本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章,包括引论,半导体的高分辨X射线衍射,光学检测与分析,表面、薄膜成分分析,扫描探针显微学在半导体中的运用,透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例,同时附有大量参考文献和常用的数据,以便读者进一步参考和应用。
本书以简明的形式介绍了半导体的基本物理现象、物理性质、物理规律和基本理论。内容包括:晶体结构与晶体结合、半导体中的电子状态、载流子的统计分布、电荷输运现象、非平衡载流子、半导体表面、PN结、金属-半导体接触、半导体的光学性质等。
《异质结双极晶体管:射频微波建模和参数提取方法》是作者在微波和光通信技术领域多年工作、学习、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结。主要目的是通过对作者在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件模型研究和测试技术方面所作的研究工作加以回顾和总结,以利于今后研究工作的深入开展。《异质结双极晶体管:射频微波建模和参数提取方法》的核心内容源自作者单独或者与新加坡、德国和加拿大研究学者合作发表在国际重要期刊的文章,作者希望这些想法、概念和技术能够为国内外同行共享。
功率半导体器件又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础,详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件,包括 pin 二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容,《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时,作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家,作者斯蒂芬 林德( Stefan Linder )还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析,力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书,也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。
本书在介绍半导体照明器件 发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时,详细讲解了器件的光 电参数测试方法,器件的可靠性分析、驱动和控制方法,以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统、 全面,通过理论联系实际,重点突出了 半导体照明 主题,反映了国内外*的应用技术。
《新型超导体系相关系和晶体结构》是在1994年出版的《高Tc氧化物超导体系相关系和晶体结构》一书的基础上,根据近10余年来这一领域的研究成果及*研究进展重新撰写而成。高Tc氧化物超导体是20世纪80年代迅速发展起来,具有重要应用前景的超导材料。全书共四章,章主要论述高Tc氧化物超导体系的相关系,并扼要介绍相图、相变的基本概念及相图和晶体结构测定的基本方法。第二章介绍一些主要高Tc超导单晶体的生长方法。第三章和第四章分别论述铜基氧化物超导体和非铜超导体的晶体结构。《新型超导体系相关系和晶体结构(精)》可供从事超导材料、超导物理以及超导应用的科研工作者和高等院校相关专业的师生参考。
本教材简要介绍了半导体器件基本结构、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品,以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程,工艺设备、工艺参数、质量控制及工艺模拟的相关内容。