本书共19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（Design for Manufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等内容。 再版时加强了半导体器件方面的内容，增加了先进的FinFET、3D NAND存储器、CMOS图像传感器以及无结场效应晶体管器件与工艺等内容。

本书通过具体案例和大量彩色图片，对CMOS集成电路设计与制造中存在的闩锁效应（Latch-up）问题进行了详细介绍与分析。在介绍了CMOS集成电路寄生效应的基础上，先后对闩锁效应的原理、触发方式、测试方法、定性分析、改善措施和设计规则进行了详细讲解，随后给出了工程实例分析和寄生器件的ESD应用，为读者提供了一套理论与工程实践相结合的闩锁效应测试和改善方法。 本书面向从事微电子、半导体与集成电路行业的朋友，旨在给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的图书，同时也适合相关专业的本科生和研究生阅读。

本书借由集成线性稳压器的设计，全面介绍了模拟集成电路的设计方法，包括固态半导体理论、电路设计理论、模拟电路基本单元分析、反馈和偏置电路、频率响应、线性稳压器集成电路设计以及电路保护和特性等。本书从面向设计的角度来阐述模拟集成电路的设计，强调直觉和直观、系统目标、可靠性和设计流程，借助大量的实例，向初学者介绍整个模拟集成电路的设计流程，并引导其熟悉应用，同时本书也适用于有经验的电源集成电路设计工程师，不仅能帮助他们对模拟电路和线性稳压器的理论有更深刻的理解，而且书中所呈现的线性稳压器的技术发展也可以给予他们很多启发，是一本难得的兼具实用性和学术价值的模拟集成电路和集成线性稳压器设计的教科书和参考书。

当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了国际集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在国际上发挥更加重要作用提供战略性的参考和指导意见。

本书是一本通用的集成电路封装与测试技术教材，全书共10章，内容包括：绪论、封装工艺流程、气密性封装与非气密性封装、典型封装技术、几种先进封装技术、封装性能的表征、封装缺陷与失效、缺陷与失效的分析技术、质量鉴定和保证、集成电路封装的趋势和挑战。其中，1~5章介绍集成电路相关的流程技术，6~9章介绍集成电路质量保证体系和测试技术，第10章介绍集成电路封装技术发展的趋势和挑战。 本书力求在体系上合理、完整，由浅入深介绍集成电路封装的各个领域，在内容上接近于实际生产技术。读者通过本书可以认识集成电路封装行业，了解封装技术和工艺流程，并能理解集成电路封装质量保证体系、了解封装测试技术和重要性。 本书可作为高校相关专业教学用书和微电子技术相关企业员工培训教材，也可供工程人员参考。 本书配有授课电子课件，

材料作为当今社会现代文明的重要支柱之一，在科技发展的今天发挥着越来越重要作用。材料科学与工程基础类课程是各高等院校材料专业的必修课和核心专业课。本书在材料科学与工程类课程基础上，结合当今材料专业的现状和材料人才的发展需求，以集成电路材料学科中的基础理论和工程工艺问题为主线，与相关学科和学科分支交叉，应用于集成电路材料设计、制备、成型、性能和工艺等关键问题的求解。本书主要介绍材料化学方面的基础知识，包括材料的组成、材料的结构、材料的性能、材料的制备与成型加工，以及集成电路衬底、工艺和封装三大类材料与制备工艺。

本书分上、中、下三册，全方位、多角度地介绍集成电路全产业链各个环节的相关知识。既综合了集成电路发展历程、应用技术、产业经济、未来趋势等内容，也详细讲解了集成电路设计、制造、生产线建设、封装测试、专用设备、专用材料等内容，还介绍了集成电路的新技术、新材料、新工艺以及前沿技术发展方向等具有前瞻性的新知识。

本书介绍了人工智能芯片相关的基础领域知识，分析了人工智能处理面临的挑战，由此引出全书的重点：人工智能芯片的架构设计、数据复用、网络映射、存储优化以及软硬件协同设计技术等领域前沿技术。书中还讨论了最新研究成果，并辅以实验数据进行比较分析，最后展望了人工智能芯片技术的发展方向。

本书将理论与现实应用进行了有效的融合。作者将重点放在实际环境中以帮助学生获得实际的感悟，并提供一种作出正确合理设计决策的方法。本书文笔流畅，描述直接明快，易为读者所接受。本书是为面向运算放大器和模拟集成电路设计的课程所用，对实际工作的工程师也是一本综合性的参考书。

本书主要介绍基于国产微波射频电路全流程设计平台AetherMW进行微波射频电路设计与仿真的方法。本书将基本概念、模块设计与系统设计相结合，内容涉及微波射频系统概述、阻抗匹配电路设计、功率分配器设计、定向耦合器设计、射频滤波器设计、射频放大器设计、混频器设计、雷达射频前端设计与仿真、常用测量仪器及AetherMW等。书中各模块设计均从实际的工程技术指标入手，按照"理论分析—模块分割—指标参数计算—电路仿真与实现”的过程开展，重点关注通用微波射频电路的理论知识及设计方法，力图达到概念清晰、思路流畅、方法多样、过程明了、理论联系实际的效果，满足微波射频工程领域不同层次的读者的需求。

本书主要介绍模拟集成电路的分析和设计，每章均配有基于华大九天Empyrean Aether 的实例，注重理论基础和实践的结合。全书共13 章，前6 章从半导体物理和器件物理的基础开始，逐步讲解并分析模拟集成电路中的各种基本模块；第7 章介绍带隙基准电路；第8～10 章主要讨论模拟电路的噪声、反馈和稳定性、运算放大器等内容；第11～13 章针对常用的复杂模拟集成电路展开讨论，主要括开关电容放大器、模数转换器与数模转换器、锁相环等。本书点如下：（1）本书是国内第一本基于国产EDA工具讲授模拟IC设计的理论和实践教材，对书中的案例配以详细的实践案例；（2）本书从基础理论出发，系统全面讲解了模拟IC设计的全内容，并配以详尽的原理阐释、公式推导和案例分析；（3）本书内容体系完备，不仅可用于本科生模拟IC设计的入门教材，也可用于研究生段进一步

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。

本书依据Mentor Graphics*推出的Mentor Xpedition EEVX 1 2中的xDM Library Tools、xDX Designer、xPCB Layout、Constraint Manager、xPCB Team Layout为基础，详细介绍了利用Mentor Xpedition软件实现原理图与PCB设计的方法和技巧。本书综合了众多初学者的反馈，结合设计实例，配合大量的示意图，以实用易懂的方式介绍印制电路板设计流程和高速电路的PCB处理方法。本书注重实践和应用技巧的分享。全书共21章，主要内容包括：中心库建立与管理，工程文件管理，原理图设计，PCB布局、布线设计，Gerber及相关生产文件输出，Team Layout（Xtreme）协同设计，HDTV播放器设计实例，多片存储器DDR2设计实例，ODBC数据库设计与PCB文件格式转换等。随书配套光盘提供了书中实例的源文件及部分实例操作的视频演示文件，读者可以参考使用。本书适合从事电路原理图与PCB设计相关的技术人员阅读，也可作为高等学

本书依托Cadence Virtuoso版图设计工具与Mentor Calibre版图验证工具，采取循序渐进的方式，介绍利用Cadence Virtuoso与Mentor Calibre进行CMOS模拟集成电路版图设计、验证的基础知识和方法，内容涵盖了CMOS模拟集成电路版图基础知识，Cadence Virtuoso与Mentor Calibre的基本概况、操作界面和使用方法，CMOS模拟集成电路从设计到流片的完整流程，同时又分章介绍了利用Cadence Virtuoso版图设计工具、Mentor Calibre版图验证工具及Synopsys Hspice电路仿真工具进行CMOS电路版图设计与验证、后仿真的实例，包括运算放大器、带隙基准源、低压差线性稳压源、比较器和输入/输出单元。

本书共19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（Design for Manufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等内容。再版时加强了半导体器件方面的内容，增加了先进的FinFET、3D NAND存储器、CMOS图像传感器以及无结场效应晶体管器件与工艺等内容。

本书以ADS 2023为平台，介绍了射频电路的设计与仿真。主要内容包括初识ADS 2023、原理图设计基础、原理图的绘制、元器件库设计、原理图的后续处理、仿真电路设计、仿真结果显示、微波网络法仿真分析、布局图设计视图、电路板设计、电路板的后期制作、微带线设计和EM仿真分析。全书内容循序渐进，案例丰富实用，讲解通俗易懂，实例操作部分配套视频教学，扫码学习，方便快捷。同时，随书附赠全书实例素材、源文件，便于读者上手实践。本书适合从事电路设计的电子、通信领域的工程师自学使用，也可用作高等院校相关专业的教材及参考书。

随着集成电路（IC）制造工艺的不断发展以及芯片复杂度的不断提升，IC的静电放电（ESD）防护设计需求日益增长，设计难度也越来越大，传统的ESD设计技术己不能很好地满足新型芯片的ESD防护要求。本书系统深入地阐述了IC的ESD防护设计原理与技术，内容由浅入深，既涵盖了ESD防护设计初学者需要了解的入门知识，也为读者深入掌握ESD防护设计技能和研究ESD防护机理提供参考。

《电子封装技术与应用》是 PCB先进制造技术 丛书之一。《电子封装技术与应用》立足于电子产品制造与代工行业，以业者视角介绍电子封装技术与应用。 《电子封装技术与应用》共20章，笔者结合多年积累的工作经验与技术资料，分别介绍了电子封装的类型、电气性能、散热性能，载板的布线、制作技术，封装工程、材料与工艺，CBGA封装、CCGA封装、PBGA封装、TBGA封装、晶片级封装、微机电系统、立体封装相关技术与应用，以及封装可靠性与检验。

《软件定义芯片》共分上、下两册，本书为上册。主要从集成电路和计算架构的发展介绍软件定义芯片的概念演变，系统分析了软件定义芯片的技术原理、特性分析和关键问题，重点从架构设计原语、硬件设计空间、敏捷设计方法等方面系统介绍了软件定义芯片硬件架构设计方法，并从编译系统角度详细介绍了从高级语言到软件定义芯片配置信息的完整流程。

本书是 十三五 江苏省高等学校重点教材。内容从通俗性和实用性出发，全面介绍微电子科学与工程专业所需学习的各项基本理论和知识。全书共6章，主要包括：微电子学基础（概论）、半导体物理基础、半导体器件物理基础、半导体集成电路制造工艺、集成电路基础、新型微电子技术。并配套电子课件、习题参考答案等。本书可作为高等学校微电子科学与工程专业 微电子导论 课程的基础教材，也可供相关领域的工程技术人员学习和参考。

本书以深圳市立创电子商务有限公司的立创EDA设计工具为平台，以本书配套的STM32核心板为实践载体，介绍电路设计与制作的全过程。主要内容包括基于STM32核心板的电路设计与制作流程、STM32核心板介绍、STM32核心板程序下载与验证、STM32核心板焊接、立创EDA介绍、STM32核心板的原理图设计及PCB设计、创建元件库、导出生产文件以及制作电路板等。本书所有知识点均围绕着STM32核心板，希望读者通过对本书的学习，能够快速设计并制作出一块属于自己的电路板，同时掌握电路设计与制作过程中涉及的所有基本技能。本书既可以作为高等院校相关专业的电路设计与制作实践课程教材，也可作为电路设计及相关行业工程技术人员的入门培训用书。

随着集成电路技术的发展，嵌入式存储器在片上系统上所占的比重越来越大，嵌入式存储器对于系统性能的提升和功耗的优化作用越来越关键。本书系统介绍当前主流的嵌入式存储器和近年兴起的新型嵌入式存储器，前者包括 SRAM、eDRAM和eFlash，后者包括ReRAM、PRAM、MRAM和FeRAM等。在内容安排上，本书侧重介绍各类嵌入式存储器的单元结构、阵列、电路技术以及应用。

《硅集成电路工艺基础(第2版21世纪微电子学专业规划教材普通高等教育十五*规划教材)》系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十一章，其中章简单地讲述了硅的晶体结构和非晶体结构及其特点，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，后两章分别讲述的是工艺集成和薄膜晶体管的制装工艺。 《硅集成电路工艺基础(第2版21世纪微电子学专业规划教材普通高等教育十五*规划教材)》可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。

本书系统介绍了微传感器及其接口集成电路的设计。首先，以热对流式加速度计、电容式加速度计、微机械陀螺仪、电容式麦克风、压电式超声换能器等常见微传感器为例，介绍了微传感器的基本工作原理以及国内外研究现状。然后，介绍了将传感物理量转换为电信号的读出电路，将所获得的电信号进行放大、去噪、滤波等处理的信号调理电路，将模拟信号转换成数字信号的模数转换电路，以及新型传感器的自供能技术和电路等。最后还介绍了微传感器及其接口集成电路的新型封装技术。

本书将全新的穿越方程和高频电磁场结构仿真软件(HFSS)相结合，对各类微波铁氧体器件进行了仿真设计。列举了各种结构的环行器、隔离器的设计范例，探索了获得高性能、高稳定性和高可靠性的设计途径，对其非互易性应用穿越方程进行了深入探讨；对各类变场器件如移相器、开关进行了仿真设计，应用穿越方程对其非互易相移、开关相移(或差相移)和磁化相移进行计算，提供了有效设计数据；对幅/相可控类器件如变极化器和全极化器介绍了多种实施方案，给出了仿真设计结果，理论上对法拉第旋转和变极化机制进行了探讨，用穿越方程计算了双模器件的变极化系数。在设计层面上具有一定的创新性；从旋磁理论层面上，给出了各类器件各种形式的三维电磁场穿越方程，弥补了经典旋磁器件理论中**方程的局限性。