半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节，其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定，并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析，以及工艺的最终认定，是一本实用的、全面的指南，提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读，也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。

《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容:包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微披光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子1里没、荧光光谱、紫外.可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和ιy等测试分析蜘忙。

《LED灯具设计》全部采用彩色印刷，文字清晰，插图非常精美。《LED灯具设计》的特点在于融合了灯具设计的光学、电气等理工科专业知识与造型、材料等艺术类专业知识，按照灯具产品从设计到生产涉及的知识来组织知识结构，全面介绍灯具设计各个方面，详细叙述了灯具光学设计、造型设计的要素及方法、灯具检测与组装等知识，主要内容包括：灯具概述、灯具设计原则与要素、灯具光学设计、灯具造型设计、LED灯具设计、灯具检测、典型灯具产品组装与工程施工等。 同时，《LED灯具设计》为了适应职业教育改革的需要，贯彻以培养高职高专学生以实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想，力求体现精炼与实用，是一本难得的文理兼修的综合性教材。 《LED灯具设计》可供电光源技术爱好者或者灯具设计施工人员阅读参考，本书还适用于高等职

《太阳能光伏产业：半导体硅材料基础（第2版）》共分12章，较全面地讲述了有关硅材料的基本知识。内容包括硅材料的发展史与当前的市场状况；半导体材料的基本性质；晶体结构及其结构缺陷；能带理论的基本知识；pn结和金属半导体接触的特性；硅材料的制备；化合物半导体材料的基本特性及用途；硅材料的加工。重点讲述了制备高纯多晶硅的三氯氢硅氢还原法，制备硅单晶的直拉法和浇铸多晶硅的制备方法以及杂质在硅中的特性；砷化镓材料的特性和制取方法。《太阳能光伏产业：半导体硅材料基础（第2版）》易懂、实用，可作为本科和高职院校硅材料技术专业的教材和从事硅材料生产的技术工人的培训教材，也可供相关专业工程技术人员学习参考。

本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。

本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术，覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺，以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外，还介绍一些相关的工艺设备。

《车用功率半导体器件设计与应用》使用大量图表，通俗易懂地讲解功率器件的运行和设计技术，其中，第1章概述功率器件在电路运行中的作用以及功率器件的种类，同时解释为何功率MOSFET和IGBT已成为当前功率器件的主角；第2章和第3章讲述硅功率MOSFET和IGBT，从基本单元结构描述制造过程，然后以浅显易懂的方式解释器件的基本操作，此外，还提到了功率器件所需的各种特性，并加入改进这些特性的器件技术的说明；第4章以肖特基势垒二极管和PIN二极管为中心进行讲述；第5章概述SiC功率器件，讲解二极管、MOSFET和封装技术，对于近取得显著进展的的SiC MOSFET器件设计技术也进行了详细介绍。

本书是作者多年从事电子工艺工作的经验总结。全书分上、下两篇。上篇（ ～6章）汇集了表面组装技术的54项核心工艺，从工程应用角度，全面、系统地对其应用原理进行了解析和说明，对深刻理解SMT的工艺原理、指导实际生产、处理生产现场问题有很大的帮助；下篇（第7～14章）精选了127个典型的组装失效现象或案例，较全面地展示了实际生产中遇到的各种工艺问题，包括由工艺、设计、元器件、PCB、操作、环境等因素引起的工艺问题，对处理现场生产问题、提高组装的可靠性具有 现实的指导作用。本书编写形式新颖，直接切入主题，重点突出，是一本 有价值的工具书，适合有一年以上实际工作经验的电子装联工程师使用，也可作为大学本科、高职院校电子装联专业师生的参考书。

《新型纤维状电子材料与器件》重点介绍了纤维状的有机太阳能电池、锂离子电池、超级电容器、光电转换与储能集成器件以及聚合物发光电化学池。与板状和块状的电子器件相比，这些纤维状的电子器件体积更小、质量更轻，可三维扭曲变形，并可以像化学纤维那样被进一步编成织物，成为多学科交叉研究的一个重要发展方向。

《Springer手册精选原版系列：半导体数据手册（上册 第2册）》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书，适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括：四面体键元素及其化合物特性的实验数据（B）；III、V、VI族元素特性的实验数据（C）；各族元素的二元化合物特性的实验数据（D）；各族元素的三元化合物特性的实验数据（E）;硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据（F）；以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。

本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算,带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计,应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制，特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计，其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。

《半导体器件原理与技术》主要介绍半导体物理基础、二极管、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、无源器件、器件SPICE模型、半导体工艺技术、半导体工艺仿真、薄膜制备技术、半导体封装技术和半导体参数测试技术等微电子技术领域的基本内容？这些内容为进一步掌握新型半导体器件和集成电路分析、设计、制造、测试的基本理论和方法奠定了坚实的基础？《半导体器件原理与技术》可作为电子信息类电子科学与技术、微电子科学与工程、集成电路与集成系统、光电信息科学与工程、电子信息工程等专业的本科学生和相关研究生的专业课程教材？也可作为相近专业工程技术人员的自学和参考用书。

马德朗编著的《半导体数据手册(附光盘下)/Springer手册精选原版系列》内容涉及四面体键的化合物特性的实验数据，三、四、五、六族元素特性的实验数据，各族元素的二元化合物特性的实验数据，各族元素的三元化合物特性的实验数据以及硼，过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据等主要方面，以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂志和缺陷等。对于必要的背景知识和近期的发展均有较为完整和详细的阐述，适合不同层次的群体用于学习和研究。本册23章包括更多元素，更多二元化合物，更多三元化合物。

本书主要论述了半导体太赫兹(THz)辐射源与探测器的基本原理、模拟与设计、器件研制方法以及THz通信与成像应用等。全书共分11章，包括第1章THz波产生、探测与应用概述；第2章THz场与低维半导体的相互作用及高场电子输运；第3章电子学THz振荡器与器件模拟；第4章THz半导体负有效质量振荡器非线性动力学；第5章THz场作用下微带超晶格非线性动力学；第6章石墨烯THz光电特性；第7章THz半导体量子级联激光器；第8章THz半导体量子阱探测器；第9章THz波的传输；第10章THz通信；第11章THz成像。

《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后，比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法，同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序，用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析，从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外，《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读，对该领域的研究生也会有所裨益。

辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。

本书主要叙述了全球半导体晶圆制造业线产布局的现状，是目前对全球半导体晶圆制造业 线产现状进行梳理的书籍。编者历时多年，通过与各大公司的沟通和跟踪整理，决定以全球半导体晶圆制造业发展为主线，辅以晶圆材质（Si、GaAs、SiC、GaN、InP）和尺寸（3 ～ 12英寸），按照总部所在国划分，对现有的晶圆制造设施进行了全面的梳理，包括产能、工艺节点、产品，还对相关资产转移情况进行了整理；并透过对全球半导体晶圆制造公司的发展情况、业务整合、财务信息、经营团队、产品与市场、重大战略合作协议等方面的整理和归纳，让读者可以对他们的运营方式有个比较全面的了解。

本书深入介绍了先进半导体存储器的技术与发展，论述全面，涵盖了近年来的新技术成果。书中讲解了静态*存取存储器技术、高性能的动态*存取存储器、专用DRAM的结构和设计，先进的不挥发存储器的设计和技术、嵌入式存储器的设计和应用，以及未来存储器的发展方向等。DRAM作为新一代半导体产品制造技术的推动者，除用于计算机领域之外，还用于汽车、航空、航天、电信以及无线工业等领域。近年来，新一代高容量、高性能的存储器结构得到了进一步发展，包括嵌入式存储器和不挥发快闪存储器在内的大容量存储设备得到了越来越广泛的应用。 本书适合作为大学微电子专业高年级本科生及研究生的教材，也可作为从事半导体制造与研究的工作人员的参考用书。

基础知识包含LED显示屏应用领域、行业发展、基本组成和分类，系统连线控制方式，控制卡的功能及其应用；基本技能包括LED显示屏单元板的选型、控制卡的选型、电源的选型、外框的选型，电源线制作、排线（数据线）制作、边框制做、屏组装与调试、软件使用、屏字幕显示与变换共。主要内容包括：LED显示屏基础知识，室内视屏幕场制作，室外信息显示屏制作，室外多色信息显示屏制作，室外全彩LED显示屏制作共5个项目模块，每个项目又分为若干个任务。

《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》较全面地介绍了半导体物理与测试分析的基础知识。主要内容包括：半导体的基本性质；半导体中杂质和缺陷能级，以及硅中位错和层错的观察；平衡态半导体中载流子的统计分布，杂质浓度及其分布的测量技术；载流子在外电场作用下的运动规律，以及霍尔系数和电导率的测量方法；非平衡载流子的运动规律及它们的产生和复合机制，少数载流子寿命的测量；pn结形成的工艺过程及其电学特性，pn结势垒电容的测量。 《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》可作为高等学校微电子学、电子科学与技术、应用物理等专业本科生的教材，也可供理工类相关专业的本科生、研究生及科技人员参考。

本书全面介绍半导体物理学的基本理论，以物理科学、材料科学与工程、电子技术的眼光全面审视半导体物理的发展过程和进展情况。本书内容包括半导体的晶体结构、常见半导体的能带结构、半导体中杂质和缺陷效应、载流子的统计计算方法、半导体导电特性、光电导效应、光伏效应、金属 半导体的接触特性、半导体同质PN结、半导体异质结构、MOS结构的特性及应用、半导体发光特性、半导体量子限域效应、半导体磁效应、半导体隧穿效应等，以及建立在此基础之上的各种半导体器件的原理和应用问题。本书可作为高等院校电子信息类本科专业的半导体物理课程教材，也可供相关科技人员参考.

本书在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上，介绍IV族半导体材料、GaAs材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤，接着介绍了基于GaAs材料辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件，后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。 本书特别强调辐射效应的基本物理，介绍的内容反映当前半导体材料及器件辐射效应和辐射加固技术研究的*进展，对于相关领域的研究及应用均具有重要的参考价值。 本书适合于从事空间技术及高能物理研究和应用，以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域的广大科技人员阅读，也可以作为相关领域研究生及大学生的教学参考书。