本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
nbsp nbsp《d-Wave Superconductivity（d波超导体）》以高温超导体为背景，主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质，作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果；强调物理图像的描述，对重要的理论结果都有比较完整的推导，反映了作者对高温超导前沿问题的理解，同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念，并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念，例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等，也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质，其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为，d波超导体准粒子的
金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点，被认为是新一代理想的半导体材料，制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上，本书系统地介绍金刚石本征缺陷与杂质缺陷的光致发光特性，并在此基础上构建缺陷结构模型，揭示光致变色机理。
本书从半导体物理学与现代高科技之间互为驱动的关系出发，在纵观近三十年来国内外重大进展的基础上，研讨了半导体物理学各个分支学科涌现出来的新概念、新突破和新方向，以及它们对半导体物理学学科发展的影响与贡献，分析了半导体物理学的研究现状及面临的挑战和机遇。
《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后，比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法，同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序，用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析，从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外，《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读，对该领域的研究生也会有所裨益。
格伦德曼所著《半导体物理学（第2版）》是一部分讲述半导体物理学的教材，为高年级本科生、研究生学习这门学科提供了大量丰富的材料，使得读者能够进入更深层次的学习和研究。一方面，这部教材是固态物理学和半导体物理之间的一个很好的平衡；另外一方面，是各种各样的半导体设备和它们在电子和光子设备中应用的很好展示。书中强调了半导体，如合金、异质结构、纳米结构等领域的实际应用方面，这些都是半导体物理学研究不可或缺，但又常常被忽略。
《超导电性：第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》较系统地介绍第二类超导体和弱连接超导体的性质、理论和应用。全书选材偏重于实用方面，对和实际应用有关的物理问题，书中尽可能阐述清楚；对目前距离实际应用还较远或没有关系的内容，则予以略去，或者只是简单地提及。具体内容为：理想第二类超导体，非理想第二类超导体，超导材料的临界电流密度和显微结构的关系，磁通跳跃，退化和稳定方法，交流损耗，弱连接超导体，伏安曲线的阶梯结构，电磁波的产生、混频和检测，超导量子干涉器等。 《超导电性：第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》可供从事超导电性应用和实验工作的科技工作者和大学物理系低温专业师生参考。
本书介绍了半导体自旋物理学当前研究全貌，共13章，每章都是由从事该方向研究多年、长期处于研究前沿的专家撰写。 在概述了半导体物理学和自旋物理学的基本知识之后，本书重点介绍了当前研究的热点和重要成果，在实验技术和实验测量方面的描述更为详尽。 本书可供对半导体自旋物理学感兴趣的研究生和初次涉足这一领域的研究人员使用，对该领域的一线研究人员也极具参考价值。
《半导体异质结物理》总结了国内外半导体异质结方面的研究成果，较系统地介绍了半导体异质结的基本物理原理和特性.《半导体异质结物理》共分10章，内容有半导体异质结材料特性、能带图、伏安特性、异质结晶体管、二维电子气及调制掺杂器件、异质结中非平衡载流子特性、半导体异质结激光器、半导体异质结的光电特性、氮化嫁异质结、超晶格和多量子阱。
《超导体中的磁通钉扎》主要介绍了超导体中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的各种电磁现象,详细的论述了同临界电流密度相关的所有理论，也讨论了由于磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡流相位图像的影响，描述了另外一些参数对不可逆场的影响，例如超导体的各向异性、晶粒大小、电场强度等。本书也解释了接近理想状态的超导材料中交流损耗的减少主要来自于二维钉扎中起主导作用的可逆磁通运动。本书还涉及到以下方面：超导体中电流和磁场平行时同约瑟夫森效应相悖的现象；同临界态模型相悖的钉扎势中的可逆磁通运动现象；建立在临界态模型上的磁通钉扎中的小的能量损耗现象等等。本书可供广大涉及超导研究的科研人员参考，也可作为高等院校相关学科的选用教材。本书为中外物理学精品书系
本书在第二版基础上进行了更新和扩展，对红外光-可见光-紫外光范围内的半导体光学作了回顾和总结，内容包括：线性和非线性光学性质，动力学特性，磁光学和电光学，强激励效应，一些应用、实验技术和群理论。本书的数学知识基础、简单，读者可以直观理解实验结果和所用到的处理技术。本书涉及物理学、材料科学和光电子学等相关领域。新增（或修改）的内容包括一些*的进展：空腔极化、光子结构、半导体Bloch方程，并对大块材料相关的章节进行了修改和更新。
本书作为大学基础化学实验课程教材，共分为化学实验基础知识、基础实验理论与基本技术、基础化学实验三大部分。书中内容涉及化学实验基础知识、基础实验理论与基本技术、基础操作实验、无机化合物性质与制备实验、化学物质定量分析实验、有机化合物的制备实验、基本物理量与物化参数测定实验以及附录。实验内容包括常量和半微量常规基础操作，同时涉及多步骤系列实验操作以及文献设计实验等。 本书可作为大学理科化学、应用化学、材料化学和生命科学各专业以及医科各专业低年级学生基础化学实验课程用书，也可供工科相关专业和师范院校相关专业参考和选用。
本书为专著共分五章，前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型：量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力学稳态模型弱解的存在性，另外我们在一维有界区间上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型，介绍其稳态方程组解的存在性和*性。
本书全面地论述了半导体物理的基础知识，内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级、载流子的统计分布、非平衡载流子及载流子的运动规律；讨论了p—n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题；介绍了半导体的光、热、磁、压阻等物理现象；后较全面地介绍了非晶态半导体的基本特性。 本书为高等学校工科电子类半导体器件与微电子学专业教材，亦可供从事半导体方面工作的技术人员阅读参考。
全书共十六章，分上下两册出版，上册主要包括一般教学中所涉及的比较基本的内容，包括结构和结合性质、半导体中的电子状态、载流子的平衡统计、电荷输运现象、过剩载流子、pn结、半导体的表面层及MIS结构、金属－半导体接触和异质节等八章.下册则收入了一些专题，包括载流子的散射、热现象、光发射、非晶态半导体等八章.本书可供学过固体物理学课程的大学生、研究生以及有关方面的工作人员阅读、参考。
本教材涵盖了固体物理基础知识与半导体物理学两部分内容，全书由9章组成：第1、2章阐述了固体物理基础知识，包括晶体结构及其结合、振动、缺陷的相关理论；第3～8章系统阐述了半导体物理学基本理论，包括半导体晶体能带论、平衡载流子的统计分布、电传导特性、非平衡载流子、接触理论及表面与界面理论；第9章阐述了半导体光电效应。各章的引言部分介绍了本章主要内容、重点应掌握知识点，以及学习难点；章后附有习题。在附录中还介绍了为半导体物理学重点理论内容设置的5个实验指导。本教材思路清晰，物理概念突出，尽量避免繁杂的数学公式推导，易于读者理解和掌握。而且无须先修固体物理学课程就可以直接使用本教材学习半导体物理学知识。本书是理工科高等院校电子类专业的本科教材，也是“微电子学与固体电子学”学科的考研用书
编者根据使用情况和评审意见对原书作了适当修改，力图以简明扼要的方式全面、准确介绍半导体物理学的基础知识及其新进展，内容包括半导体的物质结构和能带结构、杂质和缺陷、载流子的统计分布及其运动规律、非热平衡态半导体、 pn 结、金属 - 半导体接触、异质结、半导体表面、以及主要的半导体效应。
