《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术，覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺，以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外，还介绍一些相关的工艺设备。

本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的 初级可靠性技术者 资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到最新研究，覆盖范围较广。 本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体

这是一本介绍半导体工作原理的入门类读物。全书共分4章，包括第1章的半导体的作用、类型、形状、制造方式、 产业形态；第2章的理解导体、绝缘体和半导体的区别，以及P型半导体和N型半导体的特性；第3章的PN结、双极型晶体管、MOS晶体管、 CMOS等；第4章涵盖了初学者和行业人士应该知道的技术和行业词汇表。 本书适合想学习半导体的初学者阅读，也可以作为相关企事业单位人员的科普读物。 本书是围绕集成电路芯片发展和新一代信息产业技术领域（集成电路及专用设备）等重大需求，编著的集成电路芯片制程设备通识书籍。集成电路芯片作为信息时代的基石，是各国竞相角逐的 国之重器 ，也是一个国家高端制造能力的综合体现。芯片制程设备位于集成电路产业链的上游，贯穿芯片制造全过程，是决定产业发展的关键一环。本书首先介绍了集成电路芯片制

本书从无机钙钛矿光电材料的结构与基本性能出发，系统介绍了无机钙钛矿光电材料（量子点、薄膜和单晶）的不同制备方法与优势，重点阐述了该类材料在发光二极管、激光器、太阳能电池、光电探测器和电子器件等方面的应用进展及技术瓶颈。内容涵盖了该领域理论方面的基本概念和器件工作机理的解释，也对材料和器件的制备工艺及优化技术进行了详细阐述。同时，本书从无机钙钛矿光电材料的种类、性能和应用等方面出发，系统地总结和归纳了其发展历程，为读者展示了近十年来该领域的重要进展。

本书比较全面地介绍了有关半导体物理原理的基础知识. 内容包括:半导体中电子的运动状态，统计原理，在电磁场以及在有温差时的各种输运过程，光吸收和光电导的现象，非平衡载流子的运动，表面和接触的现象， pn 结的原理.

本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的 初级可靠性技术者 资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到最新研究，覆盖范围较广。 本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为11章，分别是：功率半导体的全貌、功率半导体的基本

《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

半导体器件数值模拟计算方法是现代计算数学和工业与应用数学的重要领域。半导体器件数值模拟是用电子计算机模拟半导体器件内部重要的物理特性，获取有效数据，是设计和研制新型半导体器件结构的有效工具。本书主要内容包括半导体器件数值模拟的有限元方法、有限差分方法，半导体问题的区域分裂和局部加密网格方法，半导体瞬态问题的块中心差分方法等经典理论部分，以及半导体问题的混合元。特征混合元方法、混合元。分数步差分方法、半导体瞬态问题的有限体积元方法、半导体问题的混合有限体积元。分数步差分方法、电阻抗成像的数值模拟方法和半导体问题数值模拟的间断有限元方法等现代数值模拟方法和技术。

TFTLCD液晶显示器在平板显示器中脱颖而出，在显示器市场独占整头。目前以TFTLCD为代表的平板显示产业发展迅速，为适应平板显示产业迅速发展的要求，编写了薄型显示器丛书。《BR》 本册全面阐述TFTLCD液晶显示器制作技术，共分5章，包括第5章液晶显示器的设计和驱动，第6章LCD的工作模式及显示屏构成，第7章TFTLCD制作工程，第8章TFTLCD的主要部件及材料，第9章TFTLCD的改进及性能提高。本书系统完整、诠释确切，图文并茂、通俗易懂地介绍了TFTLCD制程的各个方面。本书源于生产一线，具有重要的实际指导意义和参考价值。

宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

本书系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统（MEMS）器件的三维集成硅通孔（TSV）技术的*进展和可能的演变趋势，详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史，然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等，*后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。 本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生教材和参考书。

本书是由四十余位知名青年学者撰写而成的。全书共分16章，重点介绍光纤光学技术的进展，其中包括微纳光纤、光纤光源、光纤传感及其应用、光纤信息处理、光纤通信系统与接入网、光纤微波光子技术、光纤保密通信技术等方面的新技术和新应用，并对相关技术进行了较为全面的分析和比较。本书着重突出前沿性，书中很多内容是作者近年来所发展的新概念和新技术，例如波长编码技术、光跳频编码保密通信技术等，部分内容属于首次公开发表。 本书适合从事光纤通信、传感、微波光电子学教学与研究的科技工作者、工程技术人员、研究生和高年级本科生阅读和参考。

《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后，比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法，同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序，用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析，从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外，《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读，对该领域的研究生也会有所裨益。

《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的 成果和发展趋势。 《碳化硅器件工艺核心技术》可作为理工科院校物理类专业、电子科学与技术专业以及材料科学等相关专业研究生的辅助教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。

《透明氧化物半导体》重点阐述了已经得到广泛应用或具有重要应用前景的8种氧化物半导体的制备技术、晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质和气敏性质，既包含了作者近30年的研究成果，又反映了外透明氧化物半导体重要研究成果，既包含了早期透明氧化物半导体成熟理论，又反映了当前国际上透明氧化物半导体的成果，重点突出，内容系统、全面、新颖，具有重要的科学意义和应用价值。

透明氧化物半导体因其优异的光学、电学、磁性特性，已广泛应用于电子学、微电子学和光电子学领域，在透明电子学、柔性电子学和自旋电子学等诸多领域具有巨大的现实和潜在应用前景。本书系统地论述透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础，分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质、气敏性质和光催化性质，评述新兴透明氧化物电子学。