本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材,介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解该技术的新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间、差分电路及反馈中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了外读者的好评和青睐,被许多国际知名大学选为教科书。同时,由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历,使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
VLSI测试与可测性设计方法学已甄成熟,诸多理论和方法也为设计和制造界广泛接受,亦成为EDA工具的基本特征。本书系统化编撰迄今为止主流的方法学与结构,为读者进行更深层次的电路设计、模拟、测试和分析打下良好的基础,也为电路(包括电路级、芯片级和系统级)的设计、制造、测试和应用之间建立一个相互交流的平台。 本书主要内容包括电路测试基础,验证、模拟和仿真,自动测试生成,专用可测性设计,扫描设计,边界扫描法,测试和伪测试,内建自测试,电流测试,存储器测试,SoC测试。