光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。
本书主要介绍微/纳机电系统(MEMS/NEMS)谐振器动力学设计理论、分析方法及应用技术。全书共9章，主要内容包括：MEMS/NEMS技术基础和MEMS/NEMS谐振器技术的发展历程与发展趋势；谐振器的工作原理、谐振结构设计理论及分析技术；谐振器件制备涉及的材料、微纳加工工艺及技术；谐振器中存在的丰富非线性现象和复杂动力学行为；微纳尺度下的能量耗散理论、阻尼特性、作用机制及测试方法；谐振器中应用的各种振动激励与检测原理及技术；通道式MEMS/NEMS谐振器检测原理、动力学设计与分析技术；微纳尺度下谐振器件的模态弱耦合作用机制、谐振器设计及传感技术；谐振器中存在的典型失效模式与失效机理，以及多种可靠性评估方法和测试技术。
本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。本书共分为6章，分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM 单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容，读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知，了解该领域的当前最新研究成果和相关技术。
《硅基射频集成电路和系统》以硅基射频集成芯片系统为核心，介绍射频电路和系统基础、射频集成电路基本理论和设计方法，以及国内外硅基射频集成电路和系统技术的*新进展。《硅基射频集成电路和系统》分为射频电路和系统设计基础知识、射频收发机集成电路技术和面向特定应用的射频集成电路与系统技术三个部分。**部分主要包括射频电路和系统基础与高频器件及模型；第二部分主要包括射频收发通道和频率综合器的关键电路技术；第三部分面向低功耗物联网、可重构射频系统和毫米波雷达等应用介绍相关射频集成电路与系统技术。
本书由Veena S. Chakravarthi博士倾力撰写，是超大规模集成电路设计领域入门者的综合指南。本书紧密结合行业前沿动态，系统梳理了SoC设计的全流程，涵盖从基础概念到复杂芯片开发的各个环节。书中不仅详细介绍了SoC的定义、组成、设计策略和开发周期，还深入介绍了逻辑设计、硬件描述语言、综合与静态时序分析、可测试性设计、设计验证、物理设计与验证及封装等各个环节，涵盖了SoC设计所需的全部关键步骤，内容丰富且系统。本书以实例设计为主，丰富的设计案例和参考实例可帮助读者更好地理解和应用所学知识。 本书适合电子、电气、计算机科学等相关专业的学生，以及VLSI设计领域的初学者和从业者，可帮助他们掌握必 备技能，应对行业挑战。
本书共19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（Design for Manufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等内容。再版时加强了半导体器件方面的内容，增加了先进的FinFET、3D NAND存储器、CMOS图像传感器以及无结场效应晶体管器件与工艺等内容。
《高密度电路板技术与应用》是 PCB先进制造技术 丛书之一。《高密度电路板技术与应用》针对电子产品小型化、多功能化带来的IC节距减小、信号传输速率提高、互连密度提高、线路长度局部缩短，讲解高密度线路及微孔制作技术。 《高密度电路板技术与应用》共15章，分别介绍了高密度互连技术的演变，高密度电路板的结构、特性、材料、制程，以及线路与微孔制作工艺、表面处理、电气测试、质量评价；还介绍了埋入式元件、先进封装与系统封装等前沿技术。
本书将全新的穿越方程和高频电磁场结构仿真软件(HFSS)相结合，对各类微波铁氧体器件进行了仿真设计。列举了各种结构的环行器、隔离器的设计范例，探索了获得高性能、高稳定性和高可靠性的设计途径，对其非互易性应用穿越方程进行了深入探讨；对各类变场器件如移相器、开关进行了仿真设计，应用穿越方程对其非互易相移、开关相移(或差相移)和磁化相移进行计算，提供了有效设计数据；对幅/相可控类器件如变极化器和全极化器介绍了多种实施方案，给出了仿真设计结果，理论上对法拉第旋转和变极化机制进行了探讨，用穿越方程计算了双模器件的变极化系数。在设计层面上具有一定的创新性；从旋磁理论层面上，给出了各类器件各种形式的三维电磁场穿越方程，弥补了经典旋磁器件理论中**方程的局限性。
后摩尔时代将硅通孔（through silicon via，TSV）技术等先进集成封装技术作为重要发展方向。本书系统介绍作者团队在TSV三维集成方面的研究工作，包括绪论、TSV工艺仿真、TSV工艺、TSV三维互连电学设计、三维集成微系统的热管理方法、三维集成电学测试技术、TSV转接板技术、TSV三维集成应用、发展趋势。为了兼顾全面性、系统性，本书综述国内外相关技术进展。
材料作为当今社会现代文明的重要支柱之一，在科技发展的今天发挥着越来越重要作用。材料科学与工程基础类课程是各高等院校材料专业的必修课和核心专业课。本书在材料科学与工程类课程基础上，结合当今材料专业的现状和材料人才的发展需求，以集成电路材料学科中的基础理论和工程工艺问题为主线，与相关学科和学科分支交叉，应用于集成电路材料设计、制备、成型、性能和工艺等关键问题的求解。本书主要介绍材料化学方面的基础知识，包括材料的组成、材料的结构、材料的性能、材料的制备与成型加工，以及集成电路衬底、工艺和封装三大类材料与制备工艺。
《软件定义芯片》共分上、下两册，本书为下册。通过回溯现代通用处理器和编程模型协同演化历程分析了软件定义芯片编程模型的研究重点，介绍了如何利用软件定义芯片的动态可重构特性提升芯片硬件安全性和可靠性，分析了软件定义芯片面临的挑战并展望未来实现技术突破的发展方向，涵盖了软件定义芯片在人工智能、密码计算、5G通信等领域的最新研究以及面向未来的新兴应用方向。
《软件定义芯片》共分上、下两册，本书为上册。主要从集成电路和计算架构的发展介绍软件定义芯片的概念演变，系统分析了软件定义芯片的技术原理、特性分析和关键问题，重点从架构设计原语、硬件设计空间、敏捷设计方法等方面系统介绍了软件定义芯片硬件架构设计方法，并从编译系统角度详细介绍了从高级语言到软件定义芯片配置信息的完整流程。
本书讲解了集成电路的基础理论，阐述了集成电路设计、制备工艺、封装以及测试方法，介绍了新型材料、新型工艺、新型封装等 知识。 主要内容包括：集成电路技术基础、半导体物理、半导体器件、集成电路制造工艺技术、集成电路设计、集成电路封测技术、半导体技术发展。 本书注重可读性和易学性，借助实例将各部分知识整合，通俗易懂，深入浅出，可供集成电路、芯片、半导体及相关行业的工程技术人员及入门级读者使用，也可作为教材供高等院校相关专业师生学习参考。
