本书对坩埚下降法的历史进行总结回顾，并分章节重点介绍几种功能晶体的生长和应用，其中包括闪烁晶体锗酸铋、硅酸铋及其混晶，四硼酸锂压电晶体生长与应用，卤化物晶体坩埚下降法生长与闪烁性能，钨酸铅闪烁晶体及其在大科学工程中的应用，弛豫铁电单晶生长于表征进展，钨酸镉闪烁晶体的坩埚下降法生长研究，中红外非线性光学晶体磷化锗锌和砷化锗镉的生长与表征等。此外，依据研究对象和目的的不同，本专著还对坩埚下降法的一些技术创新工作进行了介绍。

液晶高分子是在液晶科学和高分子科学两个较新学科得到很大发展的基础上，从本世纪70年代迅速发展起来的，并得到学术界和工业界同时关注与重视。液晶高分子或者具有超过其它结构材料的力学性能，或可提供其它材料所不能比拟的其它物理性能。因此，短短十几年间已成功地实现了几大类液晶高分子产品的工业化，并获得巨额利润。另外，研究物质液晶态对于了解物质的结构以及与此相应的结构与性能的关系，从而使材料体现并充分发挥有用的特性也是至关重要的。 《液晶高分子》在介绍液晶高分子基本概念和基本理论的基础上，重点讨论液晶高分子的结构与性能的关系，并分别对作为结构材料和功能材料的液晶高分子进行讨论，还重点讨论高分子液晶态的表征与研究方法。《液晶高分子》既是本学科的理论概括，又是作者实际工作的经验总结。 《

液晶高分子是在液晶科学和高分子科学两个较新学科得到很大发展的基础上，从本世纪70年代迅速发展起来的，并得到学术界和工业界同时关注与重视。液晶高分子或者具有超过其它结构材料的力学性能，或可提供其它材料所不能比拟的其它物理性能。因此，短短十几年间已成功地实现了几大类液晶高分子产品的工业化，并获得巨额利润。另外，研究物质液晶态对于了解物质的结构以及与此相应的结构与性能的关系，从而使材料体现并充分发挥有用的特性也是至关重要的。 《液晶高分子》在介绍液晶高分子基本概念和基本理论的基础上，重点讨论液晶高分子的结构与性能的关系，并分别对作为结构材料和功能材料的液晶高分子进行讨论，还重点讨论高分子液晶态的表征与研究方法。《液晶高分子》既是本学科的理论概括，又是作者实际工作的经验总结。 《

《晶体中的位错（重排本）》成书背景如下：位错理论在本世纪30年代发源于英国，成熟于40年代末，得到国际学术界广泛的重视。而我国由于受苏联学术界的影响，位错理论一时无法推广。直至1959年，钱临照才开始在物理研究所内写讲义，讲授和讨论这个国际公认的学说。随后，举行了两次全国性的晶体缺陷和金属强度的讨论会。钱临照和杨顺华合写了10万字的《晶体中位错理论基础》赴会报告，后集结成册出版，向那一代物理学工作者介绍了此领域的基本理论，对他们的科研与工作具有很大的指导意义。

内容简介

分子科学是化学的核心，是研究分子的结构和性质的科学，是创造新物质的科学，也是物质科学研究的核心和前沿之一。研究分子和物质的创造及其转化已成为化学科学本身面临的最根本的任务之一。 本书共分10章，介绍了目前分子科学前沿领域的研究动态。章概述分子科学的定义、发展历程、研究内容和领域，以及未来的发展方向和挑战等，第2～10章具体探讨了分子科学研究某一领域的研究概况和的进展，并且对该领域未来的发展进行了展望。

伊凡·V·马尔可夫著牛刚、王志明译的《晶体生长初步(成核晶体生长和外延基础第2版)(精)/材料科学经典著作选译》是一本关于成核、晶体生长和外延的经典教科书，也是一本对于材料、物理、电子类专业的高年级本科生、研究生以及相关研究人员、教师的很好有价值的参考书。与该领域同类的书籍相比，本书不但是很早的专著之一，而且也是影响力很大的一本。 本书没有过多涉及晶体生长和外延的相关基本技术手段，而是集中笔墨介绍了关于晶体生长和外延的热力学和原子动力学理论，并将这些理论与实际中遇到的现象紧密结合在一起，作了深入浅出的解释。本书内容翔实、结构清晰、说理明快，读者会有很大收获。