本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人

本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。

本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。

本书是本着突出近代真空镀膜技术进步，注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章，内容包涵了真空镀膜中物理基础，各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求，各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控，真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用，亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。

辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。

垂直腔面发射激光器是半导体激光器的重要成员之一，也是光纤通信领域里的一个研究热点。本书全面阐述了垂直腔面发射激光器的基础理论、外延技术、制备工艺及测试方法，较为系统、完整地介绍了垂直腔面发射激光器的种类、性能指标、应用以及未来的发展趋势。通过阅读本书，读者可以全面了解相关的前活技术和应用前景。

电子信息材料是发展极为迅速的一类材料，但是缺少相关的特性手册。已有的类似书籍要不数据量少，要不数据陈旧，满足不了读者的需要。本书收集了大量的已经发表的实验数据，结合作者多年来的实验数据，编写了这部手册。为了便于读者进行数据处理和比较，作者操作性地把收集到的实验数据通过数值化手段全部转换为数据文件，便于读者进行各种数据处理。手册数据量大，特性齐全，非常适合相关领域的科技工作者和研究生使用。

本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始，通过讨论激光器的基础理论，转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节，此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用，也适用于高年级本科生或研究生，作为主修的半导体激光器的课程，亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。

本书从三个方面系统地论述集成电路的制造技术。首先是制造对象，对工艺结构及结构所对应的电子器件特性进行深人的分析与揭示。其次是生产制造本身，详细讨论集成电路各单步作用的本质性特征及各不同工艺技术在成套流程中的作用，讨论高端制造的组织、调度和管理，工艺流程的监控，工艺效果分析与诊断等内容。*后是支撑半导体制造的设备设施，该部分的论述比较简明，但是也从整体和系统的角度突出了制造设备的若干要素。

光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生？传输？控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料？异质结构和能带？辐射复合发光和光吸收？光波传输模式;超晶格和量子阱？发光管？激光器？探测器？光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体？光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念？光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.

本书首先回顾了半导体材料的发展史，简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术；然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述；接着介绍以GaAs、InP为代表的Ⅲ-V族化食物单晶衬底材料、趣晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用，宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单aaa、外延材料及其相关器件应用；进而重点描述近年来得到迅速发展的以Zn0为代表的II-VI族半导体材料的研究现状与发展趋势；后分别介绍HgCdTe等半导体红外探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的*研究进展。 本书可作为高等院校、科研院所从事电子科学与技术、微电子和光电子学、电子工程与材料科学等专业的研究生和科研工作者的参考读物。

本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。

本书以LED产品照明应用和广告应用技术为主线，详细介绍了LED应用的基础知识、LED照明驱动器及应用电路、LED灯光控制与信号处理技术、户内外常用LED灯饰产品的特性及应用、LED灯饰工程的设计规划与工程施工技术、LED显示屏及其数码管的工程应用、LED灯箱及大型LED发光字业余条件的制作技术等。

《新型衬底上的蓝/白光LED外延材料与芯片》主要讨论目前在新型衬底材料上高效率LED材料与器件方面的研究进展，并对新型衬底LED的发展方向进行了展望。主要内容包括：采用一些高热导率、与氮化物晶格匹配良好的新型衬底（主要包括金属W与Cu、Si、及LiGaO2等）来生长氮化物LED外延材料；还为非极性氮化物LED材料的生长提出了一个新的衬底/外延体系（m-GaN//LiGaO2(100)）；通过软件仿真模拟图形衬底LED的出光规律，提出了新的LED图形衬底设计方案，设计出了大量的拥有自主知识产权的图形衬底图案（专利授权）；并在此基础上，试图将图形衬底技术与更适合氮化物LED外延生长的新型衬底相结合，大幅度提高了LED的出光效率。

半导体材料与器件的激光辐照效应是高能激光技术的重要应用基础。陆启生、江天、江厚满、许中杰、赵国民等编*的《半导体材料和器件的激光辐照效应》共分七章，介绍了半导体材料的基本特性，激光在半导体材料中的激发状态、耦合形式、光谱特性和传输特性等，激光在半导体材料中各种吸收的类型和机理，以及吸收的能量在材料中的弛豫和转换的机理及规律，激光辐照下载流子在半导体材料中的输运，单元光电探测器的基本特性和激光辐照效应。讨论了阵列光电探测器对于激光的光学和电学响应及损伤机理。*后着重讨论了半导体材料对于激光辐照的热学和力学的响应及损伤机理等问题。 本书针对的读者群体是在相应领域里从事科学技术研究的研究生和相关的科研工作者。

本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物 理机理、设计原则及应用可靠性，内容以硅功率半导体器件为主，同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书 首先从基本半导体理论开始，依次介绍了各类常用的功率半导体器件，采用物理模型分析及数值模拟验证结 合的方式，辅助大量详实的图表数据，帮助读者全面透彻理解功率半导体器件的特性。

《射频与微波晶体管功率放大器工程》主要阐述射频和微波晶体管功率放大器工程设计的基本理论、方法、设计技巧和工程实现。书中给出了较多的工程设计的实例和实现时需要注意的工程方法，为电子工程师提供了几乎所有的手段，以提高设计效率，缩短设计周期。书中不仅注重功率放大器的基本理论、传统的设计方法，还涉及*的设计理念和分析方法——异相功率放大器、功率放大器中的记忆效应

《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，*后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。

本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。

本书是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“Semiconductor Physics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。. 与原书相比，本书更好地将固体品格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用本书，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。.. 另外，本书还尽量保持了原书的主要优点： (1)注重基本概念和方法。本书从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大

本书主要介绍与集成电路相关的主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管(BJT)，同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。本书作者是美国工程院院士、中国科学院外籍院士，多年从事半导体器件与集成电路领域的前沿性研究工作。本书内容简明扼要，重点突出，深度掌握适宜，讲解深入浅出，理论联系实际。

本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍， 在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段： 从原材料的制备到封装、 测试和成品运输， 以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例， 每章包含回顾总结和习题， 并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展， 讨论了用于图形化、 掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术， 使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、 化学和电子的基础信息更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容， 并加入了半导体业界的新成果， 可以使读者了解工艺技术发展的趋势。

????李晓麟编著的《整机装联工艺与技术》就电子装联所用焊料、助焊剂、线材、绝缘材料的特性及使用和选型，针对工艺技术的要求做了较为详细的介绍。尤其对常常困扰电路设计和工艺人员的射频同轴电缆导线的使用问题更有全面的分析。?在手工焊接、相关电磁兼容性的整机接地与布线处理、工艺文件的编制等方面，有理论知识、有技巧、有案例分析，具有可操作性。值得提及的是，《整机装联工艺与技术》毫无保留地将很多工艺技术经验，融进了整机装联中各种不同形态焊点质量要求以及与这些焊点有关联的连接导线的形状、距离问题的处理中。从而可以把握整机装联技术中大量隐含质量问题的正确处理方法，学会“分析并看透”一个焊点在整机质量寿命中的“动态表现”。?《整机装联工艺与技术》配有大量彩色插图，*常适合电装工艺技术人员、电路设计师