《光学光刻和极紫外光刻》是一本的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。

当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了国际集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在国际上发挥更加重要作用提供战略性的参考和指导意见。

《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。

本书从天线远场测量和近场测量两个方面介绍了天线测量的基本方法、测量仪器设备、系统设计、场地选择等，此外还介绍了天线主要参数的测量方法、步骤与技巧。各章内容配有具体的操作方法，可以指导相关人员完成实际工程任务。 本书可供从事天线研究、生产的工程技术人员参考使用，同时还可以作为高等院校天线工程专业师生的参考书。

本书以当前半导体电子产业所出现的技术革命为背景，针对柔性电子技术在信息、能源、医疗、国防等重要领域的应用需求，简要介绍柔性电子技术的概念、发展历程和重要应用方向，系统介绍柔性电子器件设计方法、柔性电子功能材料、柔性电子关键制备技术、柔性固体器件、柔性集成电路及系统和柔性电子检测技术与可靠性分析等所面临的机遇与挑战，并对柔性电子的发展前景进行展望。

本书对基本的电气和电子概念、工程电路及应用、故障排查进行了全面而实用的阐述，分为直流电路、交流电路和元器件三个部分。本书提供大量的工程电路应用实例，电路测试、调试与计算机仿真贯穿始终，步骤详细的例题、形式多样的练习便于读者自学。众多技术和安全小贴士等加强了理论与实践的联系，并帮助读者加强工程思维并学以致用。本书是第9版，对部分内容进行了更新和修订，以满足当前的行业标准，包括电池技术和可再生能源等主题。

以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、关西学院大学知名教授大谷昇、京都大学实力派教授木本恒畅和企业实力代表罗姆株式会社的中村孝先生为各技术领域的牵头，集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表，在各自的研究领域结合各自多年的实际经验，撰写了这本囊括碳化硅全产业链的技术焦点，以技术为主导、以应用为目的的实用型专业指导书。书中从理论面到技术面层次分明、清晰易懂地展开观点论述，内容覆盖碳化硅材料和器件从制造到应用的全产业链，不仅表述了碳化硅各环节的科学原理，还介绍了各种相关的工艺技术。 本书对推动我国碳化硅半导体领域的学术研究和产业发展具有积极意义，适合功率半导体器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读，也可作为相关专业高年级学生的理想选修教材。

本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。

本书将完全按照深入浅出的思路，以任务为导向，加以精准的理论说明，*终以任务实现的完整过程对SIMATIC WinCC V7.4进行全面的介绍。 针对任务,将 WinCC 中相关的功能进行了详细的理论说明，使读者够充分地了解 WinCC 的工作机制及原理。通过相关的理论说明及介绍，使读者能够掌握相关知识并结合自身想法去实现任务。在每个章节的*后部分，以Step-by-Step的方式，将任务实现的过程清晰地呈现给读者以达到浅出效果。 在本书中，还会以条目ID的方式嵌入基于西门子官方总结出的用户常问问题并提供官方相关FAQ链接。 本书可以使工控行业用户中的新手快速入门。也可以使具有相关 WinCC 使用经验的工程师借鉴及参考，以提高使用水平。也可用作大专院校相关专业师生的学习资料。

Sigma-Delta模/数转换器作为CMOS模/数转换器中*为经典的设计技术，自1962年面世以来，在高分辨率、低带宽的传感器接口电路、仪器仪表测量以及数字音频等系统中得到了广泛应用。Sigma-Delta模/数转换器有效结合了过采样和噪声整形技术，利用频率远高于奈奎斯特采样频率的时钟对输入信号进行采样，实现了极高的输出分辨率。 本书分10章详细讨论了Sigma-Delta模/数转换器的基本原理、基础结构、非理想误差和自顶向下（自底向上）的综合分析方法；并在此基础上，结合设计实例和SIMSIDES仿真工具，对Sigma-Delta模/数转换器的电路级、物理级设计进行了详尽的分析；*后介绍了近年来Sigma-Delta模/数转换器的发展趋势以及面临的挑战。 本书可作为高等学校微电子学与固体电子学、集成电路设计、电子信息工程等专业高年级本科生和研究生的相关教材，也可以作为半导体相关领

《微电子引线键合（原书第3版）》翻译自乔治哈曼（George Harman）教授的著作Wire Bonding in Microelectronics（3rd Edition），系统总结了过去70年引线键合技术的发展脉络和*新成果，并对未来的发展趋势做出了展望。主要内容包括：超声键合系统与技术、键合引线的冶金学特性、引线键合测试方法、引线键合金属界面反应、键合焊盘镀层及键合可靠性、清洗、引线键合中的力学问题等，*后讨论了先进引线键合技术、铜/低介电常数器件—键合与封装、引线键合工艺建模与仿真。 本书适合从事微电子芯片封装技术以及专业从事引线键合技术研究的工程师、科研人员和技术人员阅读，也可作为高等院校微电子封装工程专业的高年级本科生、研究生和教师的教材和参考书。

SIMATIC S7-1500 PLC自动化系统通过集成大量的新功能和新特性，具有卓越的性能和出色的可用性。借助于西门子新一代框架结构的TIA博途软件，可在同一开发环境下组态开发PLC、人机界面和驱动系统等。统一的数据库使各个系统之间轻松、快速地进行互连互通，真正达到了控制系统的全集成自动化。 本书以TIA博途软件V15.1为基础，介绍了更新的硬件模块和新增可选软件的功能和应用，例如PLC SIM Advance仿真器的使用和编程接口、团队编程和调试功能、SiVarc自动生成HMI画面功能和ProDiag带有程序显示的报警功能，使工程项目的开发和调试更加方便和快捷。 本书还介绍了FB、FC的应用，新指针与原有SIMATIC S7-300/400 PLC指针应用的对比及优势，基于Web的诊断方式等。 对读者关心的程序标准化问题以及将SIMATIC S7-300/400 PLC程序移植到SIMATIC S7-1500 PLC中容易遇到的问题做了详细的分析，

本书聚焦于数字片上系统(SoC)设计领域，从数字集成电路的发展历程与基础知识入手，首先介绍了硬件描述语言Verilog HDL的设计规则和核心EDA工具VIVADO与Design Compiler的使用方法，随后详细讨论了数字SoC设计、验证过程中的关键技术，并对难点问题进行了归纳和总结。此外，本书提供了多个数字SoC设计、验证的实际案例，循序渐进地向读者展示了数字SoC从规划、设计、仿真、验证再到综合实现的全流程。 本书内容由浅入深，能使读者深刻了解数字SoC设计过程和基本方法，既适合作为微电子与集成电路专业的高年级本科生及从事数字SoC领域研究的研究生的教材，又可为从事相关技术的初期从业人员提供技术参考。

本书对特征模法相关的参数进行了详细的介绍，包括特征值、模式重要性、特征角、Q值、特征场等，对于相关参数在各种天线中的**应用方法进行了阐述。此外，本书从能量的观点和电路的观点分别阐述了特征模式的耦合，也对模式的Q值进行了深入的探讨。本书不仅介绍了经典的特征模理论指导天线设计的方法，还对各应用领域相关的前沿内容进行了阐述、梳理和展望，对特征模法的后续发展有一定的启发意义。

本系列图书共分3册：《新概念模拟电路（上） 晶体管、运放和负反馈》《新概念模拟电路（中） 频率特性和滤波器》《新概念模拟电路（下） 信号处理和源电路》。《新概念模拟电路》系列图书在读者具备电路基本知识的基础上，以模拟电路应用为目标，详细讲解了基本放大电路、滤波器、信号处理电路、信号源和电源电路等内容，包括基础理论分析、应用设计举例和大量的仿真实例。 本系列图书大致可分为6个部分：第1部分介绍晶体管放大的基本原理，并对晶体管电路进行细致分析；第2部分为晶体管提高内容；第3部分以运算放大器和负反馈为主线，介绍大量以运算放大器为核心的常用电路；第4部分为运算放大电路的频率特性和滤波器，包括无源滤波器和有源滤波器；第5部分为信号处理电路；第6部分为源电路，包括信号源和电源。本书涵盖第5～6部分内容，

本书参照作者出版的3G、4G畅销书，为读者理解5G NR无线接入网技术提供了一个全新的视角。本书除了介绍5G技术发展背景、市场需求、频谱分配和标准化时间表，以及5G NR R15 RAN的各项技术特点，内容还涵盖了NR物理层结构、高层协议、射频和频谱实现，以及NR与LTE共存和互通。本书不仅详解NR技术各个组成部分的基本知识，还为读者揭示了为什么选择了某个技术解决方案的成因。本书第二版全新阐述了5G NR在2020年冻结并发布的R16版RAN技术细节，更新一些全新的章节和内容，包括未授权频谱中的NR、Rel-16中的NR-U、IAB、Rel-16中的V2X和端到端直连、工业物联网、针对PDCCH的URLLC增强的工业物联网，以及RIM/CL和定位的URLLC增强。还包括NR相关的关键技术要求、设计原则、基本NR传输结构的技术特征（显示它是从LTE继承的，从哪里偏离的）和NR多天线传输功能的原因，详细描述初始N

集成电路已进入纳米世代，为了应对集成电路持续缩小面临的挑战，鳍式场效应晶体管（FinFET）应运而生，它是继续缩小和制造集成电路的有效替代方案。《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》讲解FinFET器件电子学，介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。 《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型。 《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》内容详实，器件物理概念清晰，数学推导详尽严谨。《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》

本书为引进译著。作者全面梳理并总结了其团队在光学制造方面的研究结果。全书包括两大部分：第Ⅰ部分基本相互作用 材料科学，从摩擦学、流体动力学、固体力学、断裂力学、电化学等光学制造的基础理论出发，系统分析了从宏观到微观的材料去除过程，定量描述了光学制造中不同工艺参数与光学元件性能之间的关系。第Ⅱ部分应用 材料技术，详细叙述了工程应用的光学制造，汇总了现代光学制造中缺陷的检测和评价方法，剖析了多方面工艺优化的可行性，说明了各类新的抛光技术；针对高能激光系统要求的高损伤阈值光学元件，书末还给出了高能激光元件制作的关键工艺实例。 本书既是光学制造理论的梳理，也是现代光学制造技术与应用的汇总，涵盖了从光学制造工艺到光学元件性能评价等多方面的理论与实践，是一部兼具理论、方法和实际应用价值的

本书为学术界和工业界的研究生和专业人士提供了全面的参考指南，内容涉及三维微电子封装的基本原理、技术体系、工艺细节及其应用。本书向读者展示了有关该行业的技术趋势，使读者能深入了解*新的研究与开发成果，包括TSV、芯片工艺、微凸点、直接键合、先进材料等，同时还包括了三维微电子封装的质量、可靠性、故障隔离，以及失效分析等内容。书中使用了大量的图表和精心制作的示意图，可以帮助读者快速理解专业技术信息。读者通过本书将全面地获得三维封装技术以及相关的质量、可靠性、失效机理等知识。此外，本书还对三维封装技术尚在发展中的领域和存在的差距做了介绍，为未来的研究开发工作带来有益的启发。 本书适合从事集成电路芯片封装技术的工程师、科研人员和技术人员阅读，也可作为高等院校微电子封装工程专业的高年级本科生

辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。

5G终将一统互联网、移动网和物联网，为用户提供光纤般的接入速率，“零”时延的操作感知，千亿设备的连接能力，将拉近万物的距离，为用户带来身临其境的信息盛宴。 《一本书读懂5G技术》采用从总体到细节的顺序提纲挈领地介绍了5G工程师需要掌握的基本概念和关键技术。从5G和LTE的对比中，本书梳理出技术发展的脉络，帮助读者了解技术继承点在哪里，技术突破点在哪里。本书尽量以图表的方式来阐述技术，观点清晰、信息密度高。在阐述5G的技术原理和技术特点的时候，尽量使用通俗、简洁的语言，总结了很多5G方面的打油诗、行业俗语，使读者阅读起来轻松愉快。 《一本书读懂5G技术》是5G技术的科普读物，适合5G项目管理者、营销人员、售前支持人员、工程服务人员和管理人员，也可以作为各类院校通信工程、网络工程、物联网和计算机等专业的5G技术

全书分为封装基本原理和技术应用两大部分，共有22章。分别论述热 机械可靠性，微米与纳米级封装，陶瓷、有机材料、玻璃和硅封装基板，射频和毫米波封装，MEMS和传感器封装，PCB封装和板级组装；封装技术在汽车电子、生物电子、通信、计算机和智能手机等领域的应用。本书分两部分系统性地介绍了器件与封装的基本原理和技术应用。随着摩尔定律走向终结，本书提出了高密集组装小型IC形成较大的异质和异构封装。与摩尔定律中的密集组装*高数量的晶体管来均衡性能和成本的做法相反，摩尔有关封装的定律可被认为是在2D、2.5D和3D封装结构里在较小的器件里互连*小的晶体管，实现*高的性能和*低的成本。 本书从技术和应用两个层面对每个技术概念进行定义，并以系统的方式介绍关键的术语，辅以流程图和图表等形式详细介绍每个技术工艺。本书的*大亮点在

本书是一本介绍飞秒激光加工原理、技术和应用的著作。全书分20章。第1章和第2章是飞秒激光脉冲产生和放大的原理以及飞秒激光与物质相互作用的基本原理；第3～6章是飞秒激光加工系统、干涉技术、脉冲整形技术；第7章是表面加工技术；第8章是双光子聚合技术；第9～19章是内部加工技术；第20章是溶液中制备纳米颗粒技术。

本书从网络管控体系的角度出发，介绍6G网络提供按需服务的关键技术。结合6G网络基本愿景、网络智能化的发展历程及发展趋势，围绕 智能内生 和 知识定义 的核心理念，构建了6G全场景全域按需服务网络管控体系，并探究其可信自主的全域接入管控技术、资源智能调配技术及业务能力协同互联技术的研究思路及方法。 本书适合6G移动通信网和网络智能化领域相关的技术专家、从业者及高等院校相关专业的师生阅读。