多年以来，有很多探索研究已经成功地描述了晶体生长的生长工艺和科学，有许多文章、专著、会议文集和手册对这一领域的前沿成果做了综合评述。这些出版物反映了人们对体材料晶体和薄膜晶体的兴趣日益增长，这是由于它们的电子、光学、机械、微结构以及不同的科学和技术应用引起的。实际上，大部分半导体和光器件的现代成果，如果没有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶体的发展则是不可能的。这些文章致力于生长机制的基本理解、缺陷形成、生长工艺和生长系统的设计，因此数量是庞大的。本手册针对目前备受关注的体材料晶体和薄膜晶体的生长技术水平进行阐述。我们的目的是使读者了解经常使用的生长工艺、材料生产和缺陷产生的基本知识。为完成这一任务，我们精选了50多位科学家、学者和工程师，他们的合作者来自

以工科本科生所掌握的初步理论矢口识为基础，《无机材料晶体结构学概论》地介绍了无机材料中晶体结构的基本对称性、晶体缺陷、X射线衍射和背散射电子检测与分析原理。阐述了晶体对称特征，包括晶系、点阵、点群、简单的空间群知识，以及常见无机材料的晶体结构、晶体取向、多晶体织构的概念及其检测原理。以工程性和实用性为目的，适当介绍了晶体的点缺陷特征、位错弹性性质、晶界取向差特性等，并配有实用性工程材料习题及参考答案。 《无机材料晶体结构学概论》旨在使具有不同基础的读者对工程材料的晶体结构知识有较全面的掌握，并能够在工程实践中直接加以运用。 《无机材料晶体结构学概论》可作为工程应用型材料硕士研究生的教材，或材料高年级本科学生和博士研究生的参考书；也可供从事材料科学与工程研究的科研人员、高等学

光子晶体是不同折射率的电介质材料在空间呈周期性排列构成的晶体结构，它是材料科学、光学原理与集成技术以及微纳电子技术相结合的一门新兴学科，它代表了光集成电路的发展趋势，并将成为下一代新型的光电器件和光集成技术的基础。本书内容包含三个部分：部分系统地阐述了光子晶体的基本概念和理论，主要包括光子晶体的概念和性质（章），光子晶体的分析方法和电磁波理论（第2章）；第二部分介绍了光子晶体的制备方法（第3章）；第三部分给出了光子晶体的应用，介绍了新型的光子晶体光学器件，包括光子晶体光开关、滤波器、光波导（第4章），光子晶体光纤的工作原理与技术（第5章），胶体光子晶体（第6章），光子晶体发光（第7章）和负折射率光子晶体（第8章）。本书适合于从事微纳光学和光通信、微纳电子科学与技术、微电子学、应用物理

《晶体中的位错（重排本）》成书背景如下：位错理论在本世纪30年代发源于英国，成熟于40年代末，得到国际学术界广泛的重视。而我国由于受苏联学术界的影响，位错理论一时无法推广。直至1959年，钱临照才开始在物理研究所内写讲义，讲授和讨论这个国际公认的学说。随后，举行了两次全国性的晶体缺陷和金属强度的讨论会。钱临照和杨顺华合写了10万字的《晶体中位错理论基础》赴会报告，后集结成册出版，向那一代物理学工作者介绍了此领域的基本理论，对他们的科研与工作具有很大的指导意义。

本书是一本有关新型晶体材料的制备、光谱分析和应用的专著。全书主要由三部分组成：部分包括晶体材料进展，晶体学基础，晶体结构，相图，晶体生长动力学；第二部分包括材料的光学性能，固体的发光，光谱及其表示，过渡金属离子光谱和稀土离子光谱；第三部分介绍了新型激光晶体，上转换激光晶体，闪烁体和拉曼激光晶体的研究进展。该书为新型晶体材料研究和探索可以提供有益的参考。本书对于从事晶体生长，固体激光器研制和发光材料研究的研究生与科技工作者有很好的参考价值。

液晶高分子是在液晶科学和高分子科学两个较新学科得到很大发展的基础上，从本世纪70年代迅速发展起来的，并得到学术界和工业界同时关注与重视。液晶高分子或者具有超过其它结构材料的力学性能，或可提供其它材料所不能比拟的其它物理性能。因此，短短十几年间已成功地实现了几大类液晶高分子产品的工业化，并获得巨额利润。另外，研究物质液晶态对于了解物质的结构以及与此相应的结构与性能的关系，从而使材料体现并充分发挥有用的特性也是至关重要的。《液晶高分子》在介绍液晶高分子基本概念和基本理论的基础上，重点讨论液晶高分子的结构与性能的关系，并分别对作为结构材料和功能材料的液晶高分子进行讨论，还重点讨论高分子液晶态的表征与研究方法。《液晶高分子》既是本学科的理论概括，又是作者实际工作的经验总结。《液晶高分

《压电振动理论与应用》(作者王矜奉、苏文斌、王春明、盖志刚)论述了各类压电谐振器件的基本理论。前五章从弹性动力学、压电学及电学的基本理论出发，系统地分析了处于各种边界条件或应力条件下的压电器件的谐振特性；第6章论述了压电谐振器的等效参数、压电材料常数与频谱的关系及这些常数的测定方法；第7章讲述了求解压电谐振器谐振频谱的若干实用的近似方法。《压电振动理论与应用》可作为高等院校功能材料、自动控制、电气工程、应用声学、水声科学、弹性动力学等专业高年级本科生或研究生的专业教科书，也可作为从事谐振器、滤波器、传感器等压电器件研究、设计、应用或制造的科技工作者的参考书。

电子背散射衍射（简称EBSD）技术是基于扫描电镜中电子束在倾斜样品表面激发出的衍射菊池带的分析确定晶体结构、取向及相关信息的方法。《电子背散射衍射技术及其应用》系统地阐述了。EBSD技术的含义、特点（或优势）及应用领域；简述了EBSD技术的发展过程和在我国的应用现状，以及与其他相关测试技术的比较；介绍了与EBSD技术相关的晶体学知识和晶体取向（织构）的基本知识；以及EBSD测定分析过程中涉及的原理和相关硬件，EBSD数据的处理；总结了EBSD样品制备可能遇到的问题及作者应用时解决一些难题的经验。最后给出作者应用。EBSD技术的一些例子。《电子背散射衍射技术及其应用》可供从事材料、地质、矿物研究等工作的技术人员以及从事EBSD技术及扫描电镜分析工作的操作人员阅读，也可作为高等工科院校材料工程专业高年级本科、研究生的，以及专

本书是根据施普林格出版社（Sprroger）出版的V.G.Dmitriev等著《非线性光学晶体手册》（Handbook0fNonlinearOpticalcrystals）1999年第三版译出。原著版于1990年出版，第二版于1997年出版，第三版是在前两版的基础上修订而成的。本书收集了1999年以前被人们广泛研究和应用的77种非线性光学晶体，按照基本的非线性光学晶体、常用的非线性光学晶体、其他无机非线性光学晶体和其他有机非线性光学晶体的次序排列。对于每一种晶体都给出了包括当时发表的所有基本数据：晶体的对称性及结构、密度、硬度、线性吸收系数、折射率、折射率温度系数、相位匹配角、“走离”角、非线性过程的群速失配、有效非线性系数、热导率、光损伤阈值以及晶体的电光系数和非临界相位匹配温度等，并给出了所有数据的来源（参考文献），当有不同来源数据时，除悉数收入外，还给出适当的评

多年以来，有很多探索研究已经成功地描述了晶体生长的生长工艺和科学，有许多文章、专著、会议文集和手册对这一领域的前沿成果做了综合评述。这些出版物反映了人们对体材料晶体和薄膜晶体的兴趣日益增长，这是由于它们的电子、光学、机械、微结构以及不同的科学和技术应用引起的。实际上，大部分半导体和光器件的现代成果，如果没有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶体的发展则是不可能的。这些文章致力于生长机制的基本理解、缺陷形成、生长工艺和生长系统的设计，因此数量是庞大的。本手册针对目前备受关注的体材料晶体和薄膜晶体的生长技术水平进行阐述。我们的目的是使读者了解经常使用的生长工艺、材料生产和缺陷产生的基本知识。为完成这一任务，我们精选了50多位科学家、学者和工程师，他们的合作者来自

本书是一部经典的结晶学教材，1961年初版，1972年第2版，1992年第3版，1994年、1995年重印出版，1997年简装版出版，2001年第4版全面修订出版，备受关注。书中系统阐述了结晶学的基本原理，包括晶体学、晶体学的物性、结晶动力学、结晶技术以及结晶设备的设计原理和操作。新版在第3版的基础上进行了较全面的改写，同时增加了不少新的内容，反映了该领域近年来的主要进展。该书录提供了大量有关

本书从晶界与晶体塑性关系着手，基于原子尺度、纳观尺度、微观尺度、介观尺度和宏观尺度，系统介绍了晶界基本结构与晶体材料力学行为之间的关系，强调了晶界对于工程应用领域中的多晶体材料所具有的重要意义。本书共六章， 章为晶界结构与缺陷，第2 章为晶界变形的基本机制，第3 章为冷变形晶界? ，第4 章为蠕变与高温塑性——晶界动力学，第5 章为晶间疲劳，第6 章为晶间偏析与晶体材料的断裂。