《车用功率半导体器件设计与应用》使用大量图表,通俗易懂地讲解功率器件的运行和设计技术,其中,第1章概述功率器件在电路运行中的作用以及功率器件的种类,同时解释为何功率MOSFET和IGBT已成为当前功率器件的主角;第2章和第3章讲述硅功率MOSFET和IGBT,从基本单元结构描述制造过程,然后以浅显易懂的方式解释器件的基本操作,此外,还提到了功率器件所需的各种特性,并加入改进这些特性的器件技术的说明;第4章以肖特基势垒二极管和PIN二极管为中心进行讲述;第5章概述SiC功率器件,讲解二极管、MOSFET和封装技术,对于近取得显著进展的的SiC MOSFET器件设计技术也进行了详细介绍。
零维纳米晶及其量子点是纳米材料研究的重要组成部分,也是纳米技术发展的重要基础。纳米晶及其量子点的可控制备[粒径可控、分布均一(即单分散)、性质稳定]是纳米材料制备的关键问题之一,因此发展新的制备方法及综合利用两种或多种不同方法的优势组合形成一种制备方法,对于纳米材料研究具有重要意义。 《硫族半导体纳米晶的液相化学法制备、自组装及其性能研究》介绍了制备零维硫族半导体纳米材料的不同方法,并对硫族纳米晶及其量子点的基本性能进行了相应测试与研究,构建了工艺与性能参数的关系,开展了其光电应用研究。这对硫族半导体材料,以及零维半导体纳米材料的制备、性能控制均具有一定的指导意义。 《硫族半导体纳米晶的液相化学法制备、自组装及其性能研究》可供应用型本科、开展相关研究的硕士研究生和
《图解 LED 应用从入门到精通(第 2 版)》结合国内外 LED 技术的应用和发展,全面系统地阐述了 LED 的基础知识和新应用。《图解 LED 应用从入门到精通(第 2 版)》共分为 12 章,系统地介绍了 LED 照明产品基础、 LED 射灯、 LED 球泡灯、 LED 荧光灯、 LED 筒灯、 LED 吸顶灯、 LED 路灯、 LED 隧道灯、 LED 景观灯、 LED 室外照明灯等灯具设计及安装、调光或调光系统以及 LED 照明产品认证及国际认证的相关知识。《图解 LED 应用从入门到精通(第 2 版)》题材新颖实用,内容由浅入深,循序渐进,通俗易懂,图文并茂,是一本具有很高实用价值的 LED 应用指南。《图解 LED 应用从入门到精通(第 2 版)》可供电信、信息、航天、汽车、国防及家电等领域即将从事的 LED 工程技术人员、产品推广人员、广告制作及安装人员阅读,也可供广大电工及职业院校相关专业的师生参考,
本书内容包括半导体工艺的6个主要单项实验、半导体材料特性表征与器件测试实验、工艺和器件特性仿真实验,并通过综合流程实验整合各单项实验知识和技能,着重培养学生的半导体器件的综合设计能力。
本书共8章,内容包括LED照明基础知识、LED路灯设计组装、LED工矿灯设计组装、LED日光灯设计组装、LED平板灯设计组装、LED洗墙灯设计组装、LED斗胆灯设计组装、LED照明工程案例详解。本书内容以灯具设计组装和工程案例解析为主,同时也介绍了有关LED照明基础方面的知识。本书结合作者多年从事LED照明行业的经验,理论联系实践,深入浅出,图文并茂,具有很强的实用性和参考性,适合从事LED照明设计和应用的工程技术人员,也可以作为LED初学者,爱好者及高等院校电子、电气、光电等相关专业的或参考书,是一本即学即用的参考书籍。
纳米半导体具有常规半导体无法媲美的奇异特性和非凡的特殊功能,在信息、能源、环境、传感器、生物等诸多领域具有空前的应用前景,成为新兴纳米产业,如纳米信息产业、纳米环保产业、纳米能源产业、纳米传感器以及纳米生物技术产业等高速发展的源泉与动力。 《纳米半导体材料与器件》力求以*内容,全面、系统阐述纳米半导体特殊性能及其在信息(纳米光电子、纳米电子学)、能源、环境、传感器技术以及生物技术领域中的应用,反映当前纳米半导体材料与器件研究国际上*成果与技术。
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本书在介绍电学参数测试原理的基础上,重点介绍了具有国际先进水平的国内外首台微区电阻率测试仪原理与应用,具有很高的实际应用价值。全书共分11章,1-6章讨论了微区电学参数测试的重要性,综述了当今已研究出来的各种半导体测试方法的特点;详细分析四探针测量技术的基本原理,重点讨论常规直线四探针法、改进范德堡法和改进Rymasze-wski四探针测试方法;研究四探针测试技术中的共性问题,介绍了以较高的定位精度进行大型硅片的无图形等间距测量的原理。7-11章重点讨论了测试技术在材料科学等领域的分析与应用及无接触测量技术。
本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术,其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期,不要求必须开设相应的实验课。同时,本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史,并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术;扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤,包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨论制
本书以简明的形式介绍了半导体的基本物理现象、物理性质、物理规律和基本理论。内容包括:晶体结构与晶体结合、半导体中的电子状态、载流子的统计分布、电荷输运现象、非平衡载流子、半导体表面、PN结、金属-半导体接触、半导体的光学性质等。