半导体行业现在是世界上最大、最有价值的行业之一，与我们的生活、工作和学习密切相关。这本书是为非专业人士提供的科技指南，介绍与半导体有关的各种基础知识，包括物理、材料和电路，分立元件和集成电路系统、应用和市场，以及半导体的历史、现状和未来。 这本书适合所有对半导体感兴趣的读者。中学生完全可以读懂这本书，专业人士也可以从中了解到市场、投资和政策制定方面的信息。

本书讲述了功率半导体器件的基本原理，涵盖Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等；将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等，并详细介绍了测试标准、方法和原理，同步分析了测试设备和数据等；重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面，详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求，贴近工业实践，知识内容新颖，可为工业界以及高校提供前沿数据，为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书，也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。

本书主要介绍从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，具体包括晶体生长、硅的氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、薄膜淀积、工艺集成、集成电路制造、半导体制造的未来趋势和挑战等。每章均提供一些实例及解答，*后附有课外习题。 本书可供高等学校微电子、集成电路设计相关专业的学生使用，也可供从事半导体相关研究和开发的工程师与科学工作者参考。

《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

本书将半导体技术60多年的发展史浓缩在有限的篇幅里，通过简明扼要的语言为我们讲述关于芯片的那些事儿。本书主要围绕 史前文明 电子管时代、 新石器时代 晶体管时代、 战国时代 中小规模集成电路时代、 大一统秦朝 大规模和超大规模集成电路时代、 大唐盛世 特大规模和巨大规模集成电路时代、 走进新时代 移动互联时代、 拥抱未来 半导体科技的展望，对半导体领域涉及的技术发展情况、关键的人和事件等进行了描述，对未来的产业发展进行了展望，为我们勾勒了一幅半导体技术也是人类社会发展的蓝图。不管你是芯片行业的从业人员，还是对芯片产业感兴趣的人，抑或是对科技、对历史感兴趣，本书都非常适合你闲暇之时拿来阅读，从中了解信息社会的发展情况与未来趋势，相信定会有所收获。

本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人

本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。

《车用功率半导体器件设计与应用》使用大量图表，通俗易懂地讲解功率器件的运行和设计技术，其中，第1章概述功率器件在电路运行中的作用以及功率器件的种类，同时解释为何功率MOSFET和IGBT已成为当前功率器件的主角；第2章和第3章讲述硅功率MOSFET和IGBT，从基本单元结构描述制造过程，然后以浅显易懂的方式解释器件的基本操作，此外，还提到了功率器件所需的各种特性，并加入改进这些特性的器件技术的说明；第4章以肖特基势垒二极管和PIN二极管为中心进行讲述；第5章概述SiC功率器件，讲解二极管、MOSFET和封装技术，对于近取得显著进展的的SiC MOSFET器件设计技术也进行了详细介绍。

本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术，覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺，以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外，还介绍一些相关的工艺设备。

本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。

本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的 初级可靠性技术者 资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到最新研究，覆盖范围较广。 本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体

这是一本介绍半导体工作原理的入门类读物。全书共分4章，包括第1章的半导体的作用、类型、形状、制造方式、 产业形态；第2章的理解导体、绝缘体和半导体的区别，以及P型半导体和N型半导体的特性；第3章的PN结、双极型晶体管、MOS晶体管、 CMOS等；第4章涵盖了初学者和行业人士应该知道的技术和行业词汇表。 本书适合想学习半导体的初学者阅读，也可以作为相关企事业单位人员的科普读物。 本书是围绕集成电路芯片发展和新一代信息产业技术领域（集成电路及专用设备）等重大需求，编著的集成电路芯片制程设备通识书籍。集成电路芯片作为信息时代的基石，是各国竞相角逐的 国之重器 ，也是一个国家高端制造能力的综合体现。芯片制程设备位于集成电路产业链的上游，贯穿芯片制造全过程，是决定产业发展的关键一环。本书首先介绍了集成电路芯片制

辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。

本书比较全面地介绍了有关半导体物理原理的基础知识. 内容包括:半导体中电子的运动状态，统计原理，在电磁场以及在有温差时的各种输运过程，光吸收和光电导的现象，非平衡载流子的运动，表面和接触的现象， pn 结的原理.

垂直腔面发射激光器是半导体激光器的重要成员之一，也是光纤通信领域里的一个研究热点。本书全面阐述了垂直腔面发射激光器的基础理论、外延技术、制备工艺及测试方法，较为系统、完整地介绍了垂直腔面发射激光器的种类、性能指标、应用以及未来的发展趋势。通过阅读本书，读者可以全面了解相关的前活技术和应用前景。

本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的 初级可靠性技术者 资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到最新研究，覆盖范围较广。 本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为11章，分别是：功率半导体的全貌、功率半导体的基本

随着节能环保、低碳社会意识的普及和深入，LED照明技术的应用已活跃于商业和家居照明领域。本书围绕着LED照明工程设计与施工的技术主题，深入浅出地介绍了LED照明原理和LED照明器材，照明工程设计基础，照明配电、照明控制及智能化技术，室内、外照明工程的设计、施工和验收方法，并列举了典型照明工程设计案例，具有较强的现实指导意义。本书可供从事建筑、道路、景观等照明工程设计、施工、验收的工程技术人员阅读，也可供大专院校相关专业师生参考。

本书内容包括半导体工艺的6个主要单项实验、半导体材料特性表征与器件测试实验、工艺和器件特性仿真实验，并通过综合流程实验整合各单项实验知识和技能，着重培养学生的半导体器件的综合设计能力。

《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的 成果和发展趋势。 《碳化硅器件工艺核心技术》可作为理工科院校物理类专业、电子科学与技术专业以及材料科学等相关专业研究生的辅助教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。

宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生？传输？控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料？异质结构和能带？辐射复合发光和光吸收？光波传输模式;超晶格和量子阱？发光管？激光器？探测器？光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体？光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念？光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.

《半导体存储器件与电路》对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍，覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计，且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和最前沿的技术。本书部分讨论了主流的半导体存储器技术，第2部分讨论了多种新型的存储器技术，这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级，同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。 《半导体存储器件与电路》可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的和参考书，也可供半导体和微电子领域的从业人员参考。

本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的近期新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业

本书总结了国内外半导体异质结方面的研究成果，较系统地介绍了半导体异质结的基本物理原理和特性.本书共分10章，内容有半导体异质结材料特性、能带图、伏安特性、异质结晶体管、二维电子气及调制掺杂器件、异质结中非平衡载流子特性、半导体异质结激光器、半导体异质结的光电特性、氮化嫁异质结、超晶格和多量子阱。