全书简明介绍电子元件和电路的新内容,重点强调了分析、应用和技术实践。涉及大量应用实例和对电路的调试,内容主要包括基本元件、电量和直流电阻电路、交流动态电路三部分。注重理论联系实际,技术实践部分为读者提供很大帮助。注重理论联系实际,技术实践部分为读者提供很大帮助。本书是国际上电路畅销教材,广受赞誉,是一本理想的电子学教科书和相关领域人员的参考书。
本书共分九章,系统阐述了开关电源的控制环路设计和稳定性分析。第1~3章介绍了环路控制的基础知识,包括传递函数、零极点、稳定性判据、穿越频率、相位裕度、增益裕度以及动态性能等;第4章介绍了多种补偿环节的设计方法;第5~7章分别介绍了基于运放、跨导型运放以及TL431的补偿电路设计方法,将理论知识与实际应用密切关联;第8章介绍了基于分流调节器的补偿器设计;第9章介绍了传递函数、补偿环节与控制环路伯德图的测试原理和方法。本书将电源环路控制的知识点进行了系统的汇总和归纳,实用性强,是一本非常的电源控制环路设计的著作。 本书适合电源工程师、初步具备电力电子技术或者开关电源基础的读者,可以较为系统地了解开关电源控制环路设计的理论知识、分析方法、工程实践设计以及测试分析等,在工程实践的基础上,大大提高理论
《半导体先进封装技术》作者在半导体封装领域拥有40多年的研发和制造经验。《半导体先进封装技术》共分为11章,重点介绍了先进封装,系统级封装,扇入型晶圆级/板级芯片尺寸封装,扇出型晶圆级/板级封装,2D、2.1D和2.3D IC集成,2.5D IC集成,3D IC集成和3D IC封装,混合键合,芯粒异质集成,低损耗介电材料和先进封装未来趋势等内容。通过对这些内容的学习,能够让读者快速学会解决先进封装问题的方法。 《半导体先进封装技术》可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的教材和参考书,也可供相关领域的工程技术人员参考。
相控阵雷达技术是一种先进的雷达技术,本书共分12章,包括概论、相控阵雷达的主要战术与技术指标分析、相控阵雷达工作方式设计与资源管理、相控阵雷达天线波束的控制、相控阵雷达天线与馈线系统的设计、相控阵雷达发射机系统、相控阵雷达接收系统、多波束形成技术、有源相控阵雷达技术、宽带相控阵雷达技术、新型高性能半导体器件在相控阵雷达技术中的应用、微波光子相控阵雷达技术。作者根据多年从事相控阵雷达研制工作的经验与学习心得,结合近年来技术最新进展,完成本书写作,奉献给从事相关研究、生产、使用和教学人员参考。
硅光子技术在电信通信、数据中心、高性能计算、传感、航空航天等领域的广泛应用,特别是随着CMOS(互补金属氧化物半导体)技术的持续发展,光子技术与电子技术的融合有望最终取代电子技术。 本书详细地介绍了硅光子技术,从光无源器件到光有源器件,从功能结构设计到芯片制造,从制造到测试,从器件回路到系统回路,从理论分析计算到仿真等,涵盖器件结构原理、设计、制造、封测、仿真等全流程,结合大量实例详细说明硅光子从器件到系统各个环节的关键要素,并辅以仿真计算源代码供学习和参考。本书共四篇,第1篇介绍硅光子发展及其应用,包括硅光子研究现状、技术挑战和发展机遇;第2篇介绍光无源器件,包括光学材料和光波导、基本功能结构和光输入/输出结构;第3篇介绍光有源器件,包括光调制器、探测器和激光光源;第4篇介绍系统设计
本书经过全面修订,讲解了如何为当今尖端电子产品设计可靠、高性能的开关电源,涵盖现代拓扑结构和变换器,内容包括设计或选择带隙基准、使用详细的新型邻近效应设计方法进行变压器设计、Buck变换器效率损耗分解方法、有源复位技术、拓扑形态学和详细的AC-DC前级电路设计方法。 本版更新包含全面反馈环路的设计方法和实例、世界上第一个宽输入电压范围谐振(LLC)变换器的简化通用设计方法,以及正激和反激变换器的分步比较设计步骤。
半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节,其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定,并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析,以及工艺的最终认定,是一本实用的、全面的指南,提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读,也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
雷达信号处理技术是雷达系统的重要组成部分。它完成从雷达接收回波中检测目标、提取目标信息、形成目标航迹等信息处理过程。随着雷达功能的多样化和电磁环境的复杂化,雷达信号处理技术发展迅速,已成为提高雷达系统性能的关键技术。本书共分11章。第1章为概述。第2章到第6章讨论了雷达信号处理的基础知识,包括雷达信号形式和信号分析,雷达脉冲压缩,雷达杂波抑制,雷达信号检测等;第6章到第9章讨论了阵列信号处理,抗干扰信号处理,雷达信号处理系统技术;第10章和第11章分别讨论了雷达点迹数据形成与处理,以及雷达航迹处理综合处理技术。
LLVM是伊利诺伊大学的一个研究项目,提供一个现代化的,基于SSA的编译策略,并能够同时支持静态和动态的任意编程语言的编译目标。LLVM由不同的子项目组成,其中许多是正在生产中使用的商业和开源的项目。它也被广泛用于学术研究。 本书力求将LLVM基础知识理论与案例实践融合在一起进行详细的介绍,帮助读者理解LLVM工作原理,同时按照应用与设备需要,使用 LLVM进行相应的优化与部署。本书包含大量示例和代码片段,帮助读者掌握LLVM的编译器开发环境。 本书共11章,包括编译和安装LLVM、LLVM外部项目、LLVM编译器、Clang前端基础、Clang架构与实践示例、LLVM IR实践、LLVM芯片编译器实践示例、LLVM编译器示例代码分析、LLVM优化示例、LLVM 后端实践,以及MLIR编译器。 本书适合算法、软件、编译器、人工智能、硬件等专业方向的企业工程技术人员、高校师生、科研工
本书对星地融合移动通信系统与关键技术进行介绍,以无线信道建模与链路预算分析作为系统设计的基础,深入剖析星地融合移动通信系统的组成及对应的关键技术,具体包括无线传输,移动性管理,网络架构及安 全机制,星座组网、星间通信与智能路由,频谱共享与干扰管理等多个方面,为广大读者深入了解5G增强和6G的星地融合移动通信系统提供参考。 本书既可作为卫星通信系统、卫星互联网、空间互联网、地面移动通信系统、星地融合移动通信系统等领域研究人员和学生的参考书,又可供相关领域的技术人员使用。
《电子学的艺术》是电子电路设计领域备受推崇的经典教材,目前已经更新到第3版。第3版内容从基本电子元器件(如电阻、电容、电感、晶体管)到数字逻辑电路、计算机组成、微控制器等复杂系统,涵盖了现代电子学涉及的最广泛主题。全书分为上下两册,本书为上册,侧重模拟电子技术,共8章内容,大致分为四个部分:第一部分(第1章)介绍电子学领域基础知识;第二部分(第2~3章)讨论晶体管的特性及其典型应用电路;第三部分(第4~5章)讨论运算放大器及其精密电路的分析与设计;第四部分(第6~8章)深入探讨晶体管和运算放大器在滤波器、振荡器、定时器和低噪声技术等特定电路和技术中的具体应用。
《半导体干法刻蚀技术(原书第2版)》是一本全面系统的干法刻蚀技术论著。针对干法刻蚀技术,在内容上涵盖了从基础知识到最新技术,使初学者能够了解干法刻蚀的机理,而无需复杂的数值公式或方程。《半导体干法刻蚀技术(原书第2版)》不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺,而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。《半导体干法刻蚀技术(原书第2版)》讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术,介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理,例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体,并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。
本书系统地介绍了射频电路分析与设计的基础知识和最新技术,针对低噪声放大器、混频器、振荡器和频率综合器等电路模块提出了若干新的设计方法与分析技术,重点阐述了射频电路设计中的调制理论和无线标准。本书核心内容包括:直接变频、镜像抑制、低中频技术、噪声抑制机理、电抗抵消、压控振荡器、相位噪声机制,以及新型混频器拓扑结构。此外,本书还研究了收发机的核心模块电路,包括低噪声放大器、无源和有源混频器、压控振荡器、无源器件、锁相环、频率合成器、功率放大器等。
本书参照作者出版的3G、4G畅销书,为读者理解5G NR无线接入网技术提供了一个全新的视角。本书除了介绍5G技术发展背景、市场需求、频谱分配和标准化时间表,以及5G NR R15 RAN的各项技术特点,内容还涵盖了NR物理层结构、高层协议、射频和频谱实现,以及NR与LTE共存和互通。本书不仅详解NR技术各个组成部分的基本知识,还为读者揭示了为什么选择了某个技术解决方案的成因。本书第二版全新阐述了5G NR在2020年冻结并发布的R16版RAN技术细节,更新一些全新的章节和内容,包括未授权频谱中的NR、Rel-16中的NR-U、IAB、Rel-16中的V2X和端到端直连、工业物联网、针对PDCCH的URLLC增强的工业物联网,以及RIM/CL和定位的URLLC增强。还包括NR相关的关键技术要求、设计原则、基本NR传输结构的技术特征(显示它是从LTE继承的,从哪里偏离的)和NR多天线传输功能的原因,详细描述初始N
光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中,正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律(器件集成度每两年左右翻一番)得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面,包括设备、材料、仿真(计算光刻)和工艺,内容直接取材于国际先进集成电路制造技术,为了保证先进性,特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例,这些实例都是经过生产实际验证的,希望能对读者有所启发。
本书以当前半导体电子产业所出现的技术革命为背景,针对柔性电子技术在信息、能源、医疗、国防等重要领域的应用需求,简要介绍柔性电子技术的概念、发展历程和重要应用方向,系统介绍柔性电子器件设计方法、柔性电子功能材料、柔性电子关键制备技术、柔性固体器件、柔性集成电路及系统和柔性电子检测技术与可靠性分析等所面临的机遇与挑战,并对柔性电子的发展前景进行展望。
《氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用(原书第3版)》共17章,第1章概述了氮化镓(GaN)技术;第2章为GaN晶体管的器件物理;第3章介绍了GaN晶体管驱动特性;第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计;第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量;第6章介绍了GaN晶体管的散热管理;第7章介绍了硬开关技术;第8章介绍了软开关技术和变换器;第9章介绍了GaN晶体管射频性能;第10章介绍了DC-DC功率变换;第11章讨论了多电平变换器设计;第12章介绍了D类音频放大器;第13章介绍了GaN晶体管在激光雷达方面的应用;第14章介绍了包络跟踪技术;第15章讨论了高谐振无线电源;第16章讨论了GaN晶体管的空间应用;第17章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。 《氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用(原书第3版)》适合作为从事GaN功率半导体技术研究的科研工作者、工程师、
在21世纪,大数据、人工智能等高新信息科技飞速发展之际,自旋电子学凭借其在低功耗非易失存储和存算一体化方面的独特优势,已成为推动后摩尔时代集成电路革命性创新的关键技术。全书共10章。第1章概述自旋电子学的发展历程;第2章详细介绍自旋轨道力矩效应的物理原理、检测技术、材料选择及其调控与应用;第3章讨论电控磁效应的材料体系、物理机制和器件实用性;第4章专注于反铁磁自旋电子学,探讨反铁磁磁矩的调控与检测方法;第5章从横向输运、纵向输运和相干输运三个角度全面介绍磁子学;第6章解析磁斯格明子的生成、探测及其动力学特性,并探讨其在器件中的应用前景;第7章和第8章简要介绍拓扑磁性和二维磁性;第9章和第10章则阐述自旋电子学与光学、声学的交叉研究领域。
集成电路是现代电子技术的核心,随着集成电路产业迅猛发展,对专业人才的需求正急剧上升。本书从集成电路制造的工艺、设备、厂务 3 个关键内容出发,融合了集成电路制造的理论基础和前沿实践技术,深入浅出地探讨了集成电路制造的全过程。通过大量工艺设备的使用案例分析、实验数据、设备操作标准程序和教学实践视频,帮助读者掌握实际操作。此外,在介绍当前主流制造技术的同时,还深入讲解了产业界量产设备的基本原理、动力需求和应用实践。 上海科技大学材料器件中心聚焦集成电路先进制造领域卓越工程师的人才培养任务,依托先进一流的设备资源、资深工程师团队,联合产业界专家,将集成电路先进制造理论与实践有机结合,精心打造本书,旨在为读者提供全面、深入且实用的学习资料。本书不仅适用于本科生、研究生,对从事集成电路
本书对基本的电气和电子概念、工程电路及应用、故障排查进行了全面而实用的阐述,分为直流电路、交流电路和元器件三个部分。本书提供大量的工程电路应用实例,电路测试、调试与计算机仿真贯穿始终,步骤详细的例题、形式多样的练习便于读者自学。众多技术和安全小贴士等加强了理论与实践的联系,并帮助读者加强工程思维并学以致用。本书是第9版,对部分内容进行了更新和修订,以满足当前的行业标准,包括电池技术和可再生能源等主题。
本书主要针对低压和高压电源管理电路设计进行了详细讨论。本书力求简化电路模型的数学分析,重点研究电源管理电路的功能和实现。本书中包含了大量电路示意图,以帮助读者理解电源管理电路的基本原理和工作方式。在具体内容方面,本书分章介绍了低压和高压器件、低压差线性稳压器设计、电压模式和电流模式开关电源稳压器、基于纹波的控制技术、单电感多输出转换器、基于开关的电池充电器以及能量收集系统等方面的内容。 本书内容详实、实例丰富,可作为高等院校电子科学与技术、电子信息工程、微电子、集成电路工程等专业高年级本科生和硕士研究生的课程教材,亦可作为从事集成电路、系统级设计,以及电源管理芯片设计和应用的工程技术人员的参考书籍。
硅基光电子学是作者遵循半导体科学和信息科学的发展规律,在微电子、光电子、光通信领域数十年教学科研成果的总结。本书分为基础篇和应用篇。基础篇由第1章~第10章组成,包括绪论、硅基光电子学基本理论、硅基光波导、硅基光无源器件、硅基光源、硅基光学调制、硅基光电探测、硅基表面等离激元、硅基非线性光学效应、硅基光电子器件工艺及系统集成等。应用篇由第11章~第18章组成,包括硅基光通信和光互连、硅基光交换、硅基光电计算、硅基图像传感、硅基片上激光雷达、硅基光电生物传感、硅基光信号处理、硅基光电子芯片的设计与仿真等。
Sigma-Delta模/数转换器作为CMOS模/数转换器中*为经典的设计技术,自1962年面世以来,在高分辨率、低带宽的传感器接口电路、仪器仪表测量以及数字音频等系统中得到了广泛应用。Sigma-Delta模/数转换器有效结合了过采样和噪声整形技术,利用频率远高于奈奎斯特采样频率的时钟对输入信号进行采样,实现了极高的输出分辨率。 本书分10章详细讨论了Sigma-Delta模/数转换器的基本原理、基础结构、非理想误差和自顶向下(自底向上)的综合分析方法;并在此基础上,结合设计实例和SIMSIDES仿真工具,对Sigma-Delta模/数转换器的电路级、物理级设计进行了详尽的分析;*后介绍了近年来Sigma-Delta模/数转换器的发展趋势以及面临的挑战。 本书可作为高等学校微电子学与固体电子学、集成电路设计、电子信息工程等专业高年级本科生和研究生的相关教材,也可以作为半导体相关领