\"本书的内容主要聚焦于二次电子发射的理论模型和相关应用方面,在部分章节列举了几个典型案例展开讨论。本书的内容涵盖了二次电子的发射理论模型、测量、数据结果、表面工艺、介质带电分析以及典型应用场景介绍。内容涉及粒子物理理论、仿真算法、磁流体力学、表面工艺、表面表征等多领域。 本书共分为六章,其中, 章为绪论,介绍了二次电子发射和与此相关的介质带电概念和现状。第二章中主要介绍了四种主要的二次电子发射模型,以及分别针对导电金属和导电不良体的介质研制的测试平台,除此之外,还列出了部分典型金属和介质材料的二次电子发射数据。本书的第三部分介绍了常用的二次电子发射表面调控技术,列举了几种用于抑制二次电子发射的表面陷阱结构和用于表面调控的材料工艺。第四部分介绍了电子轰击表面的带电效应和二次电
\"本书的内容主要聚焦于二次电子发射的理论模型和相关应用方面,在部分章节列举了几个典型案例展开讨论。本书的内容涵盖了二次电子的发射理论模型、测量、数据结果、表面工艺、介质带电分析以及典型应用场景介绍。内容涉及粒子物理理论、仿真算法、磁流体力学、表面工艺、表面表征等多领域。 本书共分为六章,其中, 章为绪论,介绍了二次电子发射和与此相关的介质带电概念和现状。第二章中主要介绍了四种主要的二次电子发射模型,以及分别针对导电金属和导电不良体的介质研制的测试平台,除此之外,还列出了部分典型金属和介质材料的二次电子发射数据。本书的第三部分介绍了常用的二次电子发射表面调控技术,列举了几种用于抑制二次电子发射的表面陷阱结构和用于表面调控的材料工艺。第四部分介绍了电子轰击表面的带电效应和二次电
本书的主要内容是介绍如何用LHCb探测器收集的数据测量质子-质子在质心系能量为7 TeV碰撞下W玻色子的产生截面。 本书 章为概述。第二章对标准模型和质子一质子对撞下W玻色子截面的理论计算做了较详细的介绍。第三章和第四章对LHCb探测器以及事例重建做了较完整的描述。第五章具体陈述了W玻色子产生截面的测量。第六章是对全书的总结。
\"本书的内容主要聚焦于二次电子发射的理论模型和相关应用方面,在部分章节列举了几个典型案例展开讨论。本书的内容涵盖了二次电子的发射理论模型、测量、数据结果、表面工艺、介质带电分析以及典型应用场景介绍。内容涉及粒子物理理论、仿真算法、磁流体力学、表面工艺、表面表征等多领域。 本书共分为六章,其中, 章为绪论,介绍了二次电子发射和与此相关的介质带电概念和现状。第二章中主要介绍了四种主要的二次电子发射模型,以及分别针对导电金属和导电不良体的介质研制的测试平台,除此之外,还列出了部分典型金属和介质材料的二次电子发射数据。本书的第三部分介绍了常用的二次电子发射表面调控技术,列举了几种用于抑制二次电子发射的表面陷阱结构和用于表面调控的材料工艺。第四部分介绍了电子轰击表面的带电效应和二次电
本书由工作在自旋电子学研究领域里的国内外50余位学者撰写而成。全书分两卷、共28章,各章均由该领域富有研究经验的知名专家负责,较全面地介绍和论述了目前自旋电子学研究领域中的各个重要研究方向及其进展,并重点关注自旋电子学的关键材料探索、物理效应研究及其原理型器件的设计开发和实际应用。
\"本书的内容主要聚焦于二次电子发射的理论模型和相关应用方面,在部分章节列举了几个典型案例展开讨论。本书的内容涵盖了二次电子的发射理论模型、测量、数据结果、表面工艺、介质带电分析以及典型应用场景介绍。内容涉及粒子物理理论、仿真算法、磁流体力学、表面工艺、表面表征等多领域。 本书共分为六章,其中, 章为绪论,介绍了二次电子发射和与此相关的介质带电概念和现状。第二章中主要介绍了四种主要的二次电子发射模型,以及分别针对导电金属和导电不良体的介质研制的测试平台,除此之外,还列出了部分典型金属和介质材料的二次电子发射数据。本书的第三部分介绍了常用的二次电子发射表面调控技术,列举了几种用于抑制二次电子发射的表面陷阱结构和用于表面调控的材料工艺。第四部分介绍了电子轰击表面的带电效应和二次电
本书的主要内容是介绍如何用LHCb探测器收集的数据测量质子-质子在质心系能量为7 TeV碰撞下W玻色子的产生截面。 本书 章为概述。第二章对标准模型和质子一质子对撞下W玻色子截面的理论计算做了较详细的介绍。第三章和第四章对LHCb探测器以及事例重建做了较完整的描述。第五章具体陈述了W玻色子产生截面的测量。第六章是对全书的总结。
本书是一部国际公认的经典教材,主要面向半导体装置、磁性材料、激光、和金属合金等领域的读者。初版于1985年,这是第4版。该书在固态物理理论基础上详细讨论了材料的电学、光学、磁学和热力学性质。内容深入浅出,从简单的物理模型开始,逐步过渡到材料电子特性的测定与应用实例。本版在第3版基础上,内容全面做了修订,增加了上述领域的近期新突破性进展。书中每章末有习题,书后附有习题解答。读者对象:固体物理、材料科学和器件物理等领域的研究生、科研人员及工程技术人员。