《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人
本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。
本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术，覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺，以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外，还介绍一些相关的工艺设备。
本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始，通过讨论激光器的基础理论，转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节，此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用，也适用于高年级本科生或研究生，作为主修的半导体激光器的课程，亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。
光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生？传输？控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料？异质结构和能带？辐射复合发光和光吸收？光波传输模式;超晶格和量子阱？发光管？激光器？探测器？光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体？光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念？光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.
本书是本着突出近代真空镀膜技术进步，注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章，内容包涵了真空镀膜中物理基础，各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求，各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控，真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用，亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。
半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容:包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微披光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子1里没、荧光光谱、紫外.可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和ιy等测试分析蜘忙。
电子信息材料是发展极为迅速的一类材料，但是缺少相关的特性手册。已有的类似书籍要不数据量少，要不数据陈旧，满足不了读者的需要。本书收集了大量的已经发表的实验数据，结合作者多年来的实验数据，编写了这部手册。为了便于读者进行数据处理和比较，作者操作性地把收集到的实验数据通过数值化手段全部转换为数据文件，便于读者进行各种数据处理。手册数据量大，特性齐全，非常适合相关领域的科技工作者和研究生使用。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
本书从三个方面系统地论述集成电路的制造技术。首先是制造对象，对工艺结构及结构所对应的电子器件特性进行深人的分析与揭示。其次是生产制造本身，详细讨论集成电路各单步作用的本质性特征及各不同工艺技术在成套流程中的作用，讨论高端制造的组织、调度和管理，工艺流程的监控，工艺效果分析与诊断等内容。*后是支撑半导体制造的设备设施，该部分的论述比较简明，但是也从整体和系统的角度突出了制造设备的若干要素。
本书分三章，章详细讨论半导体异质结构的注入(激发)及其电流机制、能带图表述、并着重探讨与新近垂直腔面发射激光器的发展密切相关的多层同型异质结理论。同时也为速率方程理论的建立提供坚实的物理和理论背景，并打好编程计算的基础。第二章建立为光子与电子相互作用作微观唯象表述的速率方程组、详细探讨光限制因子的全量子理论、并讨论电子和光子相互作用动平衡静态解，如阈值及其无阈值微腔效应、光功率-电流特性、端面返射、激光模式及其出射光束结构、模式竞争和转换等静态现象。第三章则将深入探讨半导体激光器包括激射延迟、激光过冲、和张弛振荡三个基本过程的瞬态行为、小信号的电流、光流、和微波加热三种调制方式及其调制带宽的理论、控制、和设计。大信号简谐调制及其调制带宽、脉码调制及其眼图的行为、不稳定和双稳态现
电磁兼容性能是电子信息设备和系统设计与使用过程中关注的重要方面。本书围绕电磁干扰三要素，系统阐述了电磁兼容理论，结合工程实践经验给出了电磁干扰问题的分析和解决方法。全书内容包括电磁兼容的内涵、信号完整性分析、非线性效应分析、复杂系统电磁兼容仿真预测、电磁兼容现场测量、电磁兼容设计、电磁兼容维护、电磁兼容评估、电磁防护技术以及电磁兼容新材料、新方法和新技术等。
半导体制造工艺是实现由材料到分立器件或集成系统的关键，其中清洗工艺是使用普遍的工艺步骤。本书详细介绍了与分立半导体器件及超大规模集成电路芯片制造相关的各种晶片清洗技术，着重讲解了这些清洗技术的发展过程、基本原理和实际应用问题。全书共分为五部分十三章：部分介绍半导体晶片沾污类型、清洗技术的发展历程和演变，以及芯片制造过程中硅片表面微量化学沾污的产生过程；第二部分介绍各种湿法化学工艺技术的原理、工艺方法、工艺参数控制、清洗装置及应用实例；第三部分介绍各种干法清洗工艺技术的原理、工艺方法、工艺参数控制
随着半导体器件和材料科学的发展，越来越多的纳米结构和纳米材料开始出现。界面特性深刻影响着纳米结构的导热及热设计，本书以半导体纳米界面导热特性为主题，针对纳米电子器件和纳米材料的研究前沿问题，对国内外发展动向和研究现状进行了调研和整理，研究融合了当前研究纳米结构界面导热特性的主要手段，力求在数值模拟及实验测量的基础上深入揭示影响纳米结构界面导热特性的主要因素及物理作用机制。本书可供相关专业高年级本科生、研究生以及相关领域科研与教学工作者阅读参考。
《新型衬底上的蓝/白光LED外延材料与芯片》主要讨论目前在新型衬底材料上高效率LED材料与器件方面的研究进展，并对新型衬底LED的发展方向进行了展望。主要内容包括：采用一些高热导率、与氮化物晶格匹配良好的新型衬底（主要包括金属W与Cu、Si、及LiGaO2等）来生长氮化物LED外延材料；还为非极性氮化物LED材料的生长提出了一个新的衬底/外延体系（m-GaN//LiGaO2(100)）；通过软件仿真模拟图形衬底LED的出光规律，提出了新的LED图形衬底设计方案，设计出了大量的拥有自主知识产权的图形衬底图案（专利授权）；并在此基础上，试图将图形衬底技术与更适合氮化物LED外延生长的新型衬底相结合，大幅度提高了LED的出光效率。
太阳电池可以实现太阳光直接转换为电力，目前晶体硅太阳电池是光伏发电的主流产品。 本书首先介绍了晶体硅的物理特性、太阳电池基本结构和标准电池工艺；并在介绍多晶硅原料制备原理、硅源化合物材料性能和制备基础上，着重介绍高纯多晶硅和太阳级多晶硅的制备与各种提纯生产工艺；后，详细阐述了硅的晶体生长和硅片的生产工艺。 本书可供大专院校从事光伏、半导体材料与器件、材料科学与工程等领域的师生作为教学参考书，也可供从事太阳能光伏研究、技术开发和产业生产的科技人员和工程师参考。
20世纪60年代中期GaAs负电子亲和势半导体光电阴极的出现，有力地推动了以单晶半导体为基础的光电阴极的发展。除了负电子亲和势半导体光电阴极外，各种场助半导体光电阴极也有很大发展。与半导体工业的融合，使得光电阴极技术的发展在一定程度上摆脱了以经验为基础的局面，进入了以半导体带隙工程为基础的科学设计新阶段。 今天，半导体光电阴极不仅是用于光电探测和计量用的光电倍增管和夜视仪所用像增强器的关键光电转换部件，而且作为电子加速器、自由电子激光器、同步辐射光源、电子束光刻、电子显微镜、太赫兹辐射器以及X射线源等方面的高亮度电子源，也表现出明显的潜力和实用价值。半导体光电阴极的应用领域包括军事、安全、医学、天文、航空航天、生物化学以及光纤通信等诸多方面。 贾欣志编著的《半导体光电阴极》全面介
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，*后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
太阳能是人类取用不竭的绿色能源，光伏发电产业是新兴的朝阳产业，对于节约常规能源、保护环境具有重要的现实意义和深远的历史意义。本书共分为上、下两篇，上篇为基础篇，下篇为应用篇。上篇系统阐明太阳辐射能的源泉和特点、测量和计算；光伏发电系统工作原理、构成及其分类；光伏发电系统的设计原理和方法，以及地面大型集中式并网光伏电站、屋顶并网光伏发电系统与独立光伏发电系统的设计应用；光伏发电系统构成的主要和关键部件，即太阳电池、逆变器、控制器、储能装置、直流汇流和交流配电系统以及监控测试系统、辅助电源、整流充电设备、升压变压器等辅助设备的知识。下篇则详细介绍太阳能光伏发电系统工程具体应用内容，重点介绍典型案例与分析，以飨读者。本书紧扣“光伏发电系统工程”主题，内容翔实，图文并茂。本书可
