《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。

本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。

本书是本着突出近代真空镀膜技术进步，注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章，内容包涵了真空镀膜中物理基础，各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求，各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控，真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用，亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。

《OLED显示基础及产业化》从OLED技术知识、OLED关键技术、OLED显示、OLED照明、OLED产业现状及发展趋势、OLED市场现状及发展趋势及OLED的应用价值及发展可能性的分析几方面，深入浅出的进行了较为详细的阐述。《OLED显示基础及产业化》对从事OLED技术研究、相关产品开发和生产的有关工程人员和大专院校师生来说，是正确理解相关技术的重要参考书，同时也是面向我国广大消费者普及OLED技术知识，指导消费者选择和正确使用OLED电视机的指南。

低维量子器件是微纳电子技术研究的核心，低维量子器件物理是现代半导体器件物理的一个重要组成部分，它的主要研究对象是低维量子器件的设计制作、器件性能与载流子输运动力学等内容，《低维量子器件物理》主要以异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、共振隧穿电子器件、单电子输运器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主，比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性，并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍。

《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，*后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。

本书是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“Semiconductor Physics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。. 与原书相比，本书更好地将固体品格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用本书，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。.. 另外，本书还尽量保持了原书的主要优点： (1)注重基本概念和方法。本书从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大

《轻松学LED照明设计》系统地讲解了LED光源的性能特点、各种照明灯具的设计，以及LED照明系统的设计等。 本书共10章，主要内容包括初识LED光源、LED光源的驱动技术基础、LED驱动电源的功率因数校正（PFC）电路、LED驱动电源的调光电路和保护电路、LED照明灯具设计基础、民用LED照明灯具设计、LED路灯和隧道灯设计、LED景观照明驱动电路设计、汽车LED照明设计、智能照明控制系统。 本书收集了大量的灯具结构图、驱动电路原理图以及大量的新型驱动芯片资料，并配以详尽的文字讲解。在编写过程中，避开了大量的理论公式，力求通俗易懂。

本书整理了国内外数百家生产厂家生产的几万种双极晶体三极管(简称三极管)的型号及有关参数。书中首先介绍了该手册的使用方法，然后以表格的形式重点介绍了器件型号、材料、参数、厂家、替换型号以及外形参考图。此外，还介绍了各种晶体三极管的外形尺寸图，以供设计人员设计电器产品使用。 本书资料丰富、数据准确、图文并茂、查阅方便，是各种电子产品的生产、开发、设计、维修、管理人员，电子元器件营销人员以及开设与电子技术相关专业的院校师生的工具书。

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本书是一本很好的英文教科书和参考书，与目前我国大学本科生的同类教材相比，这本书具有以下特点： （1）全新的体系结构。目前国内相关专业的教学体系是先学理论物理（包括统计物理、量子力学等）、固体物理，再学半导体物理，后学半导体器件，一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起，学生只需具有高等数学和大学物理的基础，用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 （2）注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图，帮助读者理解概念。 （3）可读性强，便于自学。全书思路清晰，说理清楚，易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该

《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章，47个专题，近300张图片（包括书末40余幅珍贵图片，既有著名的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备）。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展，重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。后以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学

有机发光二极管(OLED)是照明研究的新兴领域，《白光OLED照明(中文简体更新版)》由陈金鑫、陈锦地、吴忠帜编著，全面阐述了白光OLED照明组件及其各种特性，同时配以不同发光材料之系统组合及应用潜力的描述，内容有趣且极富挑战性。 《白光OLED照明(中文简体更新版)》适合从事白光OLED科研、教学和实用开发的相关人员阅读。

《硅加工中的表征》是材料表征原版系列丛书之一。全书共分六章，内容包括：材料表征技术在硅外延生长中的应用；多晶硅导体；硅化物；铝和铜基导线；级钨基导体；阻隔性薄膜。本书适合作为相关领域的教学、研究、技术人员以及研究生和高年级本科生的参考书。

作者基于在光催化领域中的多年积累编著此书。《铋系半导体光催化材料》首先介绍了光催化的发展简史、基本概念和基本理论，系统总结了铋系半导体光催化剂的基本性质、结构、合成、光催化性能、构效关系以及催化反应机理，重点论述了铋系半导体光催化剂的合成、形貌控制和构效关系；还介绍了作者课题组在铋系光催化方面的研究成果。 《铋系半导体光催化材料》不仅反映了铋系半导体光催化的新成果和前沿领域，也展现了光催化领域的发展态势。《铋系半导体光催化材料》内容丰富，素材翔实，层次分明，观点新颖，可作为高等院校化学、化工、环工和材料等相关专业学生的课外读物，对从事光催化或者材料方面的科研工作者具有重要的参考价值。

本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。

本书以LED产品照明应用和广告应用技术为主线，详细介绍了LED应用的基础知识、LED照明驱动器及应用电路、LED灯光控制与信号处理技术、户内外常用LED灯饰产品的特性及应用、LED灯饰工程的设计规划与工程施工技术、LED显示屏及其数码管的工程应用、LED灯箱及大型LED发光字业余条件的制作技术等。

本书全面介绍了TFT-LCD的结构、显示原理及特性、制造技术。部分介绍技术发展、分类、工作原理及基本结构。第二部分介绍液晶的物理特性、显示模式、TFT结构及工作原理、TFT-LCD结构及显示原理、显示特性改善。第三部分介绍TFT-LCD的制造技术与生产经验，包括非晶硅TFT-LCD的工艺流程、制造技术、不良检查与分析及低温多晶硅TFT的工艺流程与制造技术。第四部分介绍TFT器件及显示技术的进展与展望，包括有机TFT、氧化物TFT、三维立体显示、透明显示器以及柔性显示等。

本书从电磁兼容三要素出发，结合电磁兼容法规，深入介绍了电磁兼容问题的基本原理、具体的设计方法和解决措施，并以实际案例进行佐证。本书后介绍了两种快捷实用的电磁干扰和抗干扰解决方法：时频穿越法和递进应力法。时频穿越法借助近场探头和频谱分析仪，准确定位噪声源和传播途径，根据时域和频域下的噪声特性找到针对性的EMI解决方案；递进应力法通过递进干扰源强度的方法来确认产品受到影响的机理，然后采取有效的抗干扰措施。本书介绍的电磁兼容的设计理念和解决方案，不仅适用于LED灯具，也适用于通信电源、医疗电源、充电器、光伏逆变器、电动机驱动以及存在di/dt和du/dt骚扰源的应用场合。

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《新型衬底上的蓝/白光LED外延材料与芯片》主要讨论目前在新型衬底材料上高效率LED材料与器件方面的研究进展，并对新型衬底LED的发展方向进行了展望。主要内容包括：采用一些高热导率、与氮化物晶格匹配良好的新型衬底（主要包括金属W与Cu、Si、及LiGaO2等）来生长氮化物LED外延材料；还为非极性氮化物LED材料的生长提出了一个新的衬底/外延体系（m-GaN//LiGaO2(100)）；通过软件仿真模拟图形衬底LED的出光规律，提出了新的LED图形衬底设计方案，设计出了大量的拥有自主知识产权的图形衬底图案（专利授权）；并在此基础上，试图将图形衬底技术与更适合氮化物LED外延生长的新型衬底相结合，大幅度提高了LED的出光效率。

在半导体领域，技术的变化遵循着摩尔定律的快速节奏，是以月而不是以年为单位计的。本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今*技术资料，学术界和工业界都称赞这是一本目前在市场上能得到的全面、*的教材。全书共分20章，章节根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排，内容包括：与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。

本书整理了国内外数百家生产厂家生产的几万种半导体二极管的型号及有关参数。书中首先介绍了该手册的使用方法，然后以表格的形式重点介绍了器件型号、材料、参数、生产厂家、替换型号以及外形参考图。此外，还介绍了各种半导体二级管的外形尺寸图，以供设计人员设计电器产品使用。 本书资料丰富、数据准确、图文并茂、查阅方便，是各种电子产品的生产、开发、设计、维修、管理人员，电子元器件营销人员以及开设与电子技术相关专业的院校师生的工具书。