半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节,其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定,并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析,以及工艺的最终认定,是一本实用的、全面的指南,提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读,也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
本书是由M.I.Dyakonov教授主编的一本关于半导体中的自旋物理学的图书,共13章,每一章都是由从事该方向研究多年、长期处于研究前沿的专家撰写的,详尽描述了半导体自旋物理学当前研究的全貌。首先概述了半导体物理学和自旋物理学的基本知识(第1章);然后讨论了量子阱和量子点中自由载流子和激子的自旋动力学(第2-4章);第5章详细介绍了研究半导体自旋电子学的光学实验方法,包括时间分辨荧光光谱、时间分辨法拉第/克尔旋转谱以及一种新测量技术--自旋噪音谱;第6章讨论了载流子的自旋动力学,而第7章研究了硅材料中受限电子的自旋性质;第8-9章讨论了自旋流与电荷流之间的关系;第10章专门讲述自旋注入问题;第11-12章详尽叙述了电子和原子核之间的超精细相互作用;第13章也就是最后一章讨论了稀磁性半导体的基本物理性质和光学性质。这是一本非常好的
本书分三章,章详细讨论半导体异质结构的注入(激发)及其电流机制、能带图表述、并着重探讨与新近垂直腔面发射激光器的发展密切相关的多层同型异质结理论。同时也为速率方程理论的建立提供坚实的物理和理论背景,并打好编程计算的基础。第二章建立为光子与电子相互作用作微观唯象表述的速率方程组、详细探讨光限制因子的全量子理论、并讨论电子和光子相互作用动平衡静态解,如阈值及其无阈值微腔效应、光功率-电流特性、端面返射、激光模式及其出射光束结构、模式竞争和转换等静态现象。第三章则将深入探讨半导体激光器包括激射延迟、激光过冲、和张弛振荡三个基本过程的瞬态行为、小信号的电流、光流、和微波加热三种调制方式及其调制带宽的理论、控制、和设计。大信号简谐调制及其调制带宽、脉码调制及其眼图的行为、不稳定和双稳态现
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质,不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性,而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系,在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件,从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。
本书主要论述了半导体太赫兹(THz)辐射源与探测器的基本原理、模拟与设计、器件研制方法以及THz通信与成像应用等。全书共分11章,包括第1章THz波产生、探测与应用概述;第2章THz场与低维半导体的相互作用及高场电子输运;第3章电子学THz振荡器与器件模拟;第4章THz半导体负有效质量振荡器非线性动力学;第5章THz场作用下微带超晶格非线性动力学;第6章石墨烯THz光电特性;第7章THz半导体量子级联激光器;第8章THz半导体量子阱探测器;第9章THz波的传输;第10章THz通信;第11章THz成像。
本书系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统(MEMS)器件的三维集成硅通孔(TSV)技术的*进展和可能的演变趋势,详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史,然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等,*后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。 本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读,也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生教材和参考书。
由中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会组织有关行业组织、高校和研究单位、企业等共同完成编辑的《中国LED显示应用技术与产品汇编》内容涵盖了我国 LED显示应用行业的发展、技术及产品在各行各业的应用及服务、技术研发及成果等,从技术论述、解决方案、系统设计、应用案例分析、企业展示的角度给读者以参考、借鉴、交流合作的信息。 本书可作为LED显示应用相关领域的项目建设、管理、科研及实际工作的工具书,也可作为LED显示应用产业产、学、研、用之间交流合作的应用资料,具有重要的参考价值。
本书是由四十余位知名青年学者撰写而成的。全书共分16章,重点介绍光纤光学技术的进展,其中包括微纳光纤、光纤光源、光纤传感及其应用、光纤信息处理、光纤通信系统与接入网、光纤微波光子技术、光纤保密通信技术等方面的新技术和新应用,并对相关技术进行了较为全面的分析和比较。本书着重突出前沿性,书中很多内容是作者近年来所发展的新概念和新技术,例如波长编码技术、光跳频编码保密通信技术等,部分内容属于首次公开发表。 本书适合从事光纤通信、传感、微波光电子学教学与研究的科技工作者、工程技术人员、研究生和高年级本科生阅读和参考。
本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算,带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计,应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制,特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计,其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。
本书主要介绍了电力电子变换器的主要部件——电感器和变压器等磁性元件, 涉及磁心和绕组、涡流损耗、绝缘、散热设计、寄生电容和测量技术等。书中采用经典的设计方法,并使用有限元法等数值工具进行修正,以提高设计精度。 本书提出了一种包含涡流损耗的电感器和变压器的快速设计方法和一种计算涡流损耗的宽频带方法,用来计算导体与绕组中的涡流损耗;分别举例阐释了电感器与变压器的具体设计;分析了磁性元件的最优铜损耗与铁心损耗的比例。 本书主要读者为电力电子领域磁性元件的设计者和使用者,也可作为电力电子书籍的补充读物。
本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性,以及功率应用中不同类型的器件结构,同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造,以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计,以及SiC和GaN功率器件的应用。 对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读,也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法,包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等,模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米,时间从亚皮秒量级到106s,并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用,揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律,在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。
本书涵盖了实现半导体太阳电池数值分析所需的器件物理模型、数据结构、数值算法和软件实施等四部分内容,着重于物理模型的来龙去脉、数据结构的面向对象、数值算法的简洁高效、软件实施的完整详尽, 终方便读者快速开发面向自己工作的数值分析工具。本书建立在作者20年来从事III-V族多结太阳电池器件物理与制备技术的经验基础上,相关内容是十几年来开发具有自主知识产权的多异质结太阳电池数值分析软件工作的总结与提炼,部分内容作为上海航天技术研究院研究生的专业课讲授过。
以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、关西学院大学知名教授大谷昇、京都大学实力派教授木本恒畅和企业实力代表罗姆株式会社的中村孝先生为各技术领域的牵头,集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表,在各自的研究领域结合各自多年的实际经验,撰写了这本囊括碳化硅全产业链的技术焦点,以技术为 、以应用为目的的实用型专业指导书。书中从理论面到技术面层次分明、清晰易懂地展开观点论述,内容覆盖碳化硅材料和器件从制造到应用的全产业链,不仅表述了碳化硅各环节的科学原理,还介绍了各种相关的工艺技术。本书对推动我国碳化硅半导体领域的学术研究和产业发展具有积极意义,适合功率半导体器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读,也可作为相关专业高年级学生的理想选修教材。