《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。
本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。
本书是本着突出近代真空镀膜技术进步，注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章，内容包涵了真空镀膜中物理基础，各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求，各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控，真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用，亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。
本书是一本全面、系统地讲述共振隧穿器件及其应用的著作。全书共10章，第1～3章为共振隧穿二极管的物理基础、器件模型和模拟以及器件设计、制造与参数测量；第4～6章为各种类型的共振隧穿二极管、晶体管以及共振隧穿型光电器件；第7～9章为共振隧穿器件在模拟电路、数字电路和光电集成中的应用；第10章论述了共振隧穿器件及其应用的发展趋势。 本书可作为微电子专业本科生或研究生选修课程的教材或主要参考书，也可供从事新型半导体器件、高频和高速化合物半导体器件、纳米量子器件及其集成技术领域研究的科研人员参考。
在半导体领域，技术的变化遵循着摩尔定律的快速节奏，是以月而不是以年为单位计的。本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今*技术资料，学术界和工业界都称赞这是一本目前在市场上能得到的全面、*的教材。全书共分20章，章节根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排，内容包括：与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。
《3D立体显示铸造过程模拟仿真案例集》为典型铸件铸造过程数值模拟算例集，包括发动机缸体、汽轮机缸体、水轮机叶片、导叶、铸锭等，涵盖了铸铁件、铸钢件、铸铝件和钢锭，模拟结果包括温度场、流场、应力场、位移场、应变场，预测的缺陷包括缩孔缩松、裂纹、变形等。 本书还包括了个别铸件热处理过程的算例以及组芯造型装配的算例。所有模拟结果图片经过了红蓝效果的3D立体处理，因此给读者展现的是跃出纸面的立体模拟结果，对观察、理解和分析模拟结果具有很大帮助，这不同于传统的印刷显示效果，是本书的一大特色。另外，书中还附有光盘，其中包括书中红蓝立体图片和动画演示，可在任何播放图片和视频的硬件下播放或投影，内容更丰富，效果更佳。 本书可以为铸造专业人士进行铸件凝固过程数值模拟作参考，也可以用于铸造
本书是一本很好的英文教科书和参考书，与目前我国大学本科生的同类教材相比，这本书具有以下特点： （1）全新的体系结构。目前国内相关专业的教学体系是先学理论物理（包括统计物理、量子力学等）、固体物理，再学半导体物理，后学半导体器件，一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起，学生只需具有高等数学和大学物理的基础，用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 （2）注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图，帮助读者理解概念。 （3）可读性强，便于自学。全书思路清晰，说理清楚，易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该
化合物半导体加工中的表征一书是为使用化合物半导体材料与设备的科学家与工程师准备的，他们并不是表征专家。在研发与GaAs、GaA1As、LnP及HgCdTe基设备的制造中通常使用的材料与工艺提供常见的分析问题实例。这本布伦德尔、埃文斯、麦克盖尔编著的《化合物半导体加工中的表征》讨论了各种表征技术，深入了解每种技术是如何单独或结合使用来解决与材料相关的问题。这本书有助于选择并应用适当的分析技术在材料与设备加工的各个阶段，如：基体处理、外延生长、绝缘膜沉积、接触组、掺杂剂的引入。
《轻松学LED照明设计》系统地讲解了LED光源的性能特点、各种照明灯具的设计，以及LED照明系统的设计等。 本书共10章，主要内容包括初识LED光源、LED光源的驱动技术基础、LED驱动电源的功率因数校正（PFC）电路、LED驱动电源的调光电路和保护电路、LED照明灯具设计基础、民用LED照明灯具设计、LED路灯和隧道灯设计、LED景观照明驱动电路设计、汽车LED照明设计、智能照明控制系统。 本书收集了大量的灯具结构图、驱动电路原理图以及大量的新型驱动芯片资料，并配以详尽的文字讲解。在编写过程中，避开了大量的理论公式，力求通俗易懂。
《新型衬底上的蓝/白光LED外延材料与芯片》主要讨论目前在新型衬底材料上高效率LED材料与器件方面的研究进展，并对新型衬底LED的发展方向进行了展望。主要内容包括：采用一些高热导率、与氮化物晶格匹配良好的新型衬底（主要包括金属W与Cu、Si、及LiGaO2等）来生长氮化物LED外延材料；还为非极性氮化物LED材料的生长提出了一个新的衬底/外延体系（m-GaN//LiGaO2(100)）；通过软件仿真模拟图形衬底LED的出光规律，提出了新的LED图形衬底设计方案，设计出了大量的拥有自主知识产权的图形衬底图案（专利授权）；并在此基础上，试图将图形衬底技术与更适合氮化物LED外延生长的新型衬底相结合，大幅度提高了LED的出光效率。
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，*后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍，在半导体领域享有很高的声誉。本书的范围包括半导体工艺的每个阶段：从原材料的制备到封装、测试和成品运输，以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例，每章包含回顾总结和习题，并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展，讨论了用于图形化、掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术，使隐含在复杂的现代半导体制造材料和工艺中的物理、化学和电子的基础知识更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容；加入了半导体业界的新成果，可以使读者了解工艺技术发展的趋势。
低成本的太阳能发电技术一直是国内外的研究热点，聚光光伏通过采用低成本的聚光跟踪装置替代昂贵的太阳电池，具有大幅度降低光伏发电成本的潜力。朱丽、黄群武译审的这本《聚光光伏——原理、系统与应用》全面介绍了国际聚光光伏的发展历程、现状与前景，论述了聚光光伏系统与关键单元技术的基础理论，并系统介绍了国际知名科研机构与企业在商业化发展中所做的工作。“中国的聚光光伏发展”一章补充论述了国内聚光光伏技术和产业的发展情况。《聚光光伏——原理、系统与应用》可供从事光伏尤其从事聚光光伏发电的科研、开发及应用方面的工程技术人员参考，也可供大专院校教学使用。
本书集合了乐理基础知识、音响周边设备知识、音响工程系统设计及调音和调试方法、线材和接插件工艺设计、EASE/音频混音剪辑大师软件介绍等诸多内容，实用性强。书中内容不是简单的顺序堆砌，而是以周边设备基础知识和音响工程系统设计为主线，在其中完美地穿插与之相关的信号流程分析、设备配置、工程设计知识，真正做到将音响工程系统设计所需要的方方面面知识有机地融为一个整体，实现不需要过多电路基础就能深度学习音响基础知识并上手进行音响工程系统设计与系统调试的目的。
《真空科学技术丛书：真空镀膜》是本着突出近代真空镀膜技术进步，注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章，内容包涵了真空镀膜中物理基础，各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求，各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控，真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。 《真空科学技术丛书：真空镀膜》可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用，亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。
本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件（包括GTO、IGCT、ETO及MTO）、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、GTO的门极硬驱动、IGCT的透明阳极和波状基区、功率MOSFET的超结及IGBT的电子注入增强（IE）等新技术进行了详细介绍。 本书可作为电子科学与技术、电力电子与电气传动等学科的本科生、研究生专业课程的参考书，也可供从事电力半导体器件制造及应用的工程技术人员和有关科技管理人员参考。
本书从电磁兼容三要素出发，结合电磁兼容法规，深入介绍了电磁兼容问题的基本原理、具体的设计方法和解决措施，并以实际案例进行佐证。本书后介绍了两种快捷实用的电磁干扰和抗干扰解决方法：时频穿越法和递进应力法。时频穿越法借助近场探头和频谱分析仪，准确定位噪声源和传播途径，根据时域和频域下的噪声特性找到针对性的EMI解决方案；递进应力法通过递进干扰源强度的方法来确认产品受到影响的机理，然后采取有效的抗干扰措施。本书介绍的电磁兼容的设计理念和解决方案，不仅适用于LED灯具，也适用于通信电源、医疗电源、充电器、光伏逆变器、电动机驱动以及存在di/dt和du/dt骚扰源的应用场合。
本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。
