本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以 Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以 Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。
《基于弛豫铁电单晶PMN-PT的新型器件（英文版）》一书介绍了基于铌镁酸铅-钛酸铅晶体(PMN-PT)设计开发的原型器件，初步探索了铁电材料在信息技术领域的新应用。首先，利用PMN-26PT单晶作为介电层，单层二硫化钼作为沟道半导体构筑了一种光热调控型场效应晶体管,为FET器件提供了一种新的策略。其次，采用银纳米线作为透明顶电极，在PMN-28PT晶体上单片集成了能够覆盖紫外至太赫兹范围的超宽光谱探测器。最后，通过集成摩擦电纳米发电机和铁电FET设计了一种自驱动模块。
《结晶矿物学》着重于对本学科基本概念、基本理论、基本知识和基本技能、专业应用的阐述和训练，各章末均有习题，附录为配套的实验指导书。全书共分四篇（十八章）： 篇几何结晶学基础；第二篇矿物学通论；第三篇矿物学各论；第四篇矿物资源；第五篇 矿物的合成与利用。除保留原矿物学的传统精华外，还增加了矿物新成果、矿物资源及资源的开发利用、矿物合成、矿物处理方法，硅酸盐矿物典型结构。值得说明的是，本教材 加注重与专业课之间的联系，打破了传统概念中偏理论化描述模式，明确了矿物学与材料学专业课之间的联系，增强了教材的实用性，突出了专业基础课的基本属性。
本书从微观分子角度出发系统地介绍了高分子结晶热力学、动力学和形态学的基本概念以及当前研究进展，并重点介绍了在无规共聚物、纳米空间和嵌段共聚物自组装微畴等受限条件下高分子结晶学的研究进展，附录还介绍了作
《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版）》介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的*进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。
《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。
《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第6册）：晶体生长专题（影印版）》致力于精选这一领域的部分现代课题，例如蛋白质晶体生长、凝胶结晶、原位结构、单晶闪烁材料的生长、光电材料和线切割大晶体薄膜。
经过几十年的发展，等离子体电化学原理与技术研究和应用范围不断拓展。等离子体电化学原理与技术从欧洲研究高电压阳极氧化的电压电流关系开始， 巴顿研究所系统地研究了阳极和阴极等离子体电化学原理与技术。随后北京师范大学开展阳极微弧氧化理论，西安理工大学及其他高校院所开展微弧氧化系列设备的研发和应用研究，等离子体电化学原理与技术随着电源控制技术的发展趋于成熟。等离子体电化学原理与技术已从阀金属阳极表面微弧氧化拓展至金属阴极表面的合金化和表面纳米化技术，经过几十年的发展，其名称演变有火花放电阳极氧化、微弧氧化、液相等离子体等等。因各研究者专业的不同和分析角度的不同产生差异，作者结合气体中等离子体技术，建议该技术统一称为等离子体电化学原理与技术。其中阳极表面为微弧等离子体氧化技术，阴极
......
本教材的主要内容包括：晶体学理论、X-射线晶体衍射、晶体成核和生长、晶习、多晶型控制、无定型、水合物及溶剂合物、共晶筛选方、药物晶型表征方法、新药盐型筛选方法、仿制药晶型突破筛选方法、FDA、EMA、ICH关于晶型研究指导原则。 晶体结构是化学、物理学和材料学的重要研究内容；结晶及晶型控制是材料制备、化学和医药产品生产的重要环节之一。而目前缺少相关教材，综合运用物理化学、结构化学、化工热力学、动力学和现代分析技术等知识，让化学、物理和材料专业的学生，能够 好的把晶体学理论与晶型控制实际结合起来，指导科学研究和生产实践。因此，新编教材《晶体结构与晶型控制》是理论及实际应用价值并重的教材，且填补相关领域空白。
晶体光学及光性矿物学(第3版)/曾广策 ,曾广策,中国地质大学出版社 【新华正版书籍】 作者 曾广策 原价 ￥49.00 出版社 中国地质大学出版社 出版时间 2017-11-01
本书是作者多年交叉熵算法应用和科研成果的结晶。全书共6章，主要内容包括绪论、交叉熵理论及改进算法、交叉熵算法在天线阵列综合领域中的应用、交叉熵算法在电网故障诊断领域中的应用、交叉熵算法在电机故障诊断领域中的应用、交叉熵算法在煤层气参数预测领域中的应用等。 本书的创新点是：将交叉熵算法应用到电子工程的多个领域，体现了交叉熵算法应用的广泛性；以项目化、模块化方式撰稿，除章绪论外其他各章均为省级以上研究项目成果；每章优化算法均结合Matlab语言实现，使得读者可以直观了解理论进展前沿。 本书可作为电子工程方向相关专业的研究生教材或科研参考书，也可作为对该方向感兴趣的科技人员的参考资料。
本教材的主要内容包括：晶体学理论、X-射线晶体衍射、晶体成核和生长、晶习、多晶型控制、无定型、水合物及溶剂合物、共晶筛选方、药物晶型表征方法、新药盐型筛选方法、仿制药晶型突破筛选方法、FDA、EMA、ICH关于晶型研究指导原则。 晶体结构是化学、物理学和材料学的重要研究内容；结晶及晶型控制是材料制备、化学和医药产品生产的重要环节之一。而目前缺少相关教材，综合运用物理化学、结构化学、化工热力学、动力学和现代分析技术等知识，让化学、物理和材料专业的学生，能够 好的把晶体学理论与晶型控制实际结合起来，指导科学研究和生产实践。因此，新编教材《晶体结构与晶型控制》是理论及实际应用价值并重的教材，且填补相关领域空白。
本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。篇为晶体生长的基本原理，对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态以及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(包括材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。 本书可供从事晶体生长的科研和工程技术人员阅读，也可作为该领域研究生的教学参考书。
......
