《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面,而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书讲述了功率半导体器件的基本原理,涵盖Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等;将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等,并详细介绍了测试标准、方法和原理,同步分析了测试设备和数据等;重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面,详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求,贴近工业实践,知识内容新颖,可为工业界以及高校提供前沿数据,为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书,也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对,长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种,会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加,甚至功能失效,因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
本书系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统(MEMS)器件的三维集成硅通孔(TSV)技术的*进展和可能的演变趋势,详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史,然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等,*后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。 本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读,也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生教材和参考书。
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质,不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性,而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系,在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件,从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。
半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石,而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量,因此,半导体材料性能和结构的测试和分析,是半导体材料研究和开发的重要方面。本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术,涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容:包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微披光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子1里没、荧光光谱、紫外.可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和ιy等测试分析蜘忙。
本书基于当前半导体行业制造过程中存在的问题,介绍了多种改进的批间控制和过程监控算法及其性能。第1章为半导体制造过程概述,包括国内外研究现状和发展趋势。第2、3章介绍批间控制、控制性能和制造过程监控。第4~7章讨论机台干扰、故障、度量时延对系统性能的影响,提出多种批间控制衍生算法,包括双产品制程的EWMA批间控制算法、变折扣因子EWMA批间控制算法、偏移补偿批间控制算法、基于T-S模糊模型的批间控制算法。第8~11章介绍半导体制造过程的性能和过程监控方法,包括:设计模型评价指标进行建模质量评估;提出基于时间序列模型的批间控制系统过程监控方法,进一步提出二维动态批次过程的建模和稳定性评价指标;提出基于数据的故障预测方法。
本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法,包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等,模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米,时间从亚皮秒量级到106s,并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用,揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律,在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。
《新型纤维状电子材料与器件》重点介绍了纤维状的有机太阳能电池、锂离子电池、超级电容器、光电转换与储能集成器件以及聚合物发光电化学池。与板状和块状的电子器件相比,这些纤维状的电子器件体积更小、质量更轻,可三维扭曲变形,并可以像化学纤维那样被进一步编成织物,成为多学科交叉研究的一个重要发展方向。
《Springer手册精选原版系列:半导体数据手册(上册 第2册)》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书,适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生,以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括:四面体键元素及其化合物特性的实验数据(B);III、V、VI族元素特性的实验数据(C);各族元素的二元化合物特性的实验数据(D);各族元素的三元化合物特性的实验数据(E);硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据(F);以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。
本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算,带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计,应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制,特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计,其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。
半导体器件数值模拟计算方法是现代计算数学和工业与应用数学的重要领域。半导体器件数值模拟是用电子计算机模拟半导体器件内部重要的物理特性,获取有效数据,是设计和研制新型半导体器件结构的有效工具。本书主要内容包括半导体器件数值模拟的有限元方法、有限差分方法,半导体问题的区域分裂和局部加密网格方法,半导体瞬态问题的块中心差分方法等经典理论部分,以及半导体问题的混合元。特征混合元方法、混合元。分数步差分方法、半导体瞬态问题的有限体积元方法、半导体问题的混合有限体积元。分数步差分方法、电阻抗成像的数值模拟方法和半导体问题数值模拟的间断有限元方法等现代数值模拟方法和技术。
模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点,揭示激光模式结构与波导结构的内在联系,从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性,因而量子场论和经典场论基本上导出相同的结果,因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的**激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。本书是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上,作了修订和大量补充完备,以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的**进展。全书论述既重基础又涉及前沿,既重物理概念又重推导编程演算。《BR》本书适合有关专业的大学高年级学生、研究生、研究人员和教师作为专业教材、参考书或自修提高的读物。
本书是由四十余位知名青年学者撰写而成的。全书共分16章,重点介绍光纤光学技术的进展,其中包括微纳光纤、光纤光源、光纤传感及其应用、光纤信息处理、光纤通信系统与接入网、光纤微波光子技术、光纤保密通信技术等方面的新技术和新应用,并对相关技术进行了较为全面的分析和比较。本书着重突出前沿性,书中很多内容是作者近年来所发展的新概念和新技术,例如波长编码技术、光跳频编码保密通信技术等,部分内容属于首次公开发表。 本书适合从事光纤通信、传感、微波光电子学教学与研究的科技工作者、工程技术人员、研究生和高年级本科生阅读和参考。
本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著,主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论,内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管,以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试,以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时,重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果,以及今后的发展趋势。