本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。
本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。
本书是本着突出近代真空镀膜技术进步，注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章，内容包涵了真空镀膜中物理基础，各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求，各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控，真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用，亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。
本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍， 在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段： 从原材料的制备到封装、 测试和成品运输， 以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例， 每章包含回顾总结和习题， 并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展， 讨论了用于图形化、 掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术， 使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、 化学和电子的基础信息更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容， 并加入了半导体业界的新成果， 可以使读者了解工艺技术发展的趋势。
本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。
本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。
化合物半导体加工中的表征一书是为使用化合物半导体材料与设备的科学家与工程师准备的，他们并不是表征专家。在研发与GaAs、GaA1As、LnP及HgCdTe基设备的制造中通常使用的材料与工艺提供常见的分析问题实例。这本布伦德尔、埃文斯、麦克盖尔编著的《化合物半导体加工中的表征》讨论了各种表征技术，深入了解每种技术是如何单独或结合使用来解决与材料相关的问题。这本书有助于选择并应用适当的分析技术在材料与设备加工的各个阶段，如：基体处理、外延生长、绝缘膜沉积、接触组、掺杂剂的引入。
本书全面介绍了TFT-LCD的结构、显示原理及特性、制造技术。部分介绍技术发展、分类、工作原理及基本结构。第二部分介绍液晶的物理特性、显示模式、TFT结构及工作原理、TFT-LCD结构及显示原理、显示特性改善。第三部分介绍TFT-LCD的制造技术与生产经验，包括非晶硅TFT-LCD的工艺流程、制造技术、不良检查与分析及低温多晶硅TFT的工艺流程与制造技术。第四部分介绍TFT器件及显示技术的进展与展望，包括有机TFT、氧化物TFT、三维立体显示、透明显示器以及柔性显示等。
本书整理了国内外数百家生产厂家生产的几万种半导体二极管的型号及有关参数。书中首先介绍了该手册的使用方法，然后以表格的形式重点介绍了器件型号、材料、参数、生产厂家、替换型号以及外形参考图。此外，还介绍了各种半导体二级管的外形尺寸图，以供设计人员设计电器产品使用。 本书资料丰富、数据准确、图文并茂、查阅方便，是各种电子产品的生产、开发、设计、维修、管理人员，电子元器件营销人员以及开设与电子技术相关专业的院校师生的工具书。
《3D立体显示铸造过程模拟仿真案例集》为典型铸件铸造过程数值模拟算例集，包括发动机缸体、汽轮机缸体、水轮机叶片、导叶、铸锭等，涵盖了铸铁件、铸钢件、铸铝件和钢锭，模拟结果包括温度场、流场、应力场、位移场、应变场，预测的缺陷包括缩孔缩松、裂纹、变形等。 本书还包括了个别铸件热处理过程的算例以及组芯造型装配的算例。所有模拟结果图片经过了红蓝效果的3D立体处理，因此给读者展现的是跃出纸面的立体模拟结果，对观察、理解和分析模拟结果具有很大帮助，这不同于传统的印刷显示效果，是本书的一大特色。另外，书中还附有光盘，其中包括书中红蓝立体图片和动画演示，可在任何播放图片和视频的硬件下播放或投影，内容更丰富，效果更佳。 本书可以为铸造专业人士进行铸件凝固过程数值模拟作参考，也可以用于铸造
本书是微电子学和集成电路设计专业的基础教程，内容涵盖了量子力学、固体物理、半导体物理和半导体器件的全部内容。本书在介绍学习器件物理所必需的基础理论之后，重点讨论了pn结、金属-半导体接触、MOS场效应晶体管和双极型晶体管的工作原理和基本特性。后论述了结型场效应晶体管、晶闸管、MEMS和半导体光电器件的相关内容。全书内容丰富，脉络清晰，说理透彻，浅显易懂。书中各章给出了大量的分析或设计实例，增强读者对基本理论和概念的理解。每章末均安排有小结和复习提纲，并提供大量的自测题和习题。
本书整理了国内外数百家生产厂家生产的几万种半导体二极管的型号及有关参数。书中首先介绍了该手册的使用方法，然后以表格的形式重点介绍了器件型号、材料、参数、生产厂家、替换型号以及外形参考图。此外，还介绍了各种半导体二级管的外形尺寸图，以供设计人员设计电器产品使用。 本书资料丰富、数据准确、图文并茂、查阅方便，是各种电子产品的生产、开发、设计、维修、管理人员，电子元器件营销人员以及开设与电子技术相关专业的院校师生的工具书。
《新型衬底上的蓝/白光LED外延材料与芯片》主要讨论目前在新型衬底材料上高效率LED材料与器件方面的研究进展，并对新型衬底LED的发展方向进行了展望。主要内容包括：采用一些高热导率、与氮化物晶格匹配良好的新型衬底（主要包括金属W与Cu、Si、及LiGaO2等）来生长氮化物LED外延材料；还为非极性氮化物LED材料的生长提出了一个新的衬底/外延体系（m-GaN//LiGaO2(100)）；通过软件仿真模拟图形衬底LED的出光规律，提出了新的LED图形衬底设计方案，设计出了大量的拥有自主知识产权的图形衬底图案（专利授权）；并在此基础上，试图将图形衬底技术与更适合氮化物LED外延生长的新型衬底相结合，大幅度提高了LED的出光效率。
本书整理了国内外数百家生产厂家生产的几万种双极晶体三极管(简称三极管)的型号及有关参数。书中首先介绍了该手册的使用方法，然后以表格的形式重点介绍了器件型号、材料、参数、厂家、替换型号以及外形参考图。此外，还介绍了各种晶体三极管的外形尺寸图，以供设计人员设计电器产品使用。 本书资料丰富、数据准确、图文并茂、查阅方便，是各种电子产品的生产、开发、设计、维修、管理人员，电子元器件营销人员以及开设与电子技术相关专业的院校师生的工具书。
电子产品的工艺可靠性问题，存在于产品在工厂生产和市场服役的全过程。《现代电子装联工艺可靠性》笔者樊融融从事电子装联工艺及其装备等技术研究整50年，深感电子制造中的工艺可靠性问题，随着微组装和微焊接技术应用的日趋广泛和深入而愈显突出。因此，加强电子装联工艺工程师们对工艺可靠性基础理论的掌握和技术素质的提升，是关系到一个公司的产品实施“低成本、优质、可靠”战略的关键一环，编著本书的出发点就是在不断发展的现代电子产品制造中，当面对形形色色的缺陷和故障现象时，能为他们提供技术支持。 本书适合广大从事电子产品制造的工艺工程师、质量管理工程师、材料技术工程师、生产现场管理工程师及用户服务工程师等技术人员阅读和借鉴。
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，*后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
本书是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“Semiconductor Physics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。. 与原书相比，本书更好地将固体品格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用本书，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。.. 另外，本书还尽量保持了原书的主要优点： (1)注重基本概念和方法。本书从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大
低成本的太阳能发电技术一直是国内外的研究热点，聚光光伏通过采用低成本的聚光跟踪装置替代昂贵的太阳电池，具有大幅度降低光伏发电成本的潜力。朱丽、黄群武译审的这本《聚光光伏——原理、系统与应用》全面介绍了国际聚光光伏的发展历程、现状与前景，论述了聚光光伏系统与关键单元技术的基础理论，并系统介绍了国际知名科研机构与企业在商业化发展中所做的工作。“中国的聚光光伏发展”一章补充论述了国内聚光光伏技术和产业的发展情况。《聚光光伏——原理、系统与应用》可供从事光伏尤其从事聚光光伏发电的科研、开发及应用方面的工程技术人员参考，也可供大专院校教学使用。
《新型超导体系相关系和晶体结构》是在1994年出版的《高Tc氧化物超导体系相关系和晶体结构》一书的基础上，根据近10余年来这一领域的研究成果及*研究进展重新撰写而成。高Tc氧化物超导体是20世纪80年代迅速发展起来，具有重要应用前景的超导材料。全书共四章，章主要论述高Tc氧化物超导体系的相关系，并扼要介绍相图、相变的基本概念及相图和晶体结构测定的基本方法。第二章介绍一些主要高Tc超导单晶体的生长方法。第三章和第四章分别论述铜基氧化物超导体和非铜超导体的晶体结构。《新型超导体系相关系和晶体结构（精）》可供从事超导材料、超导物理以及超导应用的科研工作者和高等院校相关专业的师生参考。
半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件，和半导体激光器一样，是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器（EDFA）后来居上，在光纤通信中获得应用，但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章，前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6～8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放
????李晓麟编著的《整机装联工艺与技术》就电子装联所用焊料、助焊剂、线材、绝缘材料的特性及使用和选型，针对工艺技术的要求做了较为详细的介绍。尤其对常常困扰电路设计和工艺人员的射频同轴电缆导线的使用问题更有全面的分析。?在手工焊接、相关电磁兼容性的整机接地与布线处理、工艺文件的编制等方面，有理论知识、有技巧、有案例分析，具有可操作性。值得提及的是，《整机装联工艺与技术》毫无保留地将很多工艺技术经验，融进了整机装联中各种不同形态焊点质量要求以及与这些焊点有关联的连接导线的形状、距离问题的处理中。从而可以把握整机装联技术中大量隐含质量问题的正确处理方法，学会“分析并看透”一个焊点在整机质量寿命中的“动态表现”。?《整机装联工艺与技术》配有大量彩色插图，*常适合电装工艺技术人员、电路设计师
本书从电磁兼容三要素出发，结合电磁兼容法规，深入介绍了电磁兼容问题的基本原理、具体的设计方法和解决措施，并以实际案例进行佐证。本书后介绍了两种快捷实用的电磁干扰和抗干扰解决方法：时频穿越法和递进应力法。时频穿越法借助近场探头和频谱分析仪，准确定位噪声源和传播途径，根据时域和频域下的噪声特性找到针对性的EMI解决方案；递进应力法通过递进干扰源强度的方法来确认产品受到影响的机理，然后采取有效的抗干扰措施。本书介绍的电磁兼容的设计理念和解决方案，不仅适用于LED灯具，也适用于通信电源、医疗电源、充电器、光伏逆变器、电动机驱动以及存在di/dt和du/dt骚扰源的应用场合。
