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    • 极紫外光刻
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    • [美]哈利?杰?莱文森Harry J.Levinson) /2022-09-01/ 上海科学技术出版社
    • 《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面,而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

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    • 半导体工艺可靠性 [中]甘正浩 [美]黄威森 [美]刘俊杰
    •   ( 138 条评论 )
    • [中]甘正浩 [美]黄威森 [美]刘俊杰 /2024-10-30/ 机械工业出版社
    • 半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节,其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定,并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析,以及工艺的最终认定,是一本实用的、全面的指南,提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读,也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。

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    • 功率半导体器件 原理 特性和可靠性(原书第2版)
    •   ( 1562 条评论 )
    • Lutz /2020-12-31/ 机械工业出版社
    • 本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果,如SiC,GaN器件,以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人

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    • 场效应管实用备查手册 阳鸿钧 等 著 中国电力出版社【正版书籍】
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    • 阳鸿钧 等 著 /2010-01-01/ 中国电力出版社
    • 《场效应管实用备查手册》是《半导体器件实用备查手册》系列书之一,《场效应管实用备查手册》介绍了新型与常用场效应管以及具体场效应管的生产厂家、主要极限参数与电参数、尺寸图或外形图或内部图示,均为电工电子行业从业人员实际工作必需的珍贵信息,尤其是详尽的参数与一一对应的图,构成了《场效应管实用备查手册》突出的特点。 作为一本实用的工具书,《场效应管实用备查手册》可供广大电工电子科技人员、各类电器设计人员、各类电器维修人员以及相关学

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    • 半导体物理与器件/国外大学优秀教材微电子[美]尼曼清华大学出版社【现货实拍 可开发票 下单速发 正版图书】
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    • [美]尼曼 /2003-12-01/ 清华大学出版社
    • 本书是一本很好的英文教科书和参考书,与目前我国大学本科生的同类教材相比,这本书具有以下特点: (1)全新的体系结构。目前国内相关专业的教学体系是先学理论物理(包括统计物理、量子力学等)、固体物理,再学半导体物理,最后学半导体器件,一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起,学生只需具有高等数学和大学物理的基础,用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 (2)注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图,帮助读者理解概念。 (3)可读性强,便于自学。全书思路清晰,说理清楚,易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应

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    • 电力半导体新器件及其制造技术
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    • 王彩琳 编著 /2015-06-01/ 机械工业出版社
    • 本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、GTO的门极硬驱动、IGCT的透明阳极和波状基区、功率MOSFET的超结及IGBT的电子注入增强(IE)等新技术进行了详细介绍。 本书可作为电子科学与技术、电力电子与电气传动等学科的本科生、研究生专业课程的参考书,也可供从事电力半导体器件制造及应用的工程技术人员和有关科技管理人员参考。

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    • 功率半导体器件与应用
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    • 斯蒂芬 林德Stefan Linder) /2016-05-13/ 机械工业出版社
    • 功率半导体器件又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础,详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件,包括 pin 二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容,《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时,作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家,作者斯蒂芬 林德( Stefan Linder )还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析,力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书,也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。

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