本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有的深度和广度。
《超导体中的磁通钉扎》主要介绍了超导体中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的各种电磁现象,详细的论述了同临界电流密度相关的所有理论,也讨论了由于磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡流相位图像的影响,描述了另外一些参数对不可逆场的影响,例如超导体的各向异性、晶粒大小、电场强度等。本书也解释了接近理想状态的超导材料中交流损耗的减少主要来自于二维钉扎中起主导作用的可逆磁通运动。本书还涉及到以下方面:超导体中电流和磁场平行时同约瑟夫森效应相悖的现象;同临界态模型相悖的钉扎势中的可逆磁通运动现象;建立在临界态模型上的磁通钉扎中的的能量损耗现象等等。本书可供广大涉及超导研究的科研人员参考,也可作为高等院校相关学科的选用教材。本书为中外物理学精品书系。
董建伟著的《几类半导体模型的理论分析》共分 五章,前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型: 量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子 Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。 我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模 型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳 态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力 学稳态模型弱解的存在性,另外我们在一维有界区间 上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰 减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型,介绍 其稳态方程组解的存在性和独有性。
本书全面介绍了半导体物理的基本内容,这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强,合理地安排了物理原理,表征法以及半导体材料和器件的应用等内容,兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步,包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程,材料科学,物理和化学工程的研究生,也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。
本书是一本很好的英文教科书和参考书,与目前我国大学本科生的同类教材相比,这本书具有以下特点: (1)全新的体系结构。目前相关专业的教学体系是先学理论物理(包括统计物理、量子力学等)、固体物理,再学半导体物理,最后学半导体器件,一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起,学生只需具有高等数学和大学物理的基础,用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 (2)注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图,帮助读者理解概念。 (3)可读性强,便于自学。全书思路清晰,说理清楚,易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌
董建伟著的《几类半导体模型的理论分析》共分 五章,前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型: 量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子 Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。 我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模 型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳 态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力 学稳态模型弱解的存在性,另外我们在一维有界区间 上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰 减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型,介绍 其稳态方程组解的存在性和独有性。
《计算物理学习指导/高等学校理工科物理类规划教材辅导用书》是与《计算物理学》(刘金远等编著,科学出版社,2012年出版)相配套的辅导用书。《计算物理学》自2012年6月出版以来,广受好评,被很多院校选用,2014年9月入选国家十二五规划教材。
《常微分方程定性与稳定性方法(科学版)》是为应用数学专业的硕士生和高年级本科生所编写的一本教材。主要包括定性理论、稳定性理论和分支理论三个部分。内容着眼于应用的需要,取材精练,注意概念实质的揭示、定理思路的阐述、应用方法的介绍和实际例子的分析,并配合内容引入了计算机软件。章后有习题。 《常微分方程定性与稳定性方法(科学版)》可作为理工科专业研究生的教材和高年级本科生的选修课教材,也可供相关的科学技术人员参考。
低维半导体物理是现代半导体物理和凝聚态物理的重要组成部分,蕴藏着丰富的科学内涵。它的主要研究对象是各种低维半导体材料与结构的电子性质,在电场、光照与磁场作用下的物理性质。彭英才编著的《低维半导体物理》主要介绍了半导体超晶格与量子阱、量子线、量子点与纳米晶粒等低维体系的能带特征、电子状态、量子效应、输运性质、光学性质和磁学性质等。 《低维半导体物理》可作为普通高等学校相关专业博士研究生、硕士研究生的教材,也可供高年级本科生和相关领域的科技工作者参考阅读。
自1911年卡末林·昂内斯首次发现超导电以来,这一研究领域持续受到广泛关注,先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖,除了卡末林·昂内斯,还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗,超导电子学领域开拓者约瑟