇到的各种工艺问题,包括由工艺、设计、元器件、PCB、操作、环境等因素引起的工艺问题,对处理现场生产问题、提高组装的可靠性具有 现实的指导作用。本书编写形式新颖,直接切入主题,重点突出,是一本 有价值的工具书,适合有一年以上实际工作经验的电子装联工程师使用,也可作为大学本科、高职院校电子装联专业师生的参考书。
本书是作者长期从事胶体量子点研究成果的总结,同时汲取了近几年相关领域主要的**研究报道。主要内容包括:胶体量子点的激子结构和多激子效应,量子点中激子与声子的相互作用。胶体量子点的主要特性,如光学特性、电学特性、温度特性等;详细描述胶体量子点的合成和表征方法,以及典型胶体量子点(如Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、掺杂量子点等)的合成工艺和主要性能;还以较大篇幅展示胶体量子点在光电子器件和生命科学中的应用,如量子点LED、量子点太阳电池、量子点激光器、量子点掺杂光纤和光纤放大器、量子点在生命科学和医学中的应用等。
本书分三章,章详细讨论半导体异质结构的注入(激发)及其电流机制、能带图表述、并着重探讨与新近垂直腔面发射激光器的发展密切相关的多层同型异质结理论。同时也为速率方程理论的建立提供坚实的物理和理论背景,并打好编程计算的基础。第二章建立为光子与电子相互作用作微观唯象表述的速率方程组、详细探讨光限制因子的全量子理论、并讨论电子和光子相互作用动平衡静态解,如阈值及其无阈值微腔效应、光功率-电流特性、端面返射、激光模式及其出射光束结构、模式竞争和转换等静态现象。第三章则将深入探讨半导体激光器包括激射延迟、激光过冲、和张弛振荡三个基本过程的瞬态行为、小信号的电流、光流、和微波加热三种调制方式及其调制带宽的理论、控制、和设计。大信号简谐调制及其调制带宽、脉码调制及其眼图的行为、不稳定和双稳态现