本书共包括15章：章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺；第9章详细介绍了刻蚀工艺；0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积（ALD）工艺过程；1章介绍了金属化工艺；2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺；3章介绍了工艺整合；4章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程；5章总结了本书和半导体工业未来的发展。

本书是“现代学徒制教学标准”重量教学改革项目的建设成果。全书分为SMT物料基础、SMT物料的编码管理规则、SMT物料管理系统和MINI音箱物料管理实训，共计4章，前3章系统地讲述了各种物料的识别与检测、SMT物料管理编码管理规则和SMT物料管理系统，第4章为综合实训部分，完整地阐述了电子产品物料按照生产计划进行的物料采购、仓库管理、物料的领用等过程。

本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期，不要求必须开设相应的实验课。同时，本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。 本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史，并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术；扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤，包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨

本书重点介绍了新的ARM架构、指令集的总结、硬件特性以及调试系统的概览。本书还提供了一些程序示例，并且在其中讲解了使用GNU工具链与ARM工具的基本方法与步骤。主要内容包括：ARM架构的背景、Cortex?M3入门、操作模式、异常与中断、汇编语言基础、存储器系统、Cortex?M3上的汇编与C编程、开发流程、电源管理、多处理机通信、开发工具、调试、Keil RealView MDK使用入门等。随书附光盘1张，内含ARM Cortex?M3相关文章及Keil RealView MDK评估软件等。 本书适用于使用ARM Cortex?M3微控制器的研发人员作为技术、编程参考，也可作为Cortex?M3微控制器教学或培训用教材。

本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。

本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状，并包括了新的教学手段，以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术，而且检验了现有技术的新解释和新应用。 本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法，包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个修订和更新的第3版，包括： 反映新数据和信息的更新及订正图表和实例 260个新的参考文献有关新的研究和讨论的专题 每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题 读者将在每章中找到完全更新和修订的节。 另外还增加了两个新章节： 基于电荷和探针的表征方法引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量，包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道