本书是普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材之一，主要介绍半导体的晶体结构以及缺陷理论。全书的主要内容包括晶体的性质，晶体的构造理论，晶体的对称性理论，晶体的晶向和晶面，半导体材料及电子材料晶体结构的特点及性质，半导体中的点缺陷、线缺陷和面缺陷，以及半导体结构的表征技术。

本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。

本书主要介绍二维半导体物理的国际研究近况和本书作者近的研究成果，着重在物理方面，内容包括二维半导体的结构、电子态、性原理计算方法、紧束缚方法、声子谱、光学性质、输运性质、缺陷态、磁性二维半导体、催化作用等。每一章开始先简单介绍三维半导体的有关性质和理论，读者可以比较三维和二维的差别和相同之处。

本书是吴亚非主编的《大学物理》（第二版）教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点，并做了适当的扩展，另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。

本书是普通高等教育“十一五”***规划教材。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器等。

半导体材料是二级学科“微电子与固体电子学”的一个分支学科，本书将这一分支学科的专业知识划分为半导体材料概述、物理性能、晶体生长、热处理、性能测量和工艺基础技术6个组成部分，通过把分散在众多教科书、专著和文献资料中的专业知识系统地纳入这一学科体系框架，使之成为一本全面介绍半导体材料物理知识、工艺基本原理和实用化技术的专业书籍。由于篇幅的限制，本书并未深入涉及物理学基本原理的推导、各种材料的性能参数和各类制备工艺的技术细节，需要时读者可运用搜索引擎来获取相关的内容。

松下照男编著的《超导体中的磁通钉扎》主要讲述了普遍存在于金属超导体、高温超导体和MgB2超导体等材料中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的电磁现象，利用源于非超导杂质或晶界的凝聚能相互作用和Nb—Ti中人工Nb钉扎的动能相互作用对超导体的磁通钉扎机制进行了阐释。书中详细地论述了与临界电流密度相关的求和理论，也讨论了由磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。该交流损耗源于非超导杂质中电子运动的阻尼损耗，而该运动则源于磁通运动引起的电场，读者将了解到为什么这个原因也能造成磁滞型的交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡旋相图的影响，另外描述了超导体的各向异性、晶粒尺寸、电场强度等对不可逆场的影响。本书也介绍了 近一段时期的各种高温超导体和MgB2超导体临界电流特性的研究进展。 本书还涉及以下方