本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理,分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础,分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术,分4章分别对以 Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以 Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。
本书是在研究生工作办公室的研究生教材《现代晶体化学——理论与方法》一书的基础上,与时俱进修改补充完善而成的。《BR》 全书共有十四章。系统介绍了晶体化学的形成和发展,晶体几何学理论,倒易点阵及晶体衍射方向,晶体化学基本原理,晶体生长与晶体合成,晶体结构缺陷,准晶体学基础,单质、氧化物及类似物的晶体化学,硅酸盐晶体化学,配合物晶体的设计与合成,几种新颖配合物的晶体化学,纳米材料晶体化学,晶体的X射线分析,晶体的显微分析等。内容安排符合教学要求,富有启发性,有利于学生素质、能力的培养和提高;理论论证科学,实践性也很强,及时、准确地反映了国内外的先进成果。
《Springer手册精选系列?晶体生长手册(第2册):熔体法晶体生长技术(影印版)》介绍体材料晶体的熔体生长,一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺,以及这些方法的近期新进展,例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。