本书力求深入浅出、浅显易懂。面向的对象既包含具有一定半导体知识的读者，也包含与半导体商务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、感兴趣的职场人士、学生等。书中包含了专业性的描述，但大多数内容都尽量写得通俗易懂。有些地方如果不能马上理解，积累经验后再读就容易理解了。此外，对于有一定经验的读者，通过整理自己的知识，尝试去理解相关联的其他领域，也不失为一种有益的方法。
本书以简洁明了的结构向读者展现了半导体制造工艺中使用的设备基础和构造。全书涵盖了半导体制造设备的现状以及展望，同时也对清洗和干燥设备、离子注入设备、热处理设备、光刻设备、蚀刻设备、成膜设备、平坦化设备、监测和分析设备、后段制程设备等逐章进行解说。虽然包含了很多生涩的词汇，但难能可贵的是全书提供了丰富的图片和表格，帮助读者进行理解。相信本书一定能带领读者进入一个半导体制造设备的立体世界。 本书适合从事半导体与芯片加工、设计的从业者，以及准备涉足上述领域的上班族和学生阅读参考。 此版本仅限在中国大陆地区（不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区）销售。
本书共分九章，系统阐述了开关电源的控制环路设计和稳定性分析。第1～3章介绍了环路控制的基础知识，包括传递函数、零极点、稳定性判据、穿越频率、相位裕度、增益裕度以及动态性能等；第4章介绍了多种补偿环节的设计方法；第5～7章分别介绍了基于运放、跨导型运放以及TL431的补偿电路设计方法，将理论知识与实际应用密切关联；第8章介绍了基于分流调节器的补偿器设计；第9章介绍了传递函数、补偿环节与控制环路伯德图的测试原理和方法。本书将电源环路控制的知识点进行了系统的汇总和归纳，实用性强，是一本非常的电源控制环路设计的著作。 本书适合电源工程师、初步具备电力电子技术或者开关电源基础的读者，可以较为系统地了解开关电源控制环路设计的理论知识、分析方法、工程实践设计以及测试分析等，在工程实践的基础上，大大提高理论
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对 关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对 crosstalk，高dv/dt的影响与应对 共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。
本书是围绕集成电路芯片发展和新一代信息产业技术领域（集成电路及专用设备）等重大需求，编著的集成电路芯片制程设备通识书籍。集成电路芯片作为信息时代的基石，是各国竞相角逐的 国之重器 ，也是一个国家高端制造能力的综合体现。芯片制程设备位于集成电路产业链的上游，贯穿芯片制造全过程，是决定产业发展的关键一环。本书首先介绍了集成电路芯片制程及其设备，并着重分析了芯片制程设备的国内外市场环境；然后，针对具体工艺技术涉及的设备，详细综述了设备原理及市场情况；并对我国集成电路芯片制程设备的发展做了总结展望。本书可为制造业企业和研究机构提供参考，也可供对集成电路芯片制程设备感兴趣的读者阅读。
本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以人物与公司传记为主，适用于绝大多数对半导体产业感兴趣的读者；部分内容涉及少许与半导体产业相关的材料理论，主要为有志于深入了解半导体产业的求职者或从业人员准备，多数读者可以将这些内容略去，并不会影响阅读的连续性。
本书主要讲解PLC的通信原理，并着重于实践：首先讲解基础通信理论，其次介绍PLC通信协议，然后使用C#作为开发工具，根据通信协议来开发对应的实例，实现计算机与PLC的通信，并且给出了实例代码和相关界面。这种理论联系实际的方式可以使读者在了解PLC通信协议的同时，了解串口和Socket编程，从而更加深刻地理解PLC的通信原理和实际应用。
本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦 玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。 本书主要面向具有高中数理基础的半导体初学者，也可供半导体、芯片从业者阅读。
本书将完全按照深入浅出的思路，以任务为导向，加以精准的理论说明，*终以任务实现的完整过程对SIMATIC WinCC V7.4进行全面的介绍。 针对任务,将 WinCC 中相关的功能进行了详细的理论说明，使读者够充分地了解 WinCC 的工作机制及原理。通过相关的理论说明及介绍，使读者能够掌握相关知识并结合自身想法去实现任务。在每个章节的*后部分，以Step-by-Step的方式，将任务实现的过程清晰地呈现给读者以达到浅出效果。 在本书中，还会以条目ID的方式嵌入基于西门子官方总结出的用户常问问题并提供官方相关FAQ链接。 本书可以使工控行业用户中的新手快速入门。也可以使具有相关 WinCC 使用经验的工程师借鉴及参考，以提高使用水平。也可用作大专院校相关专业师生的学习资料。
S7-1200 PLC上市多年,在工业自动化控制领域得到了广泛的应用。S7-1200 PLC集成了高速脉冲计数、PID、运动控制等功能，在中小型PLC控制系统中具有工程集成度高，实现简单的特点。同时借助西门子新一代框架结构的TIA博途软件，可在同一开发环境下组态开发PLC、HMI和驱动系统等，统一的数据库使各个系统之间轻松、快速地进行互连互通，真正达到了控制系统的全集成自动化。 本书深入浅出地介绍了在TIA博途V14 SP1环境下如何组态和使用S7-1200 PLC的PROFINET、PROFIBUS、Modbus RTU、Modbus TCP通信，以及编程、Web服务器、PID控制、高速计数、运动控制、轨迹追踪等功能，并且在每章都汇总了应用中的常见问题，为读者答疑解惑。 本书所介绍的示例项目请关注“机械工业出版社E视界” 公众号，输入书号65850下载或联系工作人员索取。 本书适合新手快速入门，可供有一定经验的工程师
SIMATIC S7-1500 PLC自动化系统集成大量的新功能和新特性,具有卓越的性能和出色的可用性。借助于西门子新一代框架结构的TIA博途软件,可在统一开放环境下组态开放PLC、人机界面和驱动系统等。统一的数据库使各个系统之间可以轻松快速地进行互连互通,真正达到了控制系统的全集成自动化。 本书以TIA 博途软件V18为基础,介绍了SIMATIC S7-1500产品的硬件、软件的最新功能和应用,例如SIMATIC S7-1500R/H冗余系统、PLCSIM Advanced 仿真器的使用和编程接口、访问保护、团队编程和调试功能、SiVArc自动生成HMI画面功能和ProDiag带有程序显示的报警功能,使工程项目的开发和调试更加方便和快捷。 本书还介绍了FB、FC的应用,新指针与原有SIMATIC S7-300/400PLC指针应用的对比及优势,基于Web的诊断方式等。对读者关心的程序标准化问题以及将SIMATIC S7-300/400 PLC程序移植到SIMATIC S7-1500 PLC 中容易遇到的
本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为10章，包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、硅功率半导体的发展、挑战硅极限的SiC与GaN、功率半导体制造过程的特征、功率半导体开辟绿色能源时代等。 本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对功率半导体感兴趣的职场人士和学生阅读。
本书主要依托Cadence IC 617版图设计工具与Mentor Calibre版图验证工具，在介绍新型CMOS器件和版图基本原理的基础上，结合版图设计实践，采取循序渐进的方式，讨论使用Cadence IC 617与Mentor Calibre进行CMOS模拟集成电路版图设计、验证的基础知识和方法，内容涵盖了纳米级CMOS器件，CMOS模拟集成电路版图基础，Cadence IC 617与Mentor Calibre的基本概况、操作界面和使用方法，CMOS模拟集成电路从设计到导出数据进行流片的完整流程。同时分章节介绍了利用Cadence IC 617版图设计工具进行运算放大器、带隙基准源、低压差线性稳压器等基本模拟电路版图设计的基本方法。*后对Mentor Calibre在LVS验证中典型的错误案例进行了解析。 本书通过结合器件知识、电路理论和版图设计实践，使读者深刻了解CMOS电路版图设计和验证的规则、流程和基本方法，对于进行CMOS模拟集成电路学习的在校高年级
近年来由于脑科学与人工智能技术的迅猛发展，脑机接口技术得到了长足的进步和飞速的发展，已逐渐成为当前神经工程领域中*活跃的研究方向之一，在生物医学、神经康复和智能机器人等领域具有重要的研究意义和巨大的应用潜力，应用领域也在逐渐扩大。本书从电路和系统层面，介绍了实现脑机接口集成电路的若干关键核心技术。在电路层面，作者介绍了具有电容反馈低噪声放大器和电容衰减带通滤波器的低功率神经信号调节系统，以及几种分别基于电压域、电流域和时间域等方法实现的A/D转换器，并从电路架构层次评估了如何在噪声、速度和功耗之间进行折衷。在系统层面，作者介绍了基于非线性能量算子尖峰探测和基于核函数的多类支持向量机分类的128通道可编程神经尖峰信号分类器。另外，还提出了在神经接口设计中应对工艺偏差的多变量优化方法。
作者通过分享自身经验，为读者提供一本以工程实践为主的集成电路测试参考书。本书分为五篇共10章节来介绍实际芯片验证及量产中半导体集成电路测试的概念和知识。第1篇由第1章和第2章组成，从测试流程和测试相关设备开始，力图使读者对于集成电路测试有一个整体的概念。第二篇由第3~5章组成，主要讲解半导体集成电路的自动测试原理。第三篇开始进入工程实践部分，本篇由第6章的集成运算放大器芯片和第7章的电源管理芯片测试原理及实现方法等内容构成。通过本篇的学习，读者可以掌握一般模拟芯片的测试方法。第四篇为数字集成电路的具体实践。我们选取了市场上应用需求量大的存储芯片（第8章）和微控制器芯片（第9章），为读者讲述其测试项目和相关测试资源的使用方法。第五篇即第10章节，使读者了解混合信号测试的实现方式，为后续的进阶打
本书参照作者出版的3G、4G畅销书，为读者理解5G NR无线接入网技术提供了一个全新的视角。本书除了介绍5G技术发展背景、市场需求、频谱分配和标准化时间表，以及5G NR R15 RAN的各项技术特点，内容还涵盖了NR物理层结构、高层协议、射频和频谱实现，以及NR与LTE共存和互通。本书不仅详解NR技术各个组成部分的基本知识，还为读者揭示了为什么选择了某个技术解决方案的成因。本书第二版全新阐述了5G NR在2020年冻结并发布的R16版RAN技术细节，更新一些全新的章节和内容，包括未授权频谱中的NR、Rel-16中的NR-U、IAB、Rel-16中的V2X和端到端直连、工业物联网、针对PDCCH的URLLC增强的工业物联网，以及RIM/CL和定位的URLLC增强。还包括NR相关的关键技术要求、设计原则、基本NR传输结构的技术特征（显示它是从LTE继承的，从哪里偏离的）和NR多天线传输功能的原因，详细描述初始N
自动化技术在不断地升级、创新，西门子公司作为自动化领域的领导者，不断地推出新产品和新技术。 本书主要介绍了学习和开发运动控制器的基础知识，第1章介绍了产品的软硬件结构及相关选型工具，典型方案的配置，并且以仿真软件为例进行运动控制编程的初期准备；第2章以PROFIdrive为基础进行通信的操作说明，介绍了西门子公司各种伺服驱动器的组态、优化和配置；第3~6章介绍了各种工艺对象的使用，并且给出了实战案例；第7章介绍了故障安全功能，通过安全运动控制器和驱动器的安全功能的结合从而保证人身和设备的安全；第8章以数字化概念为核心，通过多个案例介绍了数字化虚拟调试过程；第9章介绍了常用标准化、模块化的高效程序库 。 本书每个章节互相独立、深入浅出、内容完整，并配有大量的例图，便于读者学习和掌握。 本书具有较强的实用价
本书系统讲解了目前主流五大类（LED、LCD、VFD、OLED、EPD）显示器件的工作原理与应用，包括典型驱动芯片架构、显示模组电路（含必要的背光、灯丝电源）及相应的软件驱动设计，全面揭示了从芯片至模组再到驱动设计的整个流程，同时深入探讨了BOOST 开关电源、电荷泵、脉冲宽度调制、恒流源、总线保持器、温度补偿、伽马校正、模拟开关等硬件电路及常用控制接口（含8080/6800、SPI、UART、I2C 等）。
本书重点讨论了与氮化镓（GaN）器件相关的内容，共分15章，每一章都围绕不同的主题进行论述，涵盖GaN材料、与CMOS工艺兼容的GaN工艺、不同的GaN器件设计、GaN器件的建模、GaN器件的可靠性表征以及GaN器件的应用。本书的特点是每一章都由全球不同的从事GaN研究机构的专家撰写，引用了大量的代表新成果的文献，适合于从事GaN技术研究的科研人员、企业研发人员，以及工程师阅读，也可作为微电子及相关专业的高年级本科生、研究生和教师的参考用书。
本书为学术界和工业界的研究生和专业人士提供了全面的参考指南，内容涉及三维微电子封装的基本原理、技术体系、工艺细节及其应用。本书向读者展示了有关该行业的技术趋势，使读者能深入了解*新的研究与开发成果，包括TSV、芯片工艺、微凸点、直接键合、先进材料等，同时还包括了三维微电子封装的质量、可靠性、故障隔离，以及失效分析等内容。书中使用了大量的图表和精心制作的示意图，可以帮助读者快速理解专业技术信息。读者通过本书将全面地获得三维封装技术以及相关的质量、可靠性、失效机理等知识。此外，本书还对三维封装技术尚在发展中的领域和存在的差距做了介绍，为未来的研究开发工作带来有益的启发。 本书适合从事集成电路芯片封装技术的工程师、科研人员和技术人员阅读，也可作为高等院校微电子封装工程专业的高年级本科生
本书对基本的电气和电子概念、工程电路及应用、故障排查进行了全面而实用的阐述，分为直流电路、交流电路和元器件三个部分。本书提供大量的工程电路应用实例，电路测试、调试与计算机仿真贯穿始终，步骤详细的例题、形式多样的练习便于读者自学。众多技术和安全小贴士等加强了理论与实践的联系，并帮助读者加强工程思维并学以致用。本书是第9版，对部分内容进行了更新和修订，以满足当前的行业标准，包括电池技术和可再生能源等主题。
《微电子引线键合（原书第3版）》翻译自乔治哈曼（George Harman）教授的著作Wire Bonding in Microelectronics（3rd Edition），系统总结了过去70年引线键合技术的发展脉络和*新成果，并对未来的发展趋势做出了展望。主要内容包括：超声键合系统与技术、键合引线的冶金学特性、引线键合测试方法、引线键合金属界面反应、键合焊盘镀层及键合可靠性、清洗、引线键合中的力学问题等，*后讨论了先进引线键合技术、铜/低介电常数器件—键合与封装、引线键合工艺建模与仿真。 本书适合从事微电子芯片封装技术以及专业从事引线键合技术研究的工程师、科研人员和技术人员阅读，也可作为高等院校微电子封装工程专业的高年级本科生、研究生和教师的教材和参考书。
集成电路已进入纳米世代，为了应对集成电路持续缩小面临的挑战，鳍式场效应晶体管（FinFET）应运而生，它是继续缩小和制造集成电路的有效替代方案。《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》讲解FinFET器件电子学，介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。 《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型。 《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》内容详实，器件物理概念清晰，数学推导详尽严谨。《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》
