本书讲述了功率半导体器件的基本原理,涵盖Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等;将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等,并详细介绍了测试标准、方法和原理,同步分析了测试设备和数据等;重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面,详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求,贴近工业实践,知识内容新颖,可为工业界以及高校提供前沿数据,为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书,也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。
这是一本介绍半导体工作原理的入门类读物。全书共分4章,包括第1章的半导体的作用、类型、形状、制造方式、 产业形态;第2章的理解导体、绝缘体和半导体的区别,以及P型半导体和N型半导体的特性;第3章的PN结、双极型晶体管、MOS晶体管、 CMOS等;第4章涵盖了初学者和行业人士应该知道的技术和行业词汇表。 本书适合想学习半导体的初学者阅读,也可以作为相关企事业单位人员的科普读物。
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果,如SiC,GaN器件,以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人
在半导体芯片被广泛关注的当下,本书旨在为广大读者提供一本通俗易懂和全面了解半导体芯片原理、设计、制造工艺的学习参考书。 《极简图解半导体技术基本原理(原书第3版)》以图解的形式,简单明了地介绍了什么是半导体以及半导体的物理特性,什么是IC、ISI以及其类型、工作原理和应用领域。在此基础上详细介绍了ISI的开发与设计、ISI制造的前端工程、ISI制造的后端工程以使读者全面了解集成电路芯片的设计技术、制造工艺和测试、封装技术。最后,介绍了代表性半导体元件以及半导体工艺的发展极限。 本书面向电子技术,特别是半导体技术领域的工程技术人员、大专院校的学生,作为专业技术学习资料,同时也可作为广大科技爱好者了解半导体技术的科普读物。通过本书的阅读,读者可以快速了解半导体集成电路芯片技术的全貌,同时在理论上对其
本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应,逐步揭示量子世界的奥秘。接着,通过能带理论和半导体能带结构的解析,阐明了半导体材料的电子行为。此外,还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。最后,探讨了MOS结构、场效应晶体管以及集成电路的工作原理。本书内容丰富,结构清晰,能够帮助读者深入理解量子力学在半导体技术中的重要作用。 本书适合有一定物理基础的学生和从事半导体相关工作的人员阅读。
本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料,学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
本书针对半导体激光器,强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括:光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。
本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始,通过讨论激光器的基础理论,转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节,此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用,也适用于高年级本科生或研究生,作为主修的半导体激光器的课程,亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。
以GaN为衬底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物(包括AlN、GaN、InN及相关合金)是极为重要的宽禁带半导体材料,这类氮化物材料和器件的发展十分迅速。本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料及器件进行介绍,并系统地讲解了目前广泛应用的氮化物光电器件与氮化物电力电子器件,使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区别。全书共8章,包括绪论、氮化物材料基本特性及外延生长技术、新型氮化物异质结的设计及制备、氮化物材料的测试表征技术、氮化物蓝光LED材料与器件、氮化物紫外和深紫外LED材料与器件、氮化镓基二极管、氮化镓基三极管。 本书可作为微电子器件领域本科生和研究生的入门参考资料,也可供相关领域的科研和研发人员参考。
本书是本着突出近代真空镀膜技术进步,注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章,内容包涵了真空镀膜中物理基础,各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求,各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控,真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用,亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺
光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生?传输?控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料?异质结构和能带?辐射复合发光和光吸收?光波传输模式;超晶格和量子阱?发光管?激光器?探测器?光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体?光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念?光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.
本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先,对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断,讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性,包括其独特的物理和化学属性,以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性,分别就互连技术和衬底展开论述,同时,介绍了磁性材料,并对不同材料结构的热性能,以及冷却技术和散热器设计进行了介绍。然后,考虑到功率器件的质量必须通过各种测试和可靠性验证方法来评估,还介绍了瞬态热测试的原理和方法,同时阐述了各种可靠性测试的机理和选择动机。最后,就计算机辅助工程模拟方法列举了许多经典案例。 通过本书的学习,读者可以建立起宽禁带功率半导体器件封装的全面概念,为进一步深入研究打下基础。本书可作为封装或微电子等专业的高年级本科生和研究
《半导体产业人才发展指南》对我国半导体产业的人才发展状况进行了系统性的梳理,从产业角度出发,围绕产教融合,多维度、多视角地展现了我国半导体产业人才发展面临的机遇与挑战。具体内容包括:第1章介绍了全球及我国半导体产业现状及前景和趋势;第2章分析和介绍了半导体产业人才状况;第3章介绍并简要分析了半导体产业人才政策;第4章介绍了半导体产业从业人员能力体系,提出了以DMP-Based(设计、制造、封测为基础)的半导体产业链相关人才能力体系建设的思路和方法;第5章介绍了半导体产业贯通人才培养方案;第6章就半导体产业从业人员技能提升培训体系与知识更新工程做了具体且有一定前瞻性的介绍和阐述;第7章介绍了半导体产业国际化人才培养及引进的相关内容;第8章就半导体产业人才培养与发展进行了思考和展望。 本书适合半导体产业从业者及产业相关
本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章,包括引论,半导体的高分辨X射线衍射,光学检测与分析,表面、薄膜成分分析,扫描探针显微学在半导体中的运用,透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例,同时附有大量参考文献和常用的数据,以便读者进一步参考和应用。
本书共包括15章:章概述了半导体制造工艺;第2章介绍了基本的半导体工艺技术;第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片,以及早期的制造工艺技术;第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长,以及硅外延技术;第5章讨论了半导体工艺中的加热过程;第6章详细介绍了光学光刻工艺;第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论;第8章讨论了离子注入工艺;第9章详细介绍了刻蚀工艺;0章介绍了基本的化学气相沉积(CVD)和电介质薄膜沉积工艺,以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积(ALD)工艺过程;1章介绍了金属化工艺;2章讨论了化学机械研磨(CMP)工艺;3章介绍了工艺整合;4章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程;5章总结了本书和半导体工业未来的发展。
本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料,学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
《新型纤维状电子材料与器件》重点介绍了纤维状的有机太阳能电池、锂离子电池、超级电容器、光电转换与储能集成器件以及聚合物发光电化学池。与板状和块状的电子器件相比,这些纤维状的电子器件体积更小、质量更轻,可三维扭曲变形,并可以像化学纤维那样被进一步编成织物,成为多学科交叉研究的一个重要发展方向。