本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术,其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期,不要求必须开设相应的实验课。同时,本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。 本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史,并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术;扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤,包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨
本书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解器件和技术发展的参考资料、首先,章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。接着,本书分为三个部分: 部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在本书接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。 第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。 第3部分(0-14章)则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技
本书共11章,以硅集成电路为中心,重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大,设计可靠性越来越重要,在设计阶段借助可靠性仿真技术,评价设计出的集成电路可靠性能力,针对电路设计中的可靠性薄弱环节,通过设计加固,可以有效提高产品的可靠性水平,提高产品的竞争力。
《半导体激光器理论基础》针对半导体激光器,强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括:光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。 《半导体激光器理论基础》可以作为光电子专业研究生课程的试用教材,也可以供相关专业的教师和科技人员参考。