本书是在研究生工作办公室的研究生教材《现代晶体化学——理论与方法》一书的基础上，与时俱进修改补充完善而成的。《BR》 全书共有十四章。系统介绍了晶体化学的形成和发展，晶体几何学理论，倒易点阵及晶体衍射方向，晶体化学基本原理，晶体生长与晶体合成，晶体结构缺陷，准晶体学基础，单质、氧化物及类似物的晶体化学，硅酸盐晶体化学，配合物晶体的设计与合成，几种新颖配合物的晶体化学，纳米材料晶体化学，晶体的X射线分析，晶体的显微分析等。内容安排符合教学要求，富有启发性，有利于学生素质、能力的培养和提高;理论论证科学，实践性也很强，及时、准确地反映了国内外的先进成果。

《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。

本书从晶界与晶体塑性关系着手，基于原子尺度、纳观尺度、微观尺度、介观尺度和宏观尺度，系统介绍了晶界基本结构与晶体材料力学行为之间的关系，强调了晶界对于工程应用领域中的多晶体材料所具有的重要意义。本书共六章，第 1 章为晶界结构与缺陷，第 2 章为晶界变形的基本机制，第 3 章为冷变形晶界 ? ，第 4 章为蠕变与高温塑性——晶界动力学，第 5 章为晶间疲劳，第 6 章为晶间偏析与晶体材料的断裂。

《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。

《光折变非线性光学材料：铌酸锂晶体》介绍用提拉法和顶上籽晶溶液法生长同成分和近化学计量比掺杂铌酸锂晶体，研究其晶体生长工艺、缺陷结构、抗光损伤、光学性能、光折变性能、全息存储性能和倍频性能，并介绍大容量体全息存储、位相共轭、全息关联存储、波导和倍频的应用研究。全书分掺杂铌酸锂晶体的基础理论、铌酸锂晶体应用基础理论和应用研究等三大部分，共十七章。《光折变非线性光学材料：铌酸锂晶体》可供材料、物理、化工和光信息存储等专业的科技人员和研究生参考。

物理是一种想象力 物理是一种思维方式 量子力学，量子逻辑，狭义相对论．广义相对论 这些都是人类心灵自由创造出采的观念 《像物理学家一样思考》给你一个起步，一种启发 物理，吾理，掘理，悟理，无理…… 你的想象力有多大，你的思维方式就有多独特 你就越接近自然界的本相 祝 读书快乐 所有过去的一切，以及所有未来的一切，对每一个个体而言，都在一个点上相会并且是永远相会。這个点就是“现在”。 忽略物理学与东方哲学的相像是愚蠢的。21世紀的物理学课程很可能将包括打坐在内。 客观这种东西是没有的。我们没有办法把自己从图画中抹掉，我们是自然界的一部分。我们在研究自然界的时候。自然界就是在研究自己。 自然的物理学就跟人的经验一样，变 化无穷。 人类智力对实相的终极本质深刻的探索将要达到一个高峰，这个高峰

《Springer手册精选系列？晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版）》介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的近期新进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。

《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版）》介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的*进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。